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公开(公告)号：CN112583795A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011331129.2
申请日：2020-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司
Abstract: 本发明涉及芯片安全技术领域，提供一种安全防护方法及装置，应用于芯片系统，所述芯片系统包括：CPU、多个存储器，以及多个功能模块；所述存储器用于对接收到的数据进行存储；所述CPU用于对接收到的数据和指令进行处理，并根据处理结果对所述功能模块进行控制；所述方法包括：所述CPU、所述多个存储器、所述多个功能模块两两之间在进行数据传输时，均采用密文传输的方式进行。本发明提供的技术方案，能够对芯片系统中的数据安全进行全面、高效地防护。
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公开(公告)号：CN112583573A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011306960.2
申请日：2020-11-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种SM4防故障攻击方法及装置，属于信息安全技术领域。所述方法包括：将主密钥在两个主密钥寄存器中各存储一次；对两个主密钥寄存器中存储的主密钥进行密钥编排，得到对应的两个轮密钥；将两个轮密钥一一对应存储到两个轮密钥寄存器中；使用不同轮密钥寄存器中的轮密钥对输入的分组数据进行运算，根据运算结果判定是否受到故障攻击。该方法将主密钥在不同的两个主密钥寄存器中各存储一次，并对两个主密钥寄存器中的主密钥分别进行密钥编排，编排得到的轮密钥存储在不同的两个轮密钥寄存器中，确保如果一个存储位置的主密钥或轮密钥受到攻击改变，另外一个存储位置的主密钥或轮密钥与其不同，可以通过两次运算的方式，检测出故障。
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公开(公告)号：CN110364210B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910664971.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于LUT结构的双轨预充电AND‑NAND单元，包括：单轨LBDL逻辑与门，其包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1；以及单轨LBDL逻辑与非门，其包括第四PMOS晶体管P4，第五PMOS晶体管P5、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4，第五NMOS晶体管N5和第二反相器I2。本发明的双轨预充电AND‑NAND单元使用更少的晶体管，占用更少的版图面积，同时保证了优秀的抗DPA攻击能力。
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公开(公告)号：CN108875416B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810652042.1
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种椭圆曲线多倍点运算方法和装置。该椭圆曲线多倍点运算方法包括有序的倍点和点加运算。在点加运算过程中，当扫描到标量K的当前位不为0时则执行真点加运算，当扫描到标量K的当前位为0时则执行等价点转换运算，将所述真点加运算的结果和所述等价点转换运算的结果存到相同的寄存器堆中，所述寄存器堆中包括多个寄存器。所述椭圆曲线多倍点运算方法和装置能够有效抵抗侧信道分析和安全错误攻击。
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公开(公告)号：CN108875416A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810652042.1
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种椭圆曲线多倍点运算方法和装置。该椭圆曲线多倍点运算方法包括有序的倍点和点加运算。在点加运算过程中，当扫描到标量K的当前位不为0时则执行真点加运算，当扫描到标量K的当前位为0时则执行等价点转换运算，将所述真点加运算的结果和所述等价点转换运算的结果存到相同的寄存器堆中，所述寄存器堆中包括多个寄存器。所述椭圆曲线多倍点运算方法和装置能够有效抵抗侧信道分析和安全错误攻击。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110119640A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910427488.9
申请日：2019-05-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G06F21/75
Abstract: 本发明公开了一种双轨预充电逻辑单元及其预充电方法，该双轨预充电逻辑单元对现有的双轨预充电逻辑单元中的单轨LBDL逻辑与门以及单轨LBDL逻辑非门分别进行了改进，改进后的该双轨预充电逻辑单元共包括N1～N12，P1～P12，I1～I2共28个晶体管，相比于现有的双轨预充电逻辑单元本发明采用了更少的晶体管、占用更少的版图面积，同时保证了逻辑单元的抗DPA攻击能力。
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公开(公告)号：CN108959980B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810826635.5
申请日：2018-07-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F21/75
Abstract: 本发明公开了一种安全芯片的公钥防护方法及公钥防护系统。该公钥防护方法包括以下内容：在公钥运算启动前，计算并存储所述安全芯片的配置寄存器中的所有初值的校验值；在公钥运算启动后，实时对所述安全芯片的配置寄存器中的值进行校验，若校验失败，则终止运算并报错。所述安全芯片的公钥防护方法，能够在不增加公钥算法的运算时间的前提下，实时对公钥算法模块的整个流程进行故障攻击的检测。
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公开(公告)号：CN112583795B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202011331129.2
申请日：2020-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司
Abstract: 本发明涉及芯片安全技术领域，提供一种安全防护方法及装置，应用于芯片系统，所述芯片系统包括：CPU、多个存储器，以及多个功能模块；所述存储器用于对接收到的数据进行存储；所述CPU用于对接收到的数据和指令进行处理，并根据处理结果对所述功能模块进行控制；所述方法包括：所述CPU、所述多个存储器、所述多个功能模块两两之间在进行数据传输时，均采用密文传输的方式进行。本发明提供的技术方案，能够对芯片系统中的数据安全进行全面、高效地防护。
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公开(公告)号：CN108737073B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810653301.2
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种分组加密运算中抵抗能量分析攻击的方法和装置，所述方法包括生成伪加密运算，所述伪加密运算采用伪密钥进行加密；将真实加密运算与伪加密运算组合，构成基本加密运算单元；生成伪加密运算单元，所述伪加密运算单元中仅包括伪加密运算；将基本加密运算单元与伪加密运算单元组合，执行加密运算。与现有技术相比，本发明所公开的分组加密运算在每轮运算间均随机插入了伪加密运算，以保证敏感信息被噪声掩盖，同时基于每轮运算间插入伪运算后的基本运算单元，循环调用这样的运算单元且输入数据为随机数，可以进一步增加噪声，有效抵抗侧信道能量分析攻击。
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公开(公告)号：CN110364210A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910664971.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于LUT结构的双轨预充电AND-NAND单元，包括：单轨LBDL逻辑与门，其包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1；以及单轨LBDL逻辑与非门，其包括第四PMOS晶体管P4，第五PMOS晶体管P5、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4，第五NMOS晶体管N5和第二反相器I2。本发明的双轨预充电AND-NAND单元使用更少的晶体管，占用更少的版图面积，同时保证了优秀的抗DPA攻击能力。
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