快速存储器的测试方法及测试装置、存储介质、芯片

    公开(公告)号:CN115620794B

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211442462.X

    申请日:2022-11-18

    Abstract: 本发明涉及芯片技术领域,具体公开了一种快速存储器的测试方法及测试装置、存储介质、芯片,其中,快速存储器包括非易失性寄存器存储阵列,测试方法包括:按照预设规则对快速存储器的校准参数进行处理得到校准值,其中,校准参数是对快速存储器进行校准获得的;将校准值写入非易失性寄存器存储阵列,以在快速存储器上电复位时从非易失性寄存器存储阵列中读出校准值,并根据预设规则对校准值进行校验以识别校准参数是否正确。由此,实现了对校准参数的校验功能,避免了因非易失性寄存器存储阵列的可靠性问题导致校准参数出错,进而产生不良后果的问题,有效提高了快速存储器的整体可靠性。

    快速存储器的测试方法及测试装置、存储介质、芯片

    公开(公告)号:CN115620794A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211442462.X

    申请日:2022-11-18

    Abstract: 本发明涉及芯片技术领域,具体公开了一种快速存储器的测试方法及测试装置、存储介质、芯片,其中,快速存储器包括非易失性寄存器存储阵列,测试方法包括:按照预设规则对快速存储器的校准参数进行处理得到校准值,其中,校准参数是对快速存储器进行校准获得的;将校准值写入非易失性寄存器存储阵列,以在快速存储器上电复位时从非易失性寄存器存储阵列中读出校准值,并根据预设规则对校准值进行校验以识别校准参数是否正确。由此,实现了对校准参数的校验功能,避免了因非易失性寄存器存储阵列的可靠性问题导致校准参数出错,进而产生不良后果的问题,有效提高了快速存储器的整体可靠性。

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