用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法

    公开(公告)号:CN107564829A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710734193.7

    申请日:2017-08-24

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法,该方法包括如下步骤:S1,将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光,以露出TSV通孔和硅基板;S2,在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域,以隔离硅基板;S3,清理TSV通孔的表面;S4,在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt;S5,在SiO2薄膜上沉积测试板;S6,使用探针与测试板接触,从而将测试力施加在芯片上,以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作,便于探针的连接测试,同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题,从而显著提高了测试的效率和准确性。

    用于SIM卡芯片的无损测量方法

    公开(公告)号:CN107449379A

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201710692585.1

    申请日:2017-08-14

    IPC分类号: G01B17/02

    摘要: 本发明公开了一种用于SIM卡芯片的无损测量方法,SIM卡芯片置于SIM卡模块内部,该无损测量方法包括以下步骤:S1,将SIM卡模块放置在超声扫描显微镜的试验台上;S2,将超声扫描显微镜开启正面扫描模式,直接对SIM卡模块进行检测;S3,将超声扫描显微镜开启反射扫描模式生成超声波图像和波形曲线;S4,对波形曲线进行图形分析;S5,根据公式计算出SIM卡芯片的厚度值;S6,根据步骤S5中计算得到的SIM卡芯片的厚度值与规定的厚度值范围进行比对。本发明的SIM卡芯片测量方法为无损检测手段,不会破坏芯片,不影响后续使用,且简单易操作、准确度高、可以大大节省测量时间和成本,有利于大批量、快速的样品检测。

    用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法

    公开(公告)号:CN107564829B

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201710734193.7

    申请日:2017-08-24

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法,该方法包括如下步骤:S1,将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光,以露出TSV通孔和硅基板;S2,在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域,以隔离硅基板;S3,清理TSV通孔的表面;S4,在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt;S5,在SiO2薄膜上沉积测试板;S6,使用探针与测试板接触,从而将测试力施加在芯片上,以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作,便于探针的连接测试,同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题,从而显著提高了测试的效率和准确性。