一种基于二端子阻抗测量模式的四端子电阻抗层析成像方法

    公开(公告)号:CN103018284B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201210544370.2

    申请日:2012-12-14

    IPC分类号: G01N27/02 A61B5/053

    摘要: 本发明公开了一种基于二端子阻抗测量模式的四端子电阻抗层析成像方法,属于电学无损检测技术领域。所述方法包括如下步骤:建立电阻抗层析成像传感器的有限元模型,计算相邻激励、相对激励或者对角线激励模式下的四端子灵敏度矩阵;继电器双T型多通道切换模块选通传感器的电极,进行二端子阻抗测量;将二端子阻抗值转换成相应激励模式下的四端子阻抗值;求解敏感场内电导率差异分布,并进行图像重建。本发明适用于非侵入式电阻抗层析成像技术,尤其适用于四端子阻抗测量方式不满足应用需求或者不具备四端子阻抗测量仪器的情形。本发明可有效提高所重建图像的对比度和分辨率,加快成像速度。

    一种基于遗传算法的多环电极阵列传感器结构优化方法

    公开(公告)号:CN103015981B

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201210544383.X

    申请日:2012-12-14

    IPC分类号: E21B47/047 G06N3/12

    摘要: 一种基于遗传算法的多环电极阵列传感器结构优化方法,属于检测技术领域。该方法首先将多环电极阵列传感器旋转至两个位置之一:1号电极位置最低或者外环编号最小和最大的两个电极对称且位置最低,分别计算电极相邻高度值之差;接着根据电学探针法探测油水分界面高度的最大误差计算方法,构造出寻优的目标函数,并确定寻优参数的约束条件;接着编写遗传算法求解程序,对最大进化代数、种群规模、交配概率、变异概率、搜索精度进行合理设定;最后得到使得目标函数最小的最优参数值,对传感器进行结构优化。本发明是对多环电极阵列传感器的简单有效的结构优化,当利用多环电极阵列传感器采用电学探针法探测油水分界面高度时,可以提高测量精度。

    一种基于二端子阻抗测量模式的四端子电阻抗层析成像方法

    公开(公告)号:CN103018284A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210544370.2

    申请日:2012-12-14

    IPC分类号: G01N27/02 A61B5/053

    摘要: 本发明公开了一种基于二端子阻抗测量模式的四端子电阻抗层析成像方法,属于电学无损检测技术领域。所述方法包括如下步骤:建立电阻抗层析成像传感器的有限元模型,计算相邻激励、相对激励或者对角线激励模式下的四端子灵敏度矩阵;继电器双T型多通道切换模块选通传感器的电极,进行二端子阻抗测量;将二端子阻抗值转换成相应激励模式下的四端子阻抗值;求解敏感场内电导率差异分布,并进行图像重建。本发明适用于非侵入式电阻抗层析成像技术,尤其适用于四端子阻抗测量方式不满足应用需求或者不具备四端子阻抗测量仪器的情形。本发明可有效提高所重建图像的对比度和分辨率,加快成像速度。

    一种基于遗传算法的多环电极阵列传感器结构优化方法

    公开(公告)号:CN103015981A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210544383.X

    申请日:2012-12-14

    IPC分类号: E21B47/047 G06N3/12

    摘要: 一种基于遗传算法的多环电极阵列传感器结构优化方法,属于检测技术领域。该方法首先将多环电极阵列传感器旋转至两个位置之一:1号电极位置最低或者外环编号最小和最大的两个电极对称且位置最低,分别计算电极相邻高度值之差;接着根据电学探针法探测油水分界面高度的最大误差计算方法,构造出寻优的目标函数,并确定寻优参数的约束条件;接着编写遗传算法求解程序,对最大进化代数、种群规模、交配概率、变异概率、搜索精度进行合理设定;最后得到使得目标函数最小的最优参数值,对传感器进行结构优化。本发明是对多环电极阵列传感器的简单有效的结构优化,当利用多环电极阵列传感器采用电学探针法探测油水分界面高度时,可以提高测量精度。