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公开(公告)号：CN115116495B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211038048.2
申请日：2022-08-29
申请人： 北京紫光青藤微系统有限公司
摘要： 本申请涉及数据存储技术领域，公开一种存储器。该存储器包括存储阵列、列线选择电路和行线选择电路，该存储器在读取当前存储单元时，通过列线选择电路选通当前存储单元对应的当前列线，通过行线选择电路选通当前存储单元对应的当前行选择线和当前行控制线，同时还提前选通了下一时刻读取的存储单元的下一行控制线。这样，在当前存储单元被读取的同时，选通了下一行控制线，当读取下一存储单元时，由于下一行控制线被提前选通，只需选通下一存储单元对应的行选择线即可实现下一存储单元的读取，节省了行控制线的建立和选通时间，有效提升了存储器的读取速度。
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公开(公告)号：CN114115755A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210103951.6
申请日：2022-01-28
申请人： 北京紫光青藤微系统有限公司
发明人： 刘家齐
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请涉及非易失性存储器技术领域，公开一种用于数据写入的方法，该方法包括：响应于用户发送的写状态寄存器指令，对状态寄存器的寄存器值进行更新；判断是否需要对单次可编程非易失状态位进行写入，获得第二判断结果；在第二判断结果为需要对单次可编程非易失状态位进行写入的情况下，对预设的第二存储区域进行编程操作，将单次可编程非易失状态位对应的寄存器值写入第二存储区域中。这样在出现异常掉电的情况下不会使得单次可编程非易失状态位对应的存储区域中的值被异常擦掉，从而能够提高状态寄存器的可靠性。本申请还公开一种用于数据写入的装置及存储介质。
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公开(公告)号：CN115116495A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202211038048.2
申请日：2022-08-29
申请人： 北京紫光青藤微系统有限公司
摘要： 本申请涉及数据存储技术领域，公开一种存储器。该存储器包括存储阵列、列线选择电路和行线选择电路，该存储器在读取当前存储单元时，通过列线选择电路选通当前存储单元对应的当前列线，通过行线选择电路选通当前存储单元对应的当前行选择线和当前行控制线，同时还提前选通了下一时刻读取的存储单元的下一行控制线。这样，在当前存储单元被读取的同时，选通了下一行控制线，当读取下一存储单元时，由于下一行控制线被提前选通，只需选通下一存储单元对应的行选择线即可实现下一存储单元的读取，节省了行控制线的建立和选通时间，有效提升了存储器的读取速度。
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公开(公告)号：CN114115754B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210103934.2
申请日：2022-01-28
申请人： 北京紫光青藤微系统有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请涉及数据加密技术领域，公开一种用于数据更新的方法，该方法包括：获取第一编程数据和存储阵列中的目标地址；获取第一编程数据的数据长度；在数据长度小于预设的长度阈值的情况下，根据目标地址获取备选数据；将第一编程数据与备选数据进行组合，获得第二编程数据，并对目标地址对应的数据进行数据擦除操作；将第二编程数据编程到目标地址中。这样，通过将第一编程数据与备选数据进行组合，使得组合后的第二编程数据的长度满足最小编程单元的长度要求，将第二编程数据编程到目标地址中，从而实现对任意数据长度的秘钥数据的更新。本申请还公开一种用于数据更新的装置及电子设备、存储介质。
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公开(公告)号：CN118151852A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410318623.7
申请日：2024-03-20
申请人： 北京紫光青藤微系统有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请涉及数据存储技术领域，公开一种用于非易失存储器写入数据的方法，包括：获取写入指令的指令属性；其中，写入指令的指令属性包括第一指令或第二指令；在写入指令的指令属性为第一指令的情况下，将待写入数据缓存至易失缓冲区；在写入指令的指令属性为第二指令的情况下，将易失缓冲区中的数据写入非易失存储区。本公开实施例中，在需要写入多条数据的情况下，可以先生成多条第一指令，将多条待写入数据缓存至易失缓冲区，在所有待写入数据缓存完成后，再生成第二指令，将易失缓冲区中的所有待写入数据写入非易失存储区，提高了非易失存储器的写入效率。本申请还公开一种电子设备。
