一种控制固液界面生长大尺寸FeGa磁致伸缩单晶的方法

    公开(公告)号:CN109868508B

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201811619697.5

    申请日:2018-12-28

    IPC分类号: C30B29/52 C30B11/00

    摘要: 本发明提供了一种控制固液界面生长大尺寸FeGa磁致伸缩单晶的方法,包括如下步骤:1)按目标成分进行配料;2)用真空非自耗电弧熔炼炉冶炼母合金;3)利用磁悬浮感应熔炼炉熔化母合金铸锭,并浇注成母合金棒;4)将母合金棒和FeGa单晶籽晶置于双层坩埚中,将双层坩埚放入定向凝固设备中,加热使母合金棒完全熔融并且FeGa单晶籽晶上部熔融,将熔融的材料沿着FeGa单晶籽晶下部抽拉到冷却液中进行定向凝固,制得大尺寸FeGa磁致伸缩材料。该方法工艺设备简单,操作方便,制备的FeGa单晶饱和磁场仅为500Oe,磁致伸缩系数高达300~320ppm,综合使用性好,应用前景广阔。

    一种控制固液界面生长大尺寸FeGa磁致伸缩单晶的方法

    公开(公告)号:CN109868508A

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201811619697.5

    申请日:2018-12-28

    IPC分类号: C30B29/52 C30B11/00

    摘要: 本发明提供了一种控制固液界面生长大尺寸FeGa磁致伸缩单晶的方法,包括如下步骤:1)按目标成分进行配料;2)用真空非自耗电弧熔炼炉冶炼母合金;3)利用磁悬浮感应熔炼炉熔化母合金铸锭,并浇注成母合金棒;4)将母合金棒和FeGa单晶籽晶置于双层坩埚中,将双层坩埚放入定向凝固设备中,加热使母合金棒完全熔融并且FeGa单晶籽晶上部熔融,将熔融的材料沿着FeGa单晶籽晶下部抽拉到冷却液中进行定向凝固,制得大尺寸FeGa磁致伸缩材料。该方法工艺设备简单,操作方便,制备的FeGa单晶饱和磁场仅为500Oe,磁致伸缩系数高达300~320ppm,综合使用性好,应用前景广阔。

    晶界组织重构制备高性能钐钴磁体的方法

    公开(公告)号:CN113744987B

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202110984046.1

    申请日:2021-08-25

    IPC分类号: H01F41/02 H01F1/055

    摘要: 本发明涉及一种晶界组织重构制备高性能钐钴磁体的方法。所述晶界组织重构是指添加第二相晶界合金,补充主合金晶界相中贫乏元素,使得晶界变得更加连续、光滑且均质化,晶界处组成接近晶内,晶界附近形成完整胞状结构,晶界内部形成近似晶内的胞状结构。所述第二相晶界合金分子式为Sm(FebalCoaCub)c,其中,a=0~1,b=0~1,c=0~5,bal=1‑a‑b;主合金成分为Sm(CobalFeuCuvZrw)z,其中,u=0.25~0.5,v=0.03~0.1,w=0.01~0.04,z=7~8,bal=1‑u‑v‑w。磁体采用传统粉末冶金技术制备,以所述第二相晶界合金粉与所述主合金粉混合物的总质量计,第二相晶界合金粉添加比例为0~10wt.%。与不添加第二相晶界合金的钐钴磁体相比,磁体晶界相结构更加均一,晶界相内部形成了类似晶内的胞状结构,实现了磁体剩磁、矫顽力、方形度和磁能积的同步提高。

    负磁致伸缩控制继电器件

    公开(公告)号:CN110752119B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201911036062.7

    申请日:2019-10-29

    IPC分类号: H01H55/00

    摘要: 本发明涉及一种负磁致伸缩控制继电器件,属于电工器件领域。本发明包括一负磁致伸缩材料、一永磁材料、第一固定铁轭、第二固定铁轭、一衔铁、两弹簧、两触点。本发明利用负磁致伸缩材料受压磁导率变化的原理,通过改变永磁材料‑负磁致伸缩材料回路中的磁通量,改变永磁材料‑衔铁回路中的磁通量,进而改变衔铁受到的磁力使其与触点接触,实现接通电路的功能。该器件与传统电磁继电器相比,具有无电力供应控制电路通断且可保持闭合的特性。