-
公开(公告)号:CN112350723A
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN202011290399.3
申请日:2020-11-17
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H03L7/099
摘要: 本发明实施例提供一种用于检测环路振荡器锁定的电路,属于集成电路设计领域。所述电路包括:电荷泵和电容,其中所述电荷泵包括串联在一起的充电模块和放电模块,所述充电模块受充电控制信号的控制而对所述电容进行充电,其中所述充电控制信号经由所述环路振荡器的至少两级反相器的输出的逻辑运算而形成;所述放电模块受放电控制信号的控制而对所述电容进行放电,其中所述放电控制信号经由所述环路振荡器的至少两级反相器的输出的逻辑运算而形成;将所述电容与所述电荷泵相连的一端的信号检测为锁定信号,在所述锁定信号为高电平的情况下,指示所述环路振荡器锁定。其能够实时精确的检测环路振荡器的状态。
-
公开(公告)号:CN112350723B
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202011290399.3
申请日:2020-11-17
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H03L7/099
摘要: 本发明实施例提供一种用于检测环路振荡器锁定的电路,属于集成电路设计领域。所述电路包括:电荷泵和电容,其中所述电荷泵包括串联在一起的充电模块和放电模块,所述充电模块受充电控制信号的控制而对所述电容进行充电,其中所述充电控制信号经由所述环路振荡器的至少两级反相器的输出的逻辑运算而形成;所述放电模块受放电控制信号的控制而对所述电容进行放电,其中所述放电控制信号经由所述环路振荡器的至少两级反相器的输出的逻辑运算而形成;将所述电容与所述电荷泵相连的一端的信号检测为锁定信号,在所述锁定信号为高电平的情况下,指示所述环路振荡器锁定。其能够实时精确的检测环路振荡器的状态。
-
公开(公告)号:CN111654271B
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN202010444130.X
申请日:2020-05-22
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H03K17/22
摘要: 本发明实施例提供一种上电复位电路及芯片,属于芯片领域。所述上电复位电路包括:包括电容模块、开关模块和波形整形模块,在电源电压上升阶段,所述开关模块用于在所述电源电压大于第一预设值的情况下接通,其中在所述开关模块未接通的情况下,所述第一电压处于上升状态,在所述开关模块接通的情况下,所述第一电压处于下降状态,所述波形整形模块,用于对所述第一电压进行整形并将整形后的电压作为复位信号输出。其在电源电压上电缓慢时芯片仍然能够正常复位,并且在电源快速掉电重启时,仍然能够正常产生二次复位信号。
-
公开(公告)号:CN112311395A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202011287801.2
申请日:2020-11-17
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H03M1/10
摘要: 本发明实施例提供一种电荷型SAR ADC的校准方法,属于芯片设计领域。所述电荷型SAR ADC包括:分段的DAC阵列、以及比较器,其中所述分段的DAC阵列包括MSB电容阵列和LSB电容阵列,所述MSB电容阵列和所述LSB电容阵列之间通过比例电容连接,所述方法包括:触发所述比较器执行一次信号采样和一次状态转换后,获取所述比较器的输出;以及根据所述比较器的输出来调整校准电容的大小以执行校准,其中所述校准电容与所述比例电容并列、或者所述校准电容并联于所述LSB电容阵列中。其能够实现电荷型SAR ADC的自动校准。
-
公开(公告)号:CN111654271A
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN202010444130.X
申请日:2020-05-22
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H03K17/22
摘要: 本发明实施例提供一种上电复位电路及芯片,属于芯片领域。所述上电复位电路包括:包括电容模块、开关模块和波形整形模块,在电源电压上升阶段,所述开关模块用于在所述电源电压大于第一预设值的情况下接通,其中在所述开关模块未接通的情况下,所述第一电压处于上升状态,在所述开关模块接通的情况下,所述第一电压处于下降状态,所述波形整形模块,用于对所述第一电压进行整形并将整形后的电压作为复位信号输出。其在电源电压上电缓慢时芯片仍然能够正常复位,并且在电源快速掉电重启时,仍然能够正常产生二次复位信号。
