公开(公告)号：CN116561772A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310844077.6

申请日：2023-07-11

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京智芯半导体科技有限公司

发明人： 李超伟 ,  李延 ,  张磊 ,  谷思庭 ,  袁艳芳 ,  胡晓波 ,  杨峰 ,  张彦杰 ,  高志洲 ,  任泳瑜 ,  吴占云 ,  张峰

IPC分类号： G06F21/57 ,  G06F21/51 ,  G06F21/55

摘要： 本发明实施例提供一种可信静态度量值计算方法、装置、存储介质及处理器，属于信息安全领域。所述可信静态度量值计算方法包括：获取待度量文件，所述待度量文件包括应用源数据和应用属性数据；采用哈希算法对所述应用源数据进行哈希运算，得到第一哈希结果；将所述第一哈希结果与所述应用属性数据进行拼接，并对拼接后的数据进行哈希运算，得到静态度量值。通过将应用源数据和应用属性数据加入到静态度量值的计算过程中，使得计算得到的静态度量值是基于多个因子得到的，相对于现有技术中采用单一源数据计算，采用本实施例中的方法计算得到静态度量值更加完整，提高了静态度量值的可靠性。

公开(公告)号：CN116561772B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310844077.6

申请日：2023-07-11

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京智芯半导体科技有限公司

发明人： 李超伟 ,  李延 ,  张磊 ,  谷思庭 ,  袁艳芳 ,  胡晓波 ,  杨峰 ,  张彦杰 ,  高志洲 ,  任泳瑜 ,  吴占云 ,  张峰

IPC分类号： G06F21/57 ,  G06F21/51 ,  G06F21/55

摘要： 本发明实施例提供一种可信静态度量值计算方法、装置、存储介质及处理器，属于信息安全领域。所述可信静态度量值计算方法包括：获取待度量文件，所述待度量文件包括应用源数据和应用属性数据；采用哈希算法对所述应用源数据进行哈希运算，得到第一哈希结果；将所述第一哈希结果与所述应用属性数据进行拼接，并对拼接后的数据进行哈希运算，得到静态度量值。通过将应用源数据和应用属性数据加入到静态度量值的计算过程中，使得计算得到的静态度量值是基于多个因子得到的，相对于现有技术中采用单一源数据计算，采用本实施例中的方法计算得到静态度量值更加完整，提高了静态度量值的可靠性。

公开(公告)号：CN116995117A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310929954.X

申请日：2023-07-27

申请人： 厦门大学 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 洪荣墩 ,  刘佳 ,  张峰 ,  付钊 ,  张国良 ,  刘庚 ,  姚亮 ,  刘颖

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

摘要： 具有埋层结构的碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备，涉及紫外光电探测器。设有碳化硅高掺杂n+型衬底，在n+型衬底的硅面上外延同质的碳化硅n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层，在n‑型吸收层中设单个或多个圆柱状碳化硅n型电荷埋层，在n‑型吸收层上设碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层，在p+型欧姆接触层上设二氧化硅钝化隔离层。在p+型欧姆接触层上表面设p+型环形欧姆接触电极，n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极。n‑型吸收层阻抗高，在高阻抗n‑型吸收层中引入低阻抗n型电荷埋层，可对n‑型吸收层的电场调制，使探测器可在较低电压下发生雪崩击穿，获得更高的量子效率和增益。

公开(公告)号：CN116154030A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310205107.9

申请日：2023-03-06

申请人： 厦门大学 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 洪荣墩 ,  刘佳 ,  付钊 ,  李子豪 ,  刘庚 ,  姚亮 ,  刘颖 ,  张峰

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。包括小面积横纵向的吸收倍增分离(SAM)结构和纵向p‑i‑n结构，p+型欧姆接触层、n型倍增层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成横纵向相结合的小面积SAM结构，p‑型吸收层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成纵向大面积的p‑i‑n结构。SAM结构和p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，p‑i‑n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至SAM结构中的n型倍增层进行载流子的雪崩倍增效应，再漂移至p+型欧姆接触层收集形成电流信号，避免光生载流子复合问题，提高光生载流子收集效率，提高极紫外和深紫外波段信号探测效率，获得更高器件响应度。

公开(公告)号：CN116154030B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202310205107.9

申请日：2023-03-06

申请人： 厦门大学 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 洪荣墩 ,  刘佳 ,  付钊 ,  李子豪 ,  刘庚 ,  姚亮 ,  刘颖 ,  张峰

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

摘要： 极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。包括小面积横纵向的吸收倍增分离(SAM)结构和纵向p‑i‑n结构，p+型欧姆接触层、n型倍增层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成横纵向相结合的小面积SAM结构，p‑型吸收层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成纵向大面积的p‑i‑n结构。SAM结构和p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，p‑i‑n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至SAM结构中的n型倍增层进行载流子的雪崩倍增效应，再漂移至p+型欧姆接触层收集形成电流信号，避免光生载流子复合问题，提高光生载流子收集效率，提高极紫外和深紫外波段信号探测效率，获得更高器件响应度。