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公开(公告)号：CN108376704B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810116375.2
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/76 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/18
Abstract: 本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层，并在异质结上通过光刻技术生长电极；用离子刻蚀技术进行器件绝缘化；转移石墨烯至异质结表面作为基区，通过光刻技术形成基区电极；最后使用PEALD在石墨烯上生长GaN薄膜作为第二势垒层，并在表面形成金属集电区。本发明通过使用PEALD在石墨烯上沉积GaN作为第二势垒层，将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合，发挥两种材料体系的优势，有效提升了热电子晶体管的性能，缩小器件尺寸。该方法热预算低，对石墨烯造成的损伤小，有效避免了器件在生产过程中造成的损伤。
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公开(公告)号：CN102664107A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210177761.5
申请日：2012-05-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G9/058
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种纳米二氧化锰电极的制备方法，属于一步成型制备电极材料领域。具体步骤为：（1）使用丙酮、5%的盐酸对泡沫镍进行表面预处理。（2）以锰的可溶性盐为主盐，NaNO3为添加剂，室温下配制电沉积液，并使用氨水逐滴调节pH值至6.5~7.0。（3）以泡沫镍为基体，石墨板为对电极采用两电极体系恒流脉冲沉积制备二氧化锰电极（4）80℃干燥得到纳米线二氧化锰电极。所获得的纳米线二氧化锰用作超级电容器电极时CV曲线具有明显的氧化/还原峰；由于其具有较大的表面积，提高了二氧化锰活性物质的利用率，因此纳米线二氧化锰电极具有较高的比容和良好的超级电容特性。
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公开(公告)号：CN109742241A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910120549.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种以ALD沉积GaN作为电子传输层的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法；所述钙钛矿薄膜太阳能电池包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属对电极。本发明申请采用原子层沉积(ALD)技术在透明导电衬底上沉积氮化镓薄膜来替代目前常用的金属氧化物作为电子传输层。GaN薄膜具有与钙钛矿吸光层匹配的能带位置和较高的电子迁移率；同时GaN薄膜较低的沉积温度有望推进柔性钙钛矿薄膜太阳能电池的发展。
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公开(公告)号：CN109786480B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910027266.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法；所述太阳能电池包括：背电极、纳米阵列结构、附有纳米阵列结构和所述背电极的衬底、设置在所述纳米阵列结构表面的吸光层、填充在所述纳米阵列结构空隙中的填充层、上电极和设置在所述上电极一侧的抗反射涂层；所述背电极设置在所述衬底一面上，所述纳米阵列结构设置在所述衬底另一面；所述上电极设置在所述纳米阵列结构上方，所述抗反射涂层面向所述纳米阵列结构。该纳米阵列结构从阵列周期、直径、高度、纳米阵列顶部结构设计和填充物质等方面进行优化，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106531614A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610867091.8
申请日：2016-09-29
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/04 , C30B29/406 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及到半导体工艺和器件领域，具体指一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法。在蓝宝石衬底上MOCVD生长N-极性的GaN模板，在模板上制备进行极性变换的AlN，并对其进行图形制作，最后在该模板和AlN上使用进行GaN厚膜生长，有望满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109742241B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910120549.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种以ALD沉积GaN作为电子传输层的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法；所述钙钛矿薄膜太阳能电池包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属对电极。本发明申请采用原子层沉积(ALD)技术在透明导电衬底上沉积氮化镓薄膜来替代目前常用的金属氧化物作为电子传输层。GaN薄膜具有与钙钛矿吸光层匹配的能带位置和较高的电子迁移率；同时GaN薄膜较低的沉积温度有望推进柔性钙钛矿薄膜太阳能电池的发展。
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公开(公告)号：CN109786480A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910027266.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法；所述太阳能电池包括：背电极、纳米阵列结构、附有纳米阵列结构和所述背电极的衬底、设置在所述纳米阵列结构表面的吸光层、填充在所述纳米阵列结构空隙中的填充层、上电极和设置在所述上电极一侧的抗反射涂层；所述背电极设置在所述衬底一面上，所述纳米阵列结构设置在所述衬底另一面；所述上电极设置在所述纳米阵列结构上方，所述抗反射涂层面向所述纳米阵列结构。该纳米阵列结构从阵列周期、直径、高度、纳米阵列顶部支构面结构设计和填充物质等方面进行优化，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106847668A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710039125.9
申请日：2017-01-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/02178 , H01L21/02271 , H01L21/02318 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的Ga‑极性GaN作为模板，在模板上通过光刻工艺制作图案化的聚乙烯吡咯烷酮膜为掩膜层，在所述掩膜层上用PE‑ALD法选择性生长用于极性变换的Al2O3，PE‑ALD方法可使工艺温度低于掩膜层的熔点，保证掩膜层不变形的同时能制备均匀性好、厚度可精确控制的Al2O3薄膜，剥离掩膜层图案化Al2O3,并通过高温退火对Al2O3进行结晶化处理，最后在裸露的Ga‑极性GaN模板和图案化的Al2O3上使用氢化物气相外延方法进行厚膜GaN生长，有望满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。
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公开(公告)号：CN106505408B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610936664.8
申请日：2016-11-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法，属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀，形成P‑GaN有源区脊条，在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层；再沉积一层SiO2；然后剥离光刻胶，使全部被刻蚀露出的表面与SiO2层之间都镀上一层Al薄层；最后，重复以上标准光刻步骤进行N型区域开窗以及镀扩展电极等工艺操作。该方法可以有效修复因刻蚀引入的表面损伤和刻蚀之后表面附着的O元素对于电子和空穴复合的影响，氧化形成的氧化层还能保护P‑GaN部分，有效提高激光器性能与寿命。
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公开(公告)号：CN108376704A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810116375.2
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/76 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/18
CPC classification number: H01L29/7606 , H01L29/0684 , H01L29/267 , H01L29/66007
Abstract: 本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层，并在异质结上通过光刻技术生长电极；用离子刻蚀技术进行器件绝缘化；转移石墨烯至异质结表面作为基区，通过光刻技术形成基区电极；最后使用PEALD在石墨烯上生长GaN薄膜作为第二势垒层，并在表面形成金属集电区。本发明通过使用PEALD在石墨烯上沉积GaN作为第二势垒层，将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合，发挥两种材料体系的优势，有效提升了热电子晶体管的性能，缩小器件尺寸。该方法热预算低，对石墨烯造成的损伤小，有效避免了器件在生产过程中造成的损伤。
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