一种用于电学层析成像系统的递推解调方法

    公开(公告)号:CN102565541B

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201210016831.9

    申请日:2012-01-18

    IPC分类号: G01R27/26 G01R27/04

    摘要: 本发明涉及一种用于电学层析成像系统的递推解调方法,其特征在于:其包括下列步骤:(1)根据系统的激励频率f和采样频率fs建立初始方程和递推方程;(2)以激励信号零相位时刻为起始时刻,根据测量信号在紧邻起始时刻之后的2个采样点数据按照步骤(1)中的初始方程计算出数据矩阵B和状态矩阵P的初始值;(3)将其初始值及新增采样点数据代入步骤(1)中的递推方程,以更新B和P;(4)判断解调结果是否满足系统精度要求,若不满足则返回步骤(3),若满足则结束解调,并输出测量信号的幅值和相位数据。上述递推解调方法最少只需两个采样点数据,且增加采样点数可提高解调精度和抗噪声能力。

    一种基于二端子阻抗测量模式的四端子电阻抗层析成像方法

    公开(公告)号:CN103018284A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210544370.2

    申请日:2012-12-14

    IPC分类号: G01N27/02 A61B5/053

    摘要: 本发明公开了一种基于二端子阻抗测量模式的四端子电阻抗层析成像方法,属于电学无损检测技术领域。所述方法包括如下步骤:建立电阻抗层析成像传感器的有限元模型,计算相邻激励、相对激励或者对角线激励模式下的四端子灵敏度矩阵;继电器双T型多通道切换模块选通传感器的电极,进行二端子阻抗测量;将二端子阻抗值转换成相应激励模式下的四端子阻抗值;求解敏感场内电导率差异分布,并进行图像重建。本发明适用于非侵入式电阻抗层析成像技术,尤其适用于四端子阻抗测量方式不满足应用需求或者不具备四端子阻抗测量仪器的情形。本发明可有效提高所重建图像的对比度和分辨率,加快成像速度。

    一种用于电学层析成像系统的多频递推解调方法

    公开(公告)号:CN102570984A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210016461.9

    申请日:2012-01-18

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明涉及一种用于电学层析成像系统的多频递推解调方法,其特征在于:其包括下列步骤:(1)根据激励信号的m个分量频率和系统采样频率建立初始方程和递推方程;(2)以激励信号零相位时刻为起始时刻,根据测量信号在紧邻起始时刻之后的2m个采样点数据按照步骤(1)中的初始方程计算出数据矩阵B和状态矩阵P的初始值;(3)将其初始值及新增采样点数据代入步骤(1)中的递推方程,以更新B和P;(4)判断解调结果是否满足系统精度要求,若不满足则返回步骤(3),若满足则结束解调,并输出测量信号的m个频率分量的幅值和相位数据。上述递推解调方法最少只需2m个采样点数据,且增加采样点数可提高解调精度和抗噪声能力。

    一种多环电极阵列成像传感器

    公开(公告)号:CN101793852A

    公开(公告)日:2010-08-04

    申请号:CN201010110504.0

    申请日:2010-02-09

    IPC分类号: G01N27/04 G01N27/22

    摘要: 本发明公开了一种多环电极阵列成像传感器。该传感器介入两相流体内部,与测量管道内壁无接触,主要功能是对电导率相差较大的多相流体流道截面进行电学成像,并测量各相的组分含量。其结构包括有测量电极、支撑臂和支撑轴,测量电极排布于支撑臂上和支撑轴上,并且分布在与支撑轴中心同心的不同圆周上,呈辐射状;测量电极分别引线,相互独立,与支撑臂和支撑轴绝缘,待测流体的流动通道是支撑轴和管壁之间的环形通道。该结构突破层析成像“非侵入”的传统模式,可有效减小制约层析成像的“软场”效应的影响,且可采用多模态的测量方式,确定多相流体各相组分在整个管道或管道横截面上的局部分布信息,测量精度高,可靠性好。

    一种用于电学层析成像系统的多频递推解调方法

    公开(公告)号:CN102570984B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201210016461.9

