-
公开(公告)号：CN117233562A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310423112.7
申请日：2023-04-19
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种动态测试平台器件状态检测电路，所述动态测试平台状态检测电路的主回路为双脉冲测试回路，包括电容器、电抗器、被测功率半导体器件、续流二极管；检测电路在双脉冲测试电路的基础上增加第一开关，第二开关，第三开关，第四开关，第五开关，电流探头，熔断器，限流电阻、第一电压源和第二电压源。本发明器件从设备电路入手，通过增加检测电路，克服了传统测试设备因器件故障造成的测试失败问题，保证了测试的快速与稳定性，提高了高压动态测试的可靠性。
-
公开(公告)号：CN116660706A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310398005.3
申请日：2023-04-13
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种碳化硅器件动态性能测试电路及方法，所述测试电路包括直流电容、第一辅助器件、第一被测器件、第二辅助器件、第二被测器件和负载电感；所述电容为被测电路提供电压支撑以及在器件开通过程中提供能量；所述第一辅助器件用于配合第一被测器件使用；所述第二辅助器件用于配合第二被测器件T4使用，在预应力控制区，持续呈现阻断状态；所述负载电感为被测电路提供负载，控制器件开通时电流峰值。本发明针对碳化硅器件阈值电压易漂移的特点，在双脉冲测试前增加预应力控制区，使得碳化硅器件在测试前产生特定的阈值漂移现象，从而能够准确地评估阈值漂移对碳化硅器件的动态特性的影响。
-
公开(公告)号：CN116990649A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310402192.8
申请日：2023-04-14
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种高压功率器件动态特性测试电路，包括测试电源、负载电感、多个测试切换开关、测试上位机、被测器件、陪测二极管、高压探头、电流传感器：所述测试电源通过测试使能开关控制所述测试电源的投入和切除；所述负载电感用于在被测器件开通时限制回路电流上升率；所述多个测试切换开关用于被测器件与陪测器件的相互转换；所述测试上位机用于根据输入的测试参数控制各个开关和驱动以实现高压IGBT/MOSFET器件动态开关测试；陪测二极管包括第一陪测二极管和第二陪测二极管；高压探头用于测试开关过程中被测器件两端的电压；所述电流传感器用于测试电路中的电流。本发明实现测试系统大电流快速保护。
-
公开(公告)号：CN118962377A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411445507.8
申请日：2024-10-16
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请提供了一种碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法和系统，该方法由于将高温烘箱的温度调节为预设最高工作结温，并以不断提高直流源模组输出的反向偏压为基准，对测试组不断施加反向偏压，从而实现了高温耐压极限值的测试目的，另外在每次对测试组施加反向偏压持续第一预设时间之后，根据测试组的当前电学性能参数的大小，确定测试组的高温耐压极限值是否为当前次的反向偏压，且测试组的当前电学性能参数包括测试组的碳化硅器件的当前栅极漏电流、当前阈值电压和当前漏极漏电流，从而使得测试组的高温耐压极限值的确定更加符合实际工况，进而解决了现有方案对SiC MOSFET高温耐压极限值的确定的效率较低的问题。
-
公开(公告)号：CN118962376A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411445503.X
申请日：2024-10-16
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请提供了一种待测碳化硅器件的栅极氧化层失效的测试方法和系统。该方法根据栅极漏电流映射关系和阈值电压映射关系，确定目标待测碳化硅器件的极限栅压、基准栅极漏电流和目标斜坡电压，从而得以精确地得到判断待测碳化硅器件的栅极氧化层是否失效的所需参数，最后采用基准栅极漏电流和目标斜坡电压，对非目标待测碳化硅器件进行测试，确定非目标待测碳化硅器件的栅极氧化层是否失效，通过判断阈值电压减小和栅极漏电流增大筛选出有栅极氧化层缺陷的器件，从而解决了现有方案缺乏一种高效快速筛选碳化硅器件栅极氧化层失效的方案的问题。
-
公开(公告)号：CN117554771A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210939991.4
