公开(公告)号：CN116516461A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310339849.0

申请日：2018-11-22

Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司

Inventor： 韩永飞 ,  范凯 ,  王明军

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明公开了一种溴化铊半导体单晶的生长方法及设备，包括上炉膛，隔热板，下炉膛，底托，支撑杆和石英坩埚，通过特殊的骤变温场结构及籽晶坩埚的设计，实现了大尺寸、高质量的晶体毛坯的生长，直径可达到64mm，晶片的能谱测试结果Cs‑137放射源的能量分辨率为1.87％，Co‑57放射源的能量分辨率为4.62％。

公开(公告)号：CN109750348B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201811397346.4

申请日：2018-11-22

Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司

Inventor： 韩永飞 ,  范凯 ,  王明军

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明公开了一种辐射探测用溴化铊室温半导体单晶的生长方法及设备，包括上炉膛，隔热板，下炉膛，底托，支撑杆和石英坩埚，通过特殊的骤变温场结构及籽晶坩埚的设计，实现了大尺寸、高质量的晶体毛坯的生长，直径可达到64mm，晶片的能谱测试结果Cs‑137放射源的能量分辨率为1.87%，Co‑57放射源的能量分辨率为4.62%。

公开(公告)号：CN109750348A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811397346.4

申请日：2018-11-22

Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司

Inventor： 韩永飞 ,  范凯 ,  王明军

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明公开了一种辐射探测用溴化铊室温半导体单晶的生长方法及设备，包括上炉膛，隔热板，下炉膛，底托，支撑杆和石英坩埚，通过特殊的骤变温场结构及籽晶坩埚的设计，实现了大尺寸、高质量的晶体毛坯的生长，直径可达到64mm，晶片的能谱测试结果Cs-137放射源的能量分辨率为1.87%，Co-57放射源的能量分辨率为4.62%。