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公开(公告)号:CN103715230B
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201310749017.2
申请日:2013-12-31
申请人: 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
摘要: 本发明公开了一种透明OLED器件,其包括多个像素,每个像素包括有机功能层,所述有机功能层两侧分别设有第一透明电极和第二透明电极,所述有机功能层的一侧还设有反射电极,所述反射电极的面积小于所述有机功能层的面积。本发明的透明OLED器件,通过设置反射电极,形成了微区顶发光器件与透明发光器件的结合,使得本发明可以对分别对透明OLED器件两侧发光的亮度进行调整,根据需要使两侧的亮度一致或不一致,可应用于透明的照明或显示领域。
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公开(公告)号:CN105810835B
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201410842266.0
申请日:2014-12-30
申请人: 北京维信诺科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种叠层OLED器件及其制备方法。该叠层OLED器件包括两个以上的发光单元,其特征在于,相邻的所述发光单元之间设有连接层,所述连接层由n型层/p型层/n型层构成。其制备方法包括将已制备的发光单元置于一个腔室,采用线源蒸镀,形成掺杂薄膜的n型层/p型层/n型层结构的所述连接层的步骤。本发明的叠层OLED器件连接层仅由n型层/p型层/n型层三层材料组成,当调节光程较大时,加厚p型层材料的厚度即可。本发明的连接层可以通过线源蒸镀置于一个蒸镀腔室形成掺杂或非掺杂形式的薄膜,在提高器件性能的同时,腔室数量不增加,降低设备成本。
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公开(公告)号:CN106206997A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201510210945.0
申请日:2015-04-29
申请人: 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
摘要: 本发明公开了一种有机电致发光器件,包括发光层,其特征在于,所述发光层的主体材料由第一主体材料和第二主体材料构成,所述第一主体材料和所述第二主体材料均为热活化延迟荧光材料,所述主体材料中掺杂荧光染料;其中,第一主体材料的禁带宽度与第二主体材料的禁带宽度之差大于0.2eV;第二主体材料的光致发光光谱与荧光染料的吸收光谱在高度归一化后,峰值对应的波长之差在50nm以内。本发明的有机电致发光器件发光层的单线态向荧光染料的能量传输更迅速,从而进一步促进能量从主体三线态向单线态的传输。从而获得高的量子效率,且随电流增加,效率下降趋势缓。
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公开(公告)号:CN102709489B
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201210175471.7
申请日:2012-05-31
申请人: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 北京维信诺科技有限公司
IPC分类号: H01L51/56
摘要: 本发明公开一种高折射率散射层的制备方法及高出光效率的OLED制备方法,包括如下步骤:S1、制备研磨分散液,包括:高折射率散射颗粒,其质量百分比为:10%-60%;分散剂,其质量占所述高折射率散射颗粒的1%-60%;防沉剂,其质量百分比为:0-5%;光刻胶,其质量百分比为:0-60%;有机溶剂,其质量百分比为:20%-89.9%;S2、采用过滤孔孔径在0.8μm-1.2μm的滤纸压滤所述步骤S1制备的研磨分散液,得到制膜溶液;S3、所述步骤S2制备的所述制膜溶液经光刻旋涂制备得到高折射率散射层。本发明中的高出光效率的OLED在基板与电极之间设置上述的高折射率散射层可大大提高OLED的出光效率。
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公开(公告)号:CN102683231B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201210175474.0
申请日:2012-05-31
申请人: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 北京维信诺科技有限公司
IPC分类号: H01L21/56
摘要: 本发明公开一种高折射率散射膜的制备方法,包括如下步骤:S1、制备研磨分散液,所述研磨分散液包括:高折射率散射颗粒,质量百分比:10%-60%;分散剂质量占所述高折射率散射颗粒的1%-60%;防沉剂,质量百分比:0-5%;光刻胶,质量百分比:0-60%;有机溶剂,质量百分比为:20%-89.9%;S2、采用过滤孔孔径在0.8um-1.2um的滤纸压滤所述步骤S1制备的研磨分散液,得到制膜溶液;S3、所述步骤S2制备的所述制膜溶液经光刻旋涂于基底上;S4、所述步骤S3中的基底在60-80℃下烘烤30分钟,制备得到散射膜。上述高折射率散射膜将基底去掉即可贴在OLED器件外层,提高OLED器件的出光效率。
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公开(公告)号:CN104716268A
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201310692266.2
申请日:2013-12-17
