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公开(公告)号：CN116516461A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310339849.0
申请日：2018-11-22
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种溴化铊半导体单晶的生长方法及设备，包括上炉膛，隔热板，下炉膛，底托，支撑杆和石英坩埚，通过特殊的骤变温场结构及籽晶坩埚的设计，实现了大尺寸、高质量的晶体毛坯的生长，直径可达到64mm，晶片的能谱测试结果Cs‑137放射源的能量分辨率为1.87％，Co‑57放射源的能量分辨率为4.62％。
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公开(公告)号：CN104109901A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310131908.1
申请日：2013-04-17
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明涉及晶体生长设备领域，具体涉及利用坩埚下降法生长大尺寸晶体的水冷杆及使用该水冷杆的晶体生长炉。本发明提供的水冷杆包括上水冷段和下水冷段，所述上水冷段和所述下水冷段均设有进水口利出水口；本发明提供了一种包括上述水冷杆的晶体生长炉。本发明采用分段式水冷杆米调节温场，可有效地传导结晶潜热，保证温场的平衡。此外，本发明还提供了一种包括上述水冷杆的封闭式晶体生长炉，该晶体生长炉不但消除了挥发物对环境的污染，使得坩埚不需要密封，从而能够多次使用，而且在抽真空或充气的条件下能够有效地防止加热炉丝因氧化而损坏。
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公开(公告)号：CN115220084B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202210683091.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
IPC: G01T1/29
Abstract: 本申请公开了一种闪烁晶体阵列、探测器、医疗影像设备及制作方法，涉及辐射探测技术领域，解决现有技术中闪烁晶体阵列使用ESR反射层导致PET图像畸变的问题。该闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体单元，相邻两个所述闪烁晶体单元之间设有间隙，所述闪烁晶体阵列的部分间隙内设有第一反射层，部分间隙内设有第二反射层；其中，所述第一反射层为由薄膜状材料制成的反射层，所述第二反射层为由无确定形状的材料制成的反射层。本申请通过在闪烁晶体单元之间的间隙中混合填充两种反射层，能够在发挥薄膜类材料高反射效果的同时，有效避免闪烁晶体阵列漏光或串光的问题，提高光收集效率，防止PET图像畸变，改善探测器性能和PET成像质量。
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公开(公告)号：CN119061462A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411096508.6
申请日：2024-08-09
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种钙钛矿单晶及其制备方法和制备系统、高能射线探测器。制备方法包括：将按照钙钛矿化学式包含的基本元素和各基本元素之间的计量比预备的原料作为第一原料；根据各基本元素在钙钛矿中形成空位的概率，从基本元素中确定目标元素；目标元素在钙钛矿中形成空位的概率不小于其他元素在钙钛矿中形成空位的概率；将由目标元素组成的原料作为第二原料；以及基于第一原料和第二原料，制备钙钛矿单晶。本申请添加了由在钙钛矿中形成空位的概率较大的目标元素组成的第二原料，因此能够在钙钛矿单晶的生长过程中对对形成的空位进行补偿，能够有效降低或消除空位缺陷，因此能够获得高电阻率、低缺陷密度、大尺寸的钙钛矿单晶。
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公开(公告)号：CN109750348B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201811397346.4
申请日：2018-11-22
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种辐射探测用溴化铊室温半导体单晶的生长方法及设备，包括上炉膛，隔热板，下炉膛，底托，支撑杆和石英坩埚，通过特殊的骤变温场结构及籽晶坩埚的设计，实现了大尺寸、高质量的晶体毛坯的生长，直径可达到64mm，晶片的能谱测试结果Cs‑137放射源的能量分辨率为1.87%，Co‑57放射源的能量分辨率为4.62%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115220084A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210683091.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
IPC: G01T1/29
Abstract: 本申请公开了一种闪烁晶体阵列、探测器、医疗影像设备及制作方法，涉及辐射探测技术领域，解决现有技术中闪烁晶体阵列使用ESR反射层导致PET图像畸变的问题。该闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体单元，相邻两个所述闪烁晶体单元之间设有间隙，所述闪烁晶体阵列的部分间隙内设有第一反射层，部分间隙内设有第二反射层；其中，所述第一反射层为由薄膜状材料制成的反射层，所述第二反射层为由无确定形状的材料制成的反射层。本申请通过在闪烁晶体单元之间的间隙中混合填充两种反射层，能够在发挥薄膜类材料高反射效果的同时，有效避免闪烁晶体阵列漏光或串光的问题，提高光收集效率，防止PET图像畸变，改善探测器性能和PET成像质量。
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公开(公告)号：CN118727154A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410876359.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种碲化镉系列半导体晶体及其退火方法、及退火装置。该退火方法包括：基于含镉的氯化物和/或含铟的氯化物，制备熔融状态的退火剂；以及利用熔融状态的退火剂，对碲化镉系列半导体晶体进行退火。本申请采用含镉的氯化物和/或含铟的氯化物制备熔融状态的退火剂进行退火，能够在退火的同时，实现对碲化镉系列半导体晶体的Cd空位补偿和In元素掺杂，从而能够显著提升晶体质量均匀性、电阻率和载流子传输特性，且能够减少退火耗时，避免对晶体表面损伤、提高效率、降低耗能。
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公开(公告)号：CN116240620A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111487322.X
申请日：2021-12-08
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶体生长方法、设备及晶体，涉及晶体生长技术领域，解决现有技术中提拉法生长晶体过程中温度梯度变化导致晶体内部出现包裹物、云层、气泡等宏观缺陷的问题。该晶体生长方法包括：在使用提拉法生长晶体的过程中，控制感应线圈相对坩埚向下移动，并控制所述感应线圈相对所述坩埚向下移动的过程中，按照不同的速度移动。本申请的方案能够平稳地调整坩埚与感应线圈的相对位置，以调整坩埚内熔体液面上方的温度变化，使得晶体生长界面的温度梯度与初始状态可以保持一致，为晶体生长提供持续稳定的温场环境，避免在晶体生长过程中产生缺陷，极大地提高了毛坯的良品率和材料利用率，从而降低了相关产品的成本。
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公开(公告)号：CN110760307B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201911087927.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
IPC: C09K11/80
Abstract: 一种稀土掺杂石榴石结构闪烁体，该闪烁体的化学组成通式为REr(AaBb)3‑r(CcDd)5O12，其中，通式中0.0001
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公开(公告)号：CN109750348A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811397346.4
申请日：2018-11-22
Applicant: 北京滨松光子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种辐射探测用溴化铊室温半导体单晶的生长方法及设备，包括上炉膛，隔热板，下炉膛，底托，支撑杆和石英坩埚，通过特殊的骤变温场结构及籽晶坩埚的设计，实现了大尺寸、高质量的晶体毛坯的生长，直径可达到64mm，晶片的能谱测试结果Cs-137放射源的能量分辨率为1.87%，Co-57放射源的能量分辨率为4.62%。
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