公开(公告)号：CN113113289A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110347486.6

申请日：2021-03-31

申请人： 北京理工大学

发明人： 姜澜 ,  储著元 ,  王素梅 ,  王猛猛 ,  张晋

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  B23K26/36 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及一种远/近场协同整形飞秒激光制备可控硅纳米线的方法，属于飞秒激光应用技术领域。本发明首先在 晶向的硅片表面电子束蒸镀金膜，然后通过滴涂法在镀金硅片表面自组装单层透明电介质微球掩膜，接着采用物镜将飞秒激光聚焦在单层紧密排列的微球掩膜区域，由于电介质微球对入射飞秒激光的米氏散射作用，在微球底部形成径向尺寸低于光学衍射极限的局域光场，利用该局域增强光场烧蚀金膜得到纳米孔阵列。通过改变入射激光能量、偏振类型、波长及脉冲能量的时域分布和空间分布对孔阵列的直径、形貌和分布同时进行调节。然后将已加工样品置于氢氟酸和过氧化氢刻蚀剂中进行金属辅助化学刻蚀，得到位置、直径、形貌和分布可控的硅纳米线阵列。