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公开(公告)号:CN102664107A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201210177761.5
申请日:2012-05-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G9/058
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种纳米二氧化锰电极的制备方法,属于一步成型制备电极材料领域。具体步骤为:(1)使用丙酮、5%的盐酸对泡沫镍进行表面预处理。(2)以锰的可溶性盐为主盐,NaNO3为添加剂,室温下配制电沉积液,并使用氨水逐滴调节pH值至6.5~7.0。(3)以泡沫镍为基体,石墨板为对电极采用两电极体系恒流脉冲沉积制备二氧化锰电极(4)80℃干燥得到纳米线二氧化锰电极。所获得的纳米线二氧化锰用作超级电容器电极时CV曲线具有明显的氧化/还原峰;由于其具有较大的表面积,提高了二氧化锰活性物质的利用率,因此纳米线二氧化锰电极具有较高的比容和良好的超级电容特性。
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公开(公告)号:CN102664107B
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201210177761.5
申请日:2012-05-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G11/86
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种纳米二氧化锰电极的制备方法,属于一步成型制备电极材料领域。具体步骤为:(1)使用丙酮、5%的盐酸对泡沫镍进行表面预处理。(2)以锰的可溶性盐为主盐,NaNO3为添加剂,室温下配制电沉积液,并使用氨水逐滴调节pH值至6.5~7.0。(3)以泡沫镍为基体,石墨板为对电极采用两电极体系恒流脉冲沉积制备二氧化锰电极(4)80℃干燥得到纳米线二氧化锰电极。所获得的纳米线二氧化锰用作超级电容器电极时CV曲线具有明显的氧化/还原峰;由于其具有较大的表面积,提高了二氧化锰活性物质的利用率,因此纳米线二氧化锰电极具有较高的比容和良好的超级电容特性。
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