公开(公告)号：CN112187058B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010982573.4

申请日：2020-09-17

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 刘金虎 ,  韩永浩 ,  刘国静 ,  王连忠 ,  张相飞 ,  马宗超 ,  袁远东 ,  亓学庆 ,  李涛 ,  张孝杰 ,  王海军

IPC: H02M3/335 ,  H02M7/487 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明实施例提供一种用于二极管箝位混合三电平DAB变流器的鲁棒稳定控制方法及装置，属于DC‑DC高频隔离变换技术领域。所述方法包括：测量高频电感的电流iL、输入电压vin和输出电压vout；计算电压传输比M；确定输出电压误差跟踪σ；确定控制器输出u；确定移向控制量；以及根据所述移向控制量驱动全控开关器件S1～S6和全控开关器件Q1～Q4。其抑制了由于DAB变流器内部电力电子器件非线性特性引起的DAB变流器的电流振荡，解决了由于负荷突变、路由器端口功率扰动、器件参数变化影响等引起的DAB变流器不稳定问题，从而提高了能源路由器直流端口的安全稳定，显著提升了能源路由器稳定运行水平。

公开(公告)号：CN112187058A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010982573.4

申请日：2020-09-17

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 刘金虎 ,  韩永浩 ,  刘国静 ,  王连忠 ,  张相飞 ,  马宗超 ,  袁远东 ,  亓学庆 ,  李涛 ,  张孝杰 ,  王海军

IPC: H02M3/335 ,  H02M7/487 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明实施例提供一种用于二极管箝位混合三电平DAB变流器的鲁棒稳定控制方法及装置，属于DC‑DC高频隔离变换技术领域。所述方法包括：测量高频电感的电流iL、输入电压vin和输出电压vout；计算电压传输比M；确定输出电压误差跟踪σ；确定控制器输出u；确定移向控制量；以及根据所述移向控制量驱动全控开关器件S1～S6和全控开关器件Q1～Q4。其抑制了由于DAB变流器内部电力电子器件非线性特性引起的DAB变流器的电流振荡，解决了由于负荷突变、路由器端口功率扰动、器件参数变化影响等引起的DAB变流器不稳定问题，从而提高了能源路由器直流端口的安全稳定，显著提升了能源路由器稳定运行水平。

公开(公告)号：CN112234805B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202011025266.3

申请日：2020-09-25

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安交通大学 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 袁远东 ,  刘金虎 ,  邹其峰 ,  王晓飞 ,  刘型志

IPC: H02M1/08 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，包括驱动芯片和碳化硅MOS管，所述驱动芯片内部集成驱动电路，所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管；所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断。本发明在SiC MOS的源极串联一个硅MOS管，通过控制硅MOS管的导通和关断即可控制SiC MOS的导通和关断，电路结构简单，避免复杂电路结构对其它器件的影响。通过在SiC MOS的栅极加一个固定的钳位电压，在硅MOS管关断时实现栅极与源极的负压差，采用钳位源级驱动结构实现稳定的负压输出，保证SiC MOS导通和关断的稳定性，提高了系统的稳定性。

公开(公告)号：CN112234805A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011025266.3

申请日：2020-09-25

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安交通大学 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 袁远东 ,  刘金虎 ,  邹其峰 ,  王晓飞 ,  刘型志

IPC: H02M1/08 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路，包括驱动芯片和碳化硅MOS管，所述驱动芯片内部集成驱动电路，所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管；所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断。本发明在SiC MOS的源极串联一个硅MOS管，通过控制硅MOS管的导通和关断即可控制SiC MOS的导通和关断，电路结构简单，避免复杂电路结构对其它器件的影响。通过在SiC MOS的栅极加一个固定的钳位电压，在硅MOS管关断时实现栅极与源极的负压差，采用钳位源级驱动结构实现稳定的负压输出，保证SiC MOS导通和关断的稳定性，提高了系统的稳定性。

公开(公告)号：CN210110784U

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201921136458.4

申请日：2019-07-19

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 郭勇 ,  陆界江 ,  李翠 ,  刘金虎 ,  邹其峰 ,  袁远东

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开了一种高坚固性快恢复二极管，包括：有源区、终端区以及介质层。有源区包括：N-漂移区、N缓冲层、N+阴极区、阴极电极、P缓冲层、P+阳极区、阳极金属电极、内嵌P环及横向电阻区。N缓冲层位于N-漂移区的下方；N+阴极区位于N缓冲层的下方；阴极电极位于N+阴极区的下方；P缓冲层位于N-漂移区的上方；P+阳极区位于P缓冲层的内部；阳极金属电极位于P+阳极区的上方；内嵌P环位于P缓冲层的内部；及横向电阻区位于N-漂移区的上方。终端区包括接触式场环、浮空场环、截止环、场板及终端阴极P+区；以及介质层位于阳极金属电极的上下方特定位置。借此，本实用新型的高坚固性快恢复二极管，大大提高了坚固性。