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公开(公告)号：CN115130152B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211064981.7
申请日：2022-09-01
申请人： 北京紫光青藤微系统有限公司
发明人： 刘家齐
摘要： 本发明公开了一种物理不可克隆函数的生成方法及装置，所述方法应用于差分存储模块，所述差分存储模块中包括多个差分单元，每个所述差分单元中包括相匹配的第一差分存储器和第二差分存储器；所述方法包括：对各所述差分单元中的所述第一差分存储器和所述第二差分存储器进行擦除操作；利用所述差分单元对应的比较器，确定擦除操作后的所述第一差分存储器和所述第二差分存储器的比较数值；根据各所述差分单元对应的比较数值，确定PUF数据。本发明基于差分单元固有的物理结构生成PUF数据，因此无需引入任何额外的电路结构或者时序控制结构。
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公开(公告)号：CN114115754A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210103934.2
申请日：2022-01-28
申请人： 北京紫光青藤微系统有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请涉及数据加密技术领域，公开一种用于数据更新的方法，该方法包括：获取第一编程数据和存储阵列中的目标地址；获取第一编程数据的数据长度；在数据长度小于预设的长度阈值的情况下，根据目标地址获取备选数据；将第一编程数据与备选数据进行组合，获得第二编程数据，并对目标地址对应的数据进行数据擦除操作；将第二编程数据编程到目标地址中。这样，通过将第一编程数据与备选数据进行组合，使得组合后的第二编程数据的长度满足最小编程单元的长度要求，将第二编程数据编程到目标地址中，从而实现对任意数据长度的秘钥数据的更新。本申请还公开一种用于数据更新的装置及电子设备、存储介质。
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公开(公告)号：CN117785051A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311826373.X
申请日：2023-12-27
申请人： 北京紫光青藤微系统有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请涉及数据存储技术领域，公开一种用于读取数据的方法，包括：获取读取指令；其中，读取指令包括读取地址；在读取地址对应的内容存储在易失缓冲区的情况下，从易失缓冲区中读取相应的数据。本公开通过在读取地址对应的内容在易失缓冲区的情况下，读取易失缓冲区中读取地址对应的数据，从而不需要直接读取非易失存储区，减少了读取非易失存储区的次数，进而提高了Nor Flash读取速度。而且由于减少了读取非易失存储区的次数，进而减少了读取非易失存储阵列时引起的读串扰，因此，可以提升Nor Flash读取数据的性能。本申请还公开一种用于读取数据的装置、存储芯片、电子设备。
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公开(公告)号：CN115588454A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211482337.1
申请日：2022-11-24
申请人： 北京紫光青藤微系统有限公司
发明人： 刘家齐
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/10 , G06F12/0877
摘要： 本申请涉及数据存储技术领域，公开一种存储器的数据写入方法。该方法在将待写入数据写入到存储器之前，首先对待写入数据和存储器中的已有数据按比特位进行比较，只有对已有数据是1，待写入数据为0的情况，执行写入操作，而其他情况均不执行写入，避免了多次无效的写入，提高了存储器的使用率，有效延长存储器的使用寿命。本申请还公开一种存储器的数据写入装置、电子设备、存储介质。
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公开(公告)号：CN115130152A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202211064981.7
申请日：2022-09-01
申请人： 北京紫光青藤微系统有限公司
发明人： 刘家齐
摘要： 本发明公开了一种物理不可克隆函数的生成方法及装置，所述方法应用于差分存储模块，所述差分存储模块中包括多个差分单元，每个所述差分单元中包括相匹配的第一差分存储器和第二差分存储器；所述方法包括：对各所述差分单元中的所述第一差分存储器和所述第二差分存储器进行擦除操作；利用所述差分单元对应的比较器，确定擦除操作后的所述第一差分存储器和所述第二差分存储器的比较数值；根据各所述差分单元对应的比较数值，确定PUF数据。本发明基于差分单元固有的物理结构生成PUF数据，因此无需引入任何额外的电路结构或者时序控制结构。
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