申请日：2022-08-05
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网山东省电力公司烟台供电公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性评估方法，包括：对一个或多个碳化硅功率半导体器件施加动态栅极电应力；动态栅极电应力施加时间Ti后，获取第i组测试数据，包括：栅极漏电流、栅电荷、跨导、阈值电压变化量，其中i为自然数；重复n次获取测试数据步骤，获取n组测试数据；且获取各组测试数据所需的动态栅极电应力施加时间Ti各不相同；其中，i∈n，n为自然数；将n组测试数据拟合得出栅极漏电流、栅电荷、跨导、阈值电压变化量分别随动态栅极电应力施加时间的变化曲线；根据各个测试数据的变化曲线，评估碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性。上述方法可以精确评估碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性。
-
公开(公告)号：CN117538795A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311651702.1
申请日：2023-12-05
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院
摘要： 本发明公开了一种IGBT功率器件的短路测试方法、装置、控制器及介质，短路测试方法包括：在第一预设时刻控制所述第二二极管导通，并控制所述第二供电模块给所述待测IGBT器件的续流二极管提供浪涌电流；在第二预设时刻向所述待测IGBT器件发送短路控制信号，并控制所述第一二极管导通和所述第一供电模块工作，以使所述待测IGBT器件承受短路电流，其中，所述第一预设时刻小于所述第二预设时刻；对处于短路状态下的待测IGBT器件进行短路测试，得到三类短路测试结果；根据本发明提供的技术方案，能够大大提高IGBT功率器件短路测试的准确性。
-
公开(公告)号：CN117310433A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311518969.3
申请日：2023-11-15
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件的失效测试装置，包括测试电路和测试夹具，测试电路包括测试控制上位机、电压源、多个相互并联的测试支路，测试支路包括被测功率器件，测试控制上位机分别与电压源和被测功率器件连接，电压源还连接至各个测试支路，电压源用于调节施加至被测功率器件的测试电压，测试控制上位机用于对被测功率器件进行失效影响评估；测试夹具包括芯片安装主板和芯片负极压板，芯片安装主板和芯片负极压板连接，芯片安装主板用于放置被测功率器件，芯片负极压板用于固定被测功率器件；根据本发明提供的技术方案，能够有效提高被测功率器件的测试效率，便于对被测功率器件进行失效影响评估。
-
公开(公告)号：CN116125239A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211660261.7
申请日：2022-12-21
申请人： 北京智慧能源研究院
摘要： 本发明涉及晶闸管试验技术领域，具体涉及一种晶闸管失效试验装置及其测试系统。一种晶闸管失效试验装置，包括：安装主板结构，所述安装主板结构设有定位孔和安装孔，所述安装孔内放置有第一磁性原件，所述定位孔用于放置待测试晶圆；负极压板结构，所述负极压板结构包括负极板、以及设于负极板上的第二磁性原件，所述第一磁性原件与第二磁性原件相互吸引以使负极板与待测试晶圆贴合。本发明解决晶闸管试验在固定晶圆时结构复杂的问题。
-
公开(公告)号：CN114924175A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210524758.X
申请日：2022-05-13
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院
摘要： 本发明提供的一种功率半导体器件短路关断能力测试电路及测试方法，该电路包括：供电电源的一端分别与第一开关电路的一端及第二开关电路的一端连接，供电电源的另一端分别与被测功率半导体器件的另一端、第四开关电路的另一端连接；第二开关电路的另一端分别与辅助电路的一端、续流电路的一端及第三开关电路的一端连接；第一开关电路的另一端分别与辅助电路的另一端、续流电路的另一端、缓冲电路的另一端及被测功率半导体器件的一端连接；第三开关电路的另一端分别与第四开关电路的一端、缓冲电路的一端连接。通过实施本发明，可在IGBT器件级Ⅰ类短路测试的基础上，实现Ⅱ类短路及Ⅲ类短路能力测试。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
20 条记录 (耗时 0.057 秒)
