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公开(公告)号：CN107564829B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710734193.7
申请日：2017-08-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN106055496B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610341887.X
申请日：2016-05-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F13/16
摘要： 本发明公开了一种EEPROM控制器的信号生成电路及控制方法，其中，该信号生成电路包括：锁存器、与门电路、计数器和比较器；锁存器的输入端用于输入控制信号，锁存器的使能端与系统时钟相连；锁存器的输出端与与门电路的第一输入端相连，与门电路的第二输入端与系统时钟相连；与门电路的输出端输出时钟采样信号；比较器的第一输入端用于输入第一计数值，第二输入端与计数器相连；比较器的输出端输出slave总线输出响应信号；计数器用于周期性从零计至第一计数值。该信号生成电路采用同步设计实现，直接通过系统时钟sys_clk门控电路得到时钟采样信号，节省了分频逻辑电路，同时可缩短读写所需要开销周期，提升EEPROM数据读写速度。
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公开(公告)号：CN107861047A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711058364.5
申请日：2017-11-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网新疆电力公司检修公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网辽宁省电力有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种安全测试模式的检测系统及检测方法，检测系统用以防止芯片的测试电路被废止后再次进入安全测试模式，安全测试模式的检测系统包含：时序逻辑控制模块、检测电路模块以及触发模块。触发模块用于根据通断状态，产生高电平或低电平的触发信号。时序逻辑控制模块根据低电平的触发信号，输出高电平的测试模式信号，从而使得芯片能够进入安全测试模式；或，时序逻辑控制模块根据高电平的触发信号，输出低电平的测试模式信号，从而使得检测电路模块输出自毁信号使芯片进行自毁操作。借此，本发明的安全测试模式的检测系统，多重保证提高了对芯片敏感信息的保护效力，符合绝大部分工艺实现需求，可广泛应用于各类安全芯片。
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公开(公告)号：CN106782671A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611179122.7
申请日：2016-12-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明实施例公开了一种安全芯片进入测试模式的方法和装置。涉及集成电路的信息安全技术领域，解决现有技术中安全芯片进入测试模式的方案安全性较低，可行性较差，因在划片槽内放置信号或部件所导致的安全芯片无法满足先进低节点工艺要求，安全芯片的性能下降的技术问题。其中，该方法包括：获取所述安全芯片的测试标志字；根据所述测试标志字和第一关键码确定进入测试模式进入阶段；在所述测试模式进入阶段中，将EFUSE存储阵列熔断为第二关键字码；根据所述EFUSE存储阵列的熔断值和所述第二关键字码确定是否进入所述安全芯片的测试模式。
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公开(公告)号：CN107861047B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201711058364.5
申请日：2017-11-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网新疆电力公司检修公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网辽宁省电力有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种安全测试模式的检测系统及检测方法，检测系统用以防止芯片的测试电路被废止后再次进入安全测试模式，安全测试模式的检测系统包含：时序逻辑控制模块、检测电路模块以及触发模块。触发模块用于根据通断状态，产生高电平或低电平的触发信号。时序逻辑控制模块根据低电平的触发信号，输出高电平的测试模式信号，从而使得芯片能够进入安全测试模式；或，时序逻辑控制模块根据高电平的触发信号，输出低电平的测试模式信号，从而使得检测电路模块输出自毁信号使芯片进行自毁操作。借此，本发明的安全测试模式的检测系统，多重保证提高了对芯片敏感信息的保护效力，符合绝大部分工艺实现需求，可广泛应用于各类安全芯片。
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公开(公告)号：CN107644003A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710905589.3
申请日：2017-09-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G06F15/78
摘要： 本发明涉及一种主控芯片的运算协处理模块，包括：模数转换电路、运算模块以及控制器；所述模数转换电路与传感器相连接，用于采集所述传感器的信号，将采集后的信号进行模数转换，并发送所述转换后的数据；所述运算模块分别与所述模数转换电路以及所述控制器相连接，所述运算模块用于在接收到的待运算的数据之后，对所述接收的待运算的数据进行预设的运算，并将运算后的数据发送给控制器；所述控制器用于将接收到的数据写入主控芯片的存储器中。本发明提供的主控芯片的运算协处理模块，可以极大提高运算效率并且节约成本。
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公开(公告)号：CN107564829A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710734193.7
申请日：2017-08-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN106055496A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610341887.X
申请日：2016-05-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F13/16
CPC分类号： G06F13/1668
摘要： 本发明公开了一种EEPROM控制器的信号生成电路及控制方法，其中，该信号生成电路包括：锁存器、与门电路、计数器和比较器；锁存器的输入端用于输入控制信号，锁存器的使能端与系统时钟相连；锁存器的输出端与门电路的第一输入端相连，与门电路的第二输入端与系统时钟相连；与门电路的输出端输出时钟采样信号；比较器的第一输入端用于输入第一计数值，第二输入端与计数器相连；比较器的输出端输出slave总线输出响应信号；计数器用于周期性从零计至第一计数值。该信号生成电路采用同步设计实现，直接通过系统时钟sys_clk门控电路得到时钟采样信号，节省了分频逻辑电路，同时可缩短读写所需要开销周期，提升EEPROM数据读写速度。
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公开(公告)号：CN106301761B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610647528.7
申请日：2016-08-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H04L9/06
摘要： 本发明涉及一种基于密码杂凑算法的压缩方法及装置，方法包括：获取各变量字的初值和预计算扩展字；对第一变量字、第二变量字、第三变量字的初值进行布尔函数处理；将预计算扩展字、第一变量字的初值、补偿结果以及布尔函数处理后的结果进行压缩加和处理，其中，补偿结果为进行预设位数移位后的常数与预设的补偿值的和；对压缩加和处理后的结果进行选择；对选择后的加和处理后结果进行置换运算，得到当前周期的第一变量字的压缩结果，可以缩短算法中的关键路径，降低关键路径时延，提高电路的吞吐率。
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公开(公告)号：CN107132472A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/307 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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