公开(公告)号：CN117651473A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311521568.3

申请日：2023-11-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘辉 ,  闫圣洁 ,  狄思昀 ,  杨明羽 ,  孙正 ,  陈骏

IPC: H10N30/853 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  H10N30/097 ,  H10N30/20

Abstract: 本发明涉及温度不敏感型压电陶瓷技术领域，特别是指一种温度不敏感型压电陶瓷及其制备方法和应用，其化学组成为0.32PbTiO3‑xBi0.5K0.5TiO3‑(0.68‑x)PbZrO3(0.13≤x≤0.17)。本发明所述压电陶瓷的具有较高的居里温度点及较小的介电损耗，压电性能在宽温区内能得以保持，这极大地提高了在实际应用过程中的使用范围。

公开(公告)号：CN117209269A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311039080.7

申请日：2023-08-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘辉 ,  狄思昀 ,  杨明羽 ,  闫圣洁 ,  孙正 ,  罗华杰 ,  陈骏

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种在高电场下具有优异储能性能的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷及其制备方法，属于电介质储能材料领域；其化学组成为(1‑x)Bi0.375Na0.375Ba0.25TiO3‑xNaNbO3，0.09≤x≤0.15。本发明提供的钛酸铋钠基储能陶瓷材料能在73kV/mm的高电场下表现出Wrec＝15.2J/cm3，η＝91％的优异储能性能，兼具良好的频率稳定性、温度稳定性和抗疲劳特性，在过阻尼充放电测试中其同样表现出超快的充放电速率。本发明有望在电动汽车、微电子等领域得到实用化的发展。