公开(公告)号：CN117538795A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311651702.1

申请日：2023-12-05

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院

发明人： 陈中圆 ,  金锐 ,  崔梅婷

IPC分类号： G01R31/52 ,  G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种IGBT功率器件的短路测试方法、装置、控制器及介质，短路测试方法包括：在第一预设时刻控制所述第二二极管导通，并控制所述第二供电模块给所述待测IGBT器件的续流二极管提供浪涌电流；在第二预设时刻向所述待测IGBT器件发送短路控制信号，并控制所述第一二极管导通和所述第一供电模块工作，以使所述待测IGBT器件承受短路电流，其中，所述第一预设时刻小于所述第二预设时刻；对处于短路状态下的待测IGBT器件进行短路测试，得到三类短路测试结果；根据本发明提供的技术方案，能够大大提高IGBT功率器件短路测试的准确性。

公开(公告)号：CN116660706A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310398005.3

申请日：2023-04-13

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网北京市电力公司

发明人： 陈中圆 ,  魏晓光 ,  崔梅婷 ,  任海

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 一种碳化硅器件动态性能测试电路及方法，所述测试电路包括直流电容、第一辅助器件、第一被测器件、第二辅助器件、第二被测器件和负载电感；所述电容为被测电路提供电压支撑以及在器件开通过程中提供能量；所述第一辅助器件用于配合第一被测器件使用；所述第二辅助器件用于配合第二被测器件T4使用，在预应力控制区，持续呈现阻断状态；所述负载电感为被测电路提供负载，控制器件开通时电流峰值。本发明针对碳化硅器件阈值电压易漂移的特点，在双脉冲测试前增加预应力控制区，使得碳化硅器件在测试前产生特定的阈值漂移现象，从而能够准确地评估阈值漂移对碳化硅器件的动态特性的影响。