公开(公告)号：CN118621441A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202310246472.4

申请日：2023-03-10

申请人： 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

发明人： 刘忠范 ,  贾开诚 ,  韦明月 ,  竺叶澍 ,  邵家新 ,  王世伟 ,  王世勇 ,  冯文超 ,  徐晨宁

IPC分类号： C30B29/28 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

摘要： 本发明提供一种大尺寸无孪晶铜单晶晶圆的制备方法，通过采用高功率循环磁控溅射的方法，在蓝宝石单晶晶圆衬底上沉积的(111)取向的初始铜织构中引入一定量的多晶结构，从而实现大尺寸无孪晶Cu(111)单晶晶圆衬底的可控制备。对于以石墨烯为代表的二维纳米材料来说，无孪晶Cu(111)单晶晶圆是良好的外延衬底，可以实现二维纳米材料的取向一致成核与无缝拼接，最终得到大面积的单晶薄膜。本方法对于探究铜薄膜的单晶化机理，推动晶圆级二维纳米材料单晶的可控制备来说具有重要的意义。