申请人: 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
CPC分类号: H01L51/0067 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1088 , H01L51/0051 , H01L51/0054 , H01L51/0056 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0065 , H01L51/0068 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/56 , H01L2051/0063 , H01L2251/55 , H01L51/5004
摘要: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件的发光层的主体材料为CT激发态的三线态能级高于n-π激发态的三线态能级,并且相差为0~0.3eV之间的材料;或者,发光层的主体材料为CT激发态的三线态能级高于n-π激发态的三线态能级,其差值为1.0eV以上的材料,并且,所述主体材料的n-π激发态的第二三线态能级和CT激发态的第一单线态能级的差值为-0.1~0.1eV;发光染料为荧光染料。本发明的有机电致发光器件由于利用了新的发光层主体材料,能够充分利用发光层中产生的三线态,实现荧光器件中100%的发光效率,并且无需使用贵金属,降低了成本。
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公开(公告)号:CN104134753A
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201410310172.9
申请日:2011-12-31
申请人: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
CPC分类号: H01L51/5004 , H01L51/5044 , H01L51/5056 , H01L51/508
摘要: 一种叠层有机电致发光器件,包括基板及依次形成在基板上的阳极层、若干个发光单元层和阴极层;在相邻发光单元层之间具有连接层,连接层具有至少四层结构,包括至少三层电子传输层和一层空穴传输层,电子传输层与空穴传输层的厚度分别为1-100nm,电子传输层与空穴传输层相接触的面为电荷分离界面;形成电荷分离界面的电子传输层采用LUMO能级高于5.0eV的有机材料或采用导带能级为5.5-6.5eV的无机材料;形成电荷分离界面的空穴传输层采用HOMO能级不高于5.7eV的有机材料。本发明通过在电荷分离界面与发光单元层之间设置合适的中间能级层,降低跃迁势垒,降低叠层器件的驱动电压,从而获得较高电流效率。
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公开(公告)号:CN103715359A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310494293.9
申请日:2013-10-21
申请人: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
CPC分类号: H01L51/5012 , H01L51/5262 , H01L51/56
摘要: 本发明公开了一种OLED器件及其制作方法。该OLED器件包括基板、第一电极、有机功能层和第二电极,所述有机功能层中设有栅格,所述栅格将所述有机功能层的至少一部分分隔成多个区域;所述第二电极外侧还设有封装层。本发明通过栅格将有机功能层的至少一部分分隔成多个区域,使得光线在有机功能层内传输时,由于栅格的作用改变了这些光线的路径,从而使更多光线可以从OLED器件中输出,提高了光耦合效率。同时,栅格结构使得第二电极不再是平面结构,从而消除了表面等离子模式,进一步提高了光输出。另外,在栅格将整个有机功能层分隔成多个区域时,栅格还能阻止水氧的横向渗透,防止OLED器件缺陷区域的扩大。
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公开(公告)号:CN103633109A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201210312591.7
申请日:2012-08-29
申请人: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
摘要: 本发明提供一种具有高光取出率的有机电致发光显示器件及其制备方法,该有机电致发光器件包括透明基板、第一透明电极、有机功能层、第二电极,以及在每个像素单元区域内的透明基板和第一透明电极间对应每个像素单元的区域设置的散射层。所述散射层只分布于像素单元对应区域,散射层之外为折射率相对较低的第一透明电极层,当光束从发光像素到达散射层之后,由于散射层的不连续性,抑制了高折射率的散射层到低折射率的第一透明电极间的光束横向扩散,保证了图像的对比度,同时提高了有机电致发光显示器件的光取出率。
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公开(公告)号:CN102208431B
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201110062513.1
申请日:2011-03-07
申请人: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法,其包括基板,于基板上形成的阳极层,于阳极层上形成的有机功能层,于有机功能层上形成的阴极层,所述有机功能层与阴极层之间还包括含有第Ⅰ主族元素的阴极修饰层。所述阴极修饰层是由真空蒸镀条件下直接分解为第Ⅰ主族元素的化合物制成。本发明在发光层后制备一层阴极修饰层,增加该层提高了阴极界面电子注入能力,使得器件性能得到显著提高;同时,制备过程中,该材料工艺可行性好,进一步提高了器件在工艺制备过程中的良率。
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