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公开(公告)号：CN102646601B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210117282.4
申请日：2012-04-19
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L27/02 , H01L29/78
摘要： 本发明提供一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层上形成半导体器件；形成漏电流吸收区，所述漏电流吸收区位于所述半导体器件的漏区一侧，且不与所述漏区相接触。相应地，本发明还提供一种应用本方法制造的半导体结构。采用本发明的方法以及半导体结构可以有效减小厚外延器件中的漏电流，进而提高半导体器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN103871384B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310722990.5
申请日：2013-12-24
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： G09G3/36
摘要： 本发明属于液晶显像技术领域，公开了一种液晶材料交流驱动控制信号生成结构，用于由开关管M1、存储电容CS以及液晶电容CLC组成的液晶显示像素基本单元的控制信号生成；数据写入端Data通过开关管M1与所述存储电容CS的一端以及液晶电容CLC的一端相连；还包括：与非门；所述与非门的输入端分别与行扫描控制信号SCAN和极性控制信号相连；所述与非门的输出端与所述存储电容CS的另一端相连；所述液晶电容CLC的另一端与公共电极VCOM相连。本发明通过双输入与非门，对液晶显示像素基本单元的极性控制信号PC和行扫描控制信号SCAN进行逻辑运算，从而实现极性控制信号PC和行扫描控制信号SCAN的同步执行，避免延迟。
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公开(公告)号：CN102623507B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210103801.1
申请日：2012-04-10
申请人： 北京燕东微电子有限公司
摘要： 公开了一种栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，包括：在LDMOS功率器件的LDMOS栅的下方注入有体注入区；通过体引出并抽取所述体注入区附近载流子，控制所述体注入区附近电位。本发明提供的一种栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，通过栅变形或者STI隔离等手段，在LDMOS功率器件的栅下注入形成体接触区域并通过金属有效引出，抽取栅下体接触区附件载流子，控制栅下体接触区附件电位，抑制了因体电位升高而导致的漏电流升高，避免了由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。
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公开(公告)号：CN102623506B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201210103676.4
申请日：2012-04-10
申请人： 北京燕东微电子有限公司
摘要： 公开了一种高可靠SOI LDMOS功率器件，包括：在SOI LDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓度的埋层和接触注入区，且埋层与接触注入区连接；通过所述埋层可充分抽取SOI LDMOS功率器件中SOI LDMOS栅附近的载流子，并经所述接触注入区引出，控制SOI LDMOS栅附近的电位。本发明提供的高可靠SOI LDMOS功率器件，在SOI LDMOS的顶层硅中，制成高浓度的埋层并通过接触注入区引出，利用此埋层充分抽取SOI LDMOS器件SOI LDMOS栅附近的载流子，控制SOI LDMOS栅附近电位，避免由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，同时抬升了LDMOS器件在静电冲击下的维持电压，扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。
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公开(公告)号：CN102569294B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210048205.8
申请日：2012-02-28
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/822
摘要： 公开了一种提高静电保护器件维持电压的方法，包括：首先在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件；然后在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。本发明提供的一种提高静电保护器件维持电压的方法，在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件，在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入如二极管、二极管串、晶体管或MOS管等可抑制可控硅正反馈的半导体元件，抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。
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公开(公告)号：CN103078645B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210581319.9
申请日：2012-12-27
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H03M1/66
摘要： 本发明公开了一种宏单元，该宏单元包括一个二输入的或门和一个二输入的与门。应用该宏单元的二进制码到温度计码的译码方法逻辑深度小。同时，本发明公开了一种二进制码到温度计码的译码方法，该方法包括将n位数字信号划分为基数为2的二进制码；将得到的基数为2的二进制码输入到2-to-3译码单元；将二进制码译成温度计码；将得到的温度计码连续组合到该宏单元的阵列，得到n-to-2n-1的译码。该方法逻辑深度小、无需匹配延时路径。本发明还公开了一种二进制码到温度计码的译码电路，该电路是根据该译码方法由2-to-3译码单元连续组合到该宏单元的阵列构建而成的。该电路在版图布局时布局简单。
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