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公开(公告)号：CN109065498B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810778947.3
申请日：2018-07-16
申请人： 北京航天控制仪器研究所
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
摘要： 一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，涉及先进封装技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、将第一玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(二)、获得低阻硅柱；去除低阻硅晶圆下表面的介质层掩膜；步骤(三)、对第二玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(四)、将第一玻璃片和第二玻璃片减厚；步骤(五)、制备复合金属层并进行图形化刻蚀；步骤(六)、制备电学互连引线窗口和焊点接触窗口；步骤(七)、制备第一布线层和第二布线层；步骤(八)、制备电镀工艺获得微凸点；本发明具有高强度和低应力的特性，实现了多尺寸芯片三维封装及2.5D/3D微系统集成。
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公开(公告)号：CN108083226B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201711268166.1
申请日：2017-12-05
申请人： 北京航天控制仪器研究所
摘要： 一种MEMS器件圆片级真空封装方法，步骤如下：(1)根据MEMS器件待引出的电极数量在低阻硅晶圆上刻蚀绝缘子的拓扑结构，单个拓扑结构中间的低阻硅用于MEMS器件的电学信号引出，记为低阻硅柱；(2)将上述拓扑结构氧化得到氧化硅结构，并填充拓扑结构之间的孔隙，得到无孔洞绝缘子结构；(3)在低阻硅晶圆上的低阻硅柱键合面形成焊点接触电极，并在低阻硅晶圆上与MEMS器件外围对应的位置形成真空封装焊料环；(4)将步骤(3)处理后的低阻硅晶圆与MEMS器件进行键合，实现MEMS器件的锚点与焊点接触电极的电学连接，并实现MEMS器件的真空封装；(5)低阻硅柱的非键合面形成压焊电极；(6)通过光刻、刻蚀工艺实现低阻硅柱的电学隔离。
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公开(公告)号：CN109065498A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810778947.3
申请日：2018-07-16
申请人： 北京航天控制仪器研究所
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
摘要： 一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，涉及先进封装技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、将第一玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(二)、获得低阻硅柱；去除低阻硅晶圆下表面的介质层掩膜；步骤(三)、对第二玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(四)、将第一玻璃片和第二玻璃片减厚；步骤(五)、制备复合金属层并进行图形化刻蚀；步骤(六)、制备电学互连引线窗口和焊点接触窗口；步骤(七)、制备第一布线层和第二布线层；步骤(八)、制备电镀工艺获得微凸点；本发明具有高强度和低应力的特性，实现了多尺寸芯片三维封装及2.5D/3D微系统集成。
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公开(公告)号：CN108083226A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711268166.1
申请日：2017-12-05
申请人： 北京航天控制仪器研究所
摘要： 一种MEMS器件圆片级真空封装方法，步骤如下：(1)根据MEMS器件待引出的电极数量在低阻硅晶圆上刻蚀绝缘子的拓扑结构，单个拓扑结构中间的低阻硅用于MEMS器件的电学信号引出，记为低阻硅柱；(2)将上述拓扑结构氧化得到氧化硅结构，并填充拓扑结构之间的孔隙，得到无孔洞绝缘子结构；(3)在低阻硅晶圆上的低阻硅柱键合面形成焊点接触电极，并在低阻硅晶圆上与MEMS器件外围对应的位置形成真空封装焊料环；(4)将步骤(3)处理后的低阻硅晶圆与MEMS器件进行键合，实现MEMS器件的锚点与焊点接触电极的电学连接，并实现MEMS器件的真空封装；(5)低阻硅柱的非键合面形成压焊电极；(6)通过光刻、刻蚀工艺实现低阻硅柱的电学隔离。
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