一种薄膜晶体管TFT及改善OLED显示残像的方法

    公开(公告)号:CN115763253A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211267786.4

    申请日:2022-10-17

    摘要: 本发明涉及一种薄膜晶体管TFT及改善OLED显示残像的方法,包括:确定薄膜晶体管TFT的基底为柔性基底;检测基底的水氧阻隔层与基底之间的接触处对TFT稳定性的影响,并优化水氧阻隔层与所述基底间的接触界面;检测所述TFT的栅绝缘层与有源层间的界面对TFT稳定性的影响,并优化栅绝缘层与有源层间的界面;验证优化后的TFT的稳定性,检测基底和水氧阻隔层电容的变化,优化TFT的制备工艺。本发明结合半导体制造技术,在有源驱动层面,从根本上检测由薄膜晶体管造成的TFT不稳定性,进而导致OLED残像现象的原因。本发明通过设置检测界面和膜层等对TFT稳定性的影响,并据此改善界面和膜层,达到缓解OLED显示残像的目的,进一步实现提升OLED显示器的性能和延长OLED显示寿命。

    一种氧化锌纳米棒阵列的制备方法及一种紫外探测器

    公开(公告)号:CN114105183A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111245335.6

    申请日:2021-10-26

    摘要: 本发明涉及一种氧化锌纳米棒阵列的制备方法及一种紫外探测器,属于氧化锌纳米棒制备技术领域。将制备有氧化锌薄膜种子层的衬底置于水热液中进行水热反应,反应温度为70℃~150℃,反应时间为0.5h~48h;反应结束后,清洗,干燥,在氧化锌薄膜种子层上得到氧化锌纳米棒阵列;所述水热液的制备为:将锌盐和碱性物质溶解于溶剂中,加入PEI水溶液,搅拌均匀,得到水热液。紫外探测器由所述方法制得的氧化锌纳米棒阵列和电极组成,所述电极设置在氧化锌纳米棒阵列之上。所述氧化锌纳米棒阵列的缺陷态少,且氧化锌纳米棒阵列的表面对羟基和羧基的吸附少;所述紫外探测器暗电流低,信噪比大,响应率高和响应速度快。