一种卤化物闪烁晶体生长装置及生长方法

    公开(公告)号:CN116136027A

    公开(公告)日:2023-05-19

    申请号:CN202111350094.1

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 本申请公开了一种卤化物闪烁晶体生长装置及生长方法,涉及闪烁晶体生长技术领域。生长装置包括生长炉,生长炉由上炉膛和下炉膛组成,上炉膛和下炉膛之间连通,生长装置还包括生长炉支撑架、可移动的退火设备和升降装置,生长炉固定在生长炉支撑架上;退火设备包括退火炉腔,退火炉腔的腔体大于上炉膛的腔体,且退火设备移动到生长炉下方后,退火炉腔可与下炉膛连通;升降装置上可固定坩埚,并在退火炉腔与下炉膛连通后,带动坩埚在上炉膛、下炉膛和退火炉腔之间移动。本申请的方案解决了高温下移动晶体的难题,可有效减少晶体内部产生热应力开裂的现象,提高了晶体的完整性和冷加工性能,且提高了生产效率。

    一种卤化物闪烁晶体生长装置

    公开(公告)号:CN216514244U

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202122791971.0

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 本申请公开了一种卤化物闪烁晶体生长装置,涉及闪烁晶体生长技术领域。生长装置包括生长炉,生长炉由上炉膛和下炉膛组成,上炉膛和下炉膛之间连通,生长装置还包括生长炉支撑架、可移动的退火设备和升降装置,生长炉固定在生长炉支撑架上;退火设备包括退火炉腔,退火炉腔的腔体大于上炉膛的腔体,且退火设备移动到生长炉下方后,退火炉腔可与下炉膛连通;升降装置上可固定坩埚,并在退火炉腔与下炉膛连通后,带动坩埚在上炉膛、下炉膛和退火炉腔之间移动。本申请的方案解决了高温下移动晶体的难题,可有效减少晶体内部产生热应力开裂的现象,提高了晶体的完整性和冷加工性能,且提高了生产效率。

Patent Agency Ranking