-
公开(公告)号:CN112311395B
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202011287801.2
申请日:2020-11-17
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H03M1/10
摘要: 本发明实施例提供一种电荷型SAR ADC的校准方法,属于芯片设计领域。所述电荷型SAR ADC包括:分段的DAC阵列、以及比较器,其中所述分段的DAC阵列包括MSB电容阵列和LSB电容阵列,所述MSB电容阵列和所述LSB电容阵列之间通过比例电容连接,所述方法包括:触发所述比较器执行一次信号采样和一次状态转换后,获取所述比较器的输出;以及根据所述比较器的输出来调整校准电容的大小以执行校准,其中所述校准电容与所述比例电容并列、或者所述校准电容并联于所述LSB电容阵列中。其能够实现电荷型SAR ADC的自动校准。
-
公开(公告)号:CN114327810A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202111401082.7
申请日:2021-11-19
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G06F9/48 , G06F11/30 , G06F15/163
摘要: 本发明实施例提供一种用于多核芯片的线程调度方法及装置,属于芯片技术领域。所述方法包括:针对线程调度队列中的待调度线程,在所述多核芯片中,查找能够处理所述待调度线程且当前温度低于对应的第一阈值温度的硬件部件;以及在未查找到所述硬件部件的情况下,延迟调度所述待调度线程,对所述线程调度队列中的下一待调度线程执行调度处理。在调度线程时,查找能够处理该线程且当前温度低于阈值温度的硬件部件。若查找不到所述硬件部件,则延迟调度所述线程。如此,能够避免多核芯片的各硬件部件超高负荷运行,提高多核芯片的使用寿命。
-
公开(公告)号:CN114301440A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111400431.3
申请日:2021-11-19
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H03K19/003
摘要: 本发明实施例提供一种隔离单元和芯片,属于集成电路技术领域。所述隔离单元包括:隔离保持单元,用于隔离掉电区域与带电区域之间的信号交互,其中所述掉电区域输出到所述带电区域的信号为待隔离信号;以及采样控制单元,用于在隔离指示信号指示所述掉电区域掉电隔离时,控制所述隔离保持单元隔离和锁存所述待隔离信号。发明实施例提供的隔离单元可以在满足芯片掉电隔离功能的情况下,增加隔离单元的数据保持功能。
-
公开(公告)号:CN110348157B
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN201910648799.8
申请日:2019-07-18
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G06F30/20 , G06F119/10
摘要: 本发明公开了一种动态比较器的噪声仿真方法及系统,该方法包括:将所述动态比较器的正输入端和负输入端之间连接失调电压源;将所述失调电压源的电压值设置为所述正输入端的电压与所述负输入端的电压差;对所述动态比较器进行多次仿真,统计所述动态比较器的正输出端输出0的次数从而得到所述正输出端输出0的概率值;根据高斯概率分布函数以及所述正输出端输出0的概率值求解出所述动态比较器的噪声能量值。该噪声仿真方法及系统能够对动态比较器的噪声进行仿真。
-
公开(公告)号:CN108446556B
公开(公告)日:2020-04-07
申请号:CN201810170549.3
申请日:2018-03-01
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司信息通信分公司
IPC分类号: G06F21/55
摘要: 本发明公开了一种密码芯片的抗功耗分析电路。其包括:电源模块和功耗补偿模块。电源模块用于对所述抗功耗分析电路的输入电压VCC进行稳压且对所述密码芯片的内部工作电路提供稳定电压。功耗补偿模块用于检测所述电源模块的功耗变化并且产生一路与电源模块功耗变化相反的电流,使得所述与电源模块功耗变化相反电流的电流值与所述电源模块的电流值相加的和是一个与所述内部电路工作状态无关的常数电流值。基于所述常数电流值抵抗功耗分析攻击。所述密码芯片的抗功耗分析电路的硬件实现简单且抗功耗分析攻击能力强,大大减少了成本,提高了密码芯片的安全性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-