极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116154030A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310205107.9

    申请日:2023-03-06

    摘要: 极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法,涉及紫外光电探测器。包括小面积横纵向的吸收倍增分离(SAM)结构和纵向p‑i‑n结构,p+型欧姆接触层、n型倍增层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成横纵向相结合的小面积SAM结构,p‑型吸收层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成纵向大面积的p‑i‑n结构。SAM结构和p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合,p‑i‑n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至SAM结构中的n型倍增层进行载流子的雪崩倍增效应,再漂移至p+型欧姆接触层收集形成电流信号,避免光生载流子复合问题,提高光生载流子收集效率,提高极紫外和深紫外波段信号探测效率,获得更高器件响应度。

    具有埋层结构的碳化硅p-i-n紫外光电探测器及制备

    公开(公告)号:CN116995117A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310929954.X

    申请日:2023-07-27

    摘要: 具有埋层结构的碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备,涉及紫外光电探测器。设有碳化硅高掺杂n+型衬底,在n+型衬底的硅面上外延同质的碳化硅n型缓冲层,在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层,在n‑型吸收层中设单个或多个圆柱状碳化硅n型电荷埋层,在n‑型吸收层上设碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层,在p+型欧姆接触层上设二氧化硅钝化隔离层。在p+型欧姆接触层上表面设p+型环形欧姆接触电极,n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极。n‑型吸收层阻抗高,在高阻抗n‑型吸收层中引入低阻抗n型电荷埋层,可对n‑型吸收层的电场调制,使探测器可在较低电压下发生雪崩击穿,获得更高的量子效率和增益。

    极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116154030B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202310205107.9

    申请日:2023-03-06

    摘要: 极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法,涉及紫外光电探测器。包括小面积横纵向的吸收倍增分离(SAM)结构和纵向p‑i‑n结构,p+型欧姆接触层、n型倍增层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成横纵向相结合的小面积SAM结构,p‑型吸收层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成纵向大面积的p‑i‑n结构。SAM结构和p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合,p‑i‑n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至SAM结构中的n型倍增层进行载流子的雪崩倍增效应,再漂移至p+型欧姆接触层收集形成电流信号,避免光生载流子复合问题,提高光生载流子收集效率,提高极紫外和深紫外波段信号探测效率,获得更高器件响应度。

    一种双p层碳化硅p-i-n紫外光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN116314421A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310205135.0

    申请日:2023-03-06

    摘要: 一种双p层碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备方法,涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层、圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂p‑型吸收层、钝化隔离介电层、钝化隔离层;整个器件具有纵向和横向两个p‑i‑n结构,两个p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合,在纵向p‑i‑n内产生的光生载流子被电场加速漂移至横纵向结合p‑i‑n结构中的p+型欧姆接触层中。在n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极,p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极,避免光生载流子复合问题,提高收集光生载流子效率,获得更高器件响应度。