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公开(公告)号：CN117630772A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311320837.X
申请日：2023-10-12
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三维隧道磁阻传感器及其制造方法。所述三维隧道磁阻传感器包括至少两个相同的隧道磁阻芯片，每一隧道磁阻芯片均包括第一磁敏单元及第二磁敏单元，第一磁敏单元及第二磁敏单元形成于同一衬底，第一磁敏单元用于感应水平方向的磁场，第二磁敏单元用于感应垂直方向的磁场，两个相同的隧道磁阻芯片以倒装焊的方式进行封装，使两个隧道磁阻芯片的第一磁敏单元面对面互联，两个隧道磁阻芯片的第二磁敏单元面对面互联，形成全桥结构。本发明通过一次制备工艺即可同时确定三个方向TMR结构的磁化方向，采用倒装焊技术实现三个方向磁敏单元的全桥结构，缩小了三维隧道磁阻传感器的体积，减少了误差。
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公开(公告)号：CN117148249B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311398272.7
申请日：2023-10-26
发明人： 王浩 , 李良 , 杜君 , 王祥 , 李佩笑 , 姜帅 , 方东明 , 孙恒超 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 刘紫威 , 李岩 , 李胜芳 , 牛长胜 , 闻志国 , 董贤光 , 孙艳玲
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明涉及芯片测试技术领域，提供一种磁敏传感芯片测试装置及方法、磁敏传感芯片。所述磁敏传感芯片测试装置包括信号发生模块、高频电流放大模块、通电线圈、聚磁环以及示波器，通电线圈的导线缠绕于聚磁环的一侧，聚磁环的另一侧具有用于放置磁敏传感芯片的间隙，放置于间隙内的磁敏传感芯片的信号输出端与示波器连接；信号发生模块用于输出不同频率的波形信号；高频电流放大模块用于调节波形信号的幅值；通电线圈和聚磁环用于产生幅值增大的磁场，使通电线圈传导的波形信号在幅值增大的磁场作用下，在聚磁环的间隙内产生用于测试磁敏传感芯片的高频磁场信号或脉冲磁场信号。本发明低成本实现对线性磁敏传感芯片带宽及响应时间的测试。
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公开(公告)号：CN117148249A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311398272.7
申请日：2023-10-26
发明人： 王浩 , 李良 , 杜君 , 王祥 , 李佩笑 , 姜帅 , 方东明 , 孙恒超 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 刘紫威 , 李岩 , 李胜芳 , 牛长胜 , 闻志国 , 董贤光 , 孙艳玲
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明涉及芯片测试技术领域，提供一种磁敏传感芯片测试装置及方法、磁敏传感芯片。所述磁敏传感芯片测试装置包括信号发生模块、高频电流放大模块、通电线圈、聚磁环以及示波器，通电线圈的导线缠绕于聚磁环的一侧，聚磁环的另一侧具有用于放置磁敏传感芯片的间隙，放置于间隙内的磁敏传感芯片的信号输出端与示波器连接；信号发生模块用于输出不同频率的波形信号；高频电流放大模块用于调节波形信号的幅值；通电线圈和聚磁环用于产生幅值增大的磁场，使通电线圈传导的波形信号在幅值增大的磁场作用下，在聚磁环的间隙内产生用于测试磁敏传感芯片的高频磁场信号或脉冲磁场信号。本发明低成本实现对线性磁敏传感芯片带宽及响应时间的测试。
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公开(公告)号：CN117420484A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311302725.1
申请日：2023-10-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种采用频率输出的霍尔传感器，属于传感器技术领域。所述霍尔传感器包括：补偿电路，用于提供与外加磁场无关的参考电压；所述参考电压随温度的变化规律和测量电路相同；测量电路，用于根据外加磁场产生霍尔电压；还用于测量激励源的频率，并根据激励源的频率确定外加磁场的大小；减法器，用于计算参考电压和霍尔电压的电压差值，并将所述电压差值反馈给激励源；测量电路激励源，用于为测量电路提供驱动电流；以及用于根据所述电压差值进行负反馈，使得所述霍尔电压的取值始终和所述参考电压相等。本发明利用霍尔电压对激励电源的频率响应特性，将霍尔电压转变为频率信号，通过对频率信号的测量来得到磁场的强度值。
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公开(公告)号：CN118483628B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R33/00 , G01R33/028
摘要： 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118362774A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410526979.X
申请日：2024-04-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及电子传感器领域，提供一种单芯片集成式电流传感器及制造方法。所述单芯片集成式电流传感器包括：电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元，电流测量单元基于磁通门技术探测待测电流，电磁感应取能单元基于电磁感应原理产生感应电流，无线通信单元采用偶极子天线技术发送和接收信号；电流测量单元、电磁感应取能单元以及无线通信单元一体化集成于单芯片上。本发明的集成式电流传感器，可以利用微机电系统加工工艺将电流检测、取能、通信等功能结构一体化集成在单芯片上，可批量化生产，生产成本较低，且体积小、重量轻，有利于在长距离输电线路上进行大量布置。
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公开(公告)号：CN118651819A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410784831.6
申请日：2024-06-18
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备，属于MEMS传感芯片技术领域。MEMS超声传感器件包括：基底，形成有第一腔和暴露第一腔的第一开口；压电振动层，设于基底上，且覆盖第一开口；钝化层，设于基底上，且环绕压电振动层布置；谐振结构，设于钝化层远离基底的一侧，谐振结构形成有第二腔、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口位于第二腔相对的两侧，第二开口朝向钝化层布置，且暴露压电振动层，第二腔和第三开口共同作用下的谐振频率等于压电振动层的谐振频率。超声传感芯片接收的声信号或发射的声信号在谐振腔内形成共振，增大超声传感芯片处的声压/往外发射的声压，增大了超声传感芯片的发射、接收灵敏度。
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公开(公告)号：CN118483628A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R33/00 , G01R33/028
摘要： 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118443998A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410403040.4
申请日：2024-04-03
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及电子传感器领域，提供一种基于磁电效应与压电效应的电流传感器及芯片。所述电流传感器包括：支撑结构、质量块、线圈、弹性梁以及设于弹性梁表面的压电转换结构，质量块与弹性梁相连，质量块悬空设于支撑结构上，线圈设于质量块的表面。压电转换结构包括第一金属层、压电材料层及第二金属层，压电材料层设于第一金属层与第二金属层之间。本发明采用磁电效应和压电效应相结合，通过选择磁电效应‑正压电效应的工作模式或磁电效应‑逆压电效应的工作模式，实现同一个电流传感器同时兼顾直流电和交流电的检测，可应用于各种电流检测场景。
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公开(公告)号：CN118443968A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410402456.4
申请日：2024-04-03
申请人： 天津大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01P15/105 , G01P1/00
摘要： 本发明涉及电子传感器领域，提供一种隧道磁阻加速度计，包括支撑结构、质量块、线圈、弹性梁以及四个隧道磁阻元件，质量块与弹性梁相连，质量块悬空设于支撑结构上，线圈设于质量块的表面，四个隧道磁阻元件设置于支撑结构的表面，且对称分布于质量块的四周，其中两个隧道磁阻元件所在的直线平行于X方向，另外两个隧道磁阻元件所在的直线平行于Y方向。质量块能够在X方向、Y方向或Z方向的加速度作用下运动以带动线圈运动。四个隧道磁阻元件中每两个隧道磁阻元件构成差分磁场检测结构，能够感应线圈运动状态变化下产生的磁场变化，通过测量磁场变化值实现单轴向、双轴向(X和Y)或三轴向(X、Y和Z)加速度的高精度检测。
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