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公开(公告)号:CN117976606A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410138444.5
申请日:2024-01-31
申请人: 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/762 , H01L21/3105 , H01L21/311
摘要: 本发明公开了一种改善STI工艺凹陷区域POLY残留的方法及STI结构形成方法,所述改善STI工艺凹陷区域POLY残留的方法包括步骤:在进行STI CMP平坦化后,并在去除氮化膜前,采用湿法刻蚀技术将沟槽氧化膜上表面去除至目标厚度,减少沟槽Trench区域氧化膜与垫氧化膜的台阶差。本发明在湿法刻蚀沟槽氧化膜时,由氮化膜侧壁进行保护,使湿法刻蚀不会对沟槽氧化膜侧壁产生等向性钻蚀,进而能改善divot区域过大,引起刻蚀后多晶残留问题,改善在干法多晶栅刻蚀的残留问题和漏电问题,提高了器件性能。
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公开(公告)号:CN116079595A
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202310118581.8
申请日:2023-02-13
申请人: 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种研磨液回收循环装置及其回收循环方法,其中回收循环装置包括集液模块以及工艺模块,集液模块用于回收研磨垫上的研磨液,集液模块设置有集液桶,集液桶的第一出水端通过循环管连通集液桶的第二进水端,循环管上沿其内的液体的流动路径依次设置有第一循环泵和过滤组件;工艺模块用于去除回收的研磨液中过量的去离子水,工艺模块通过第一输送管与集液桶的第二出水端连通,工艺模块的第一出水端连通有用于向研磨垫输送研磨液的供液管。本发明可以有效的避免回收至集液桶内的研磨液中的磨料沉淀团聚成大颗粒,实现在不影响研磨效果的基础上将研磨液有效的进行可持续的回收循环使用的功能,降低研磨成本。
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