    申请日:2012-01-18

    IPC分类号: H03D7/16

    摘要: 本发明涉及一种用于电学层析成像系统的多频递推解调方法,其特征在于:其包括下列步骤:(1)根据激励信号的m个分量频率和系统采样频率建立初始方程和递推方程;(2)以激励信号零相位时刻为起始时刻,根据测量信号在紧邻起始时刻之后的2m个采样点数据按照步骤(1)中的初始方程计算出数据矩阵B和状态矩阵P的初始值;(3)将其初始值及新增采样点数据代入步骤(1)中的递推方程,以更新B和P;(4)判断解调结果是否满足系统精度要求,若不满足则返回步骤(3),若满足则结束解调,并输出测量信号的m个频率分量的幅值和相位数据。上述递推解调方法最少只需2m个采样点数据,且增加采样点数可提高解调精度和抗噪声能力。

    一种多环电极阵列成像传感器

    公开(公告)号:CN101793852B

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201010110504.0

    申请日:2010-02-09

    IPC分类号: G01N27/04 G01N27/22

    摘要: 本发明公开了一种多环电极阵列成像传感器。该传感器介入两相流体内部,与测量管道内壁无接触,主要功能是对电导率相差较大的多相流体流道截面进行电学成像,并测量各相的组分含量。其结构包括有测量电极、支撑臂和支撑轴,测量电极排布于支撑臂上和支撑轴上,并且分布在与支撑轴中心同心的不同圆周上,呈辐射状;测量电极分别引线,相互独立,与支撑臂和支撑轴绝缘,待测流体的流动通道是支撑轴和管壁之间的环形通道。该结构突破层析成像“非侵入”的传统模式,可有效减小制约层析成像的“软场”效应的影响,且可采用多模态的测量方式,确定多相流体各相组分在整个管道或管道横截面上的局部分布信息,测量精度高,可靠性好。

    一种用于电学层析成像系统的递推解调方法

    公开(公告)号:CN102565541A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210016831.9

    申请日:2012-01-18

    IPC分类号: G01R27/26 G01R27/04

    摘要: 本发明涉及一种用于电学层析成像系统的递推解调方法,其特征在于:其包括下列步骤:(1)根据系统的激励频率f和采样频率fs建立初始方程和递推方程;(2)以激励信号零相位时刻为起始时刻,根据测量信号在紧邻起始时刻之后的2个采样点数据按照步骤(1)中的初始方程计算出数据矩阵B和状态矩阵P的初始值;(3)将其初始值及新增采样点数据代入步骤(1)中的递推方程,以更新B和P;(4)判断解调结果是否满足系统精度要求,若不满足则返回步骤(3),若满足则结束解调,并输出测量信号的幅值和相位数据。上述递推解调方法最少只需2个采样点数据,且增加采样点数可提高解调精度和抗噪声能力。

    一种多通道电阻抗式植物含水率监测系统

    公开(公告)号:CN101666768A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910093917.X

    申请日:2009-10-10

    摘要: 本发明涉及一种多通道电阻抗式植物含水率监测系统,包括硬件电路,测量探头及PC机部分;其特征在于,硬件电路包括USB供电模块,数据传输与控制模块,阻抗测量模块;USB供电模块与PC机连接后给硬件电路供电,数据传输与控制模块实现通道选通开关控制和数据传输,阻抗测量模块采用直接频率合成芯片产生频率可调的正弦波作为激励源,经运算放大器和反馈电阻构成的自平衡电桥电路,通过模拟乘法和低通滤波,最终经模数转换、数据处理后获得阻抗值;测量探头采用单芯屏蔽线及片状电极;PC机部分为控制程序界面,实现对硬件电路的控制以及测量数据的处理与显示;本发明可多通道同时测量,且具有非侵入、长时间连续监测等优点。

    一种基于二端子阻抗测量模式的四端子电阻抗层析成像方法

    公开(公告)号:CN103018284B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201210544370.2

    申请日:2012-12-14

    IPC分类号: G01N27/02 A61B5/053

    摘要: 本发明公开了一种基于二端子阻抗测量模式的四端子电阻抗层析成像方法,属于电学无损检测技术领域。所述方法包括如下步骤:建立电阻抗层析成像传感器的有限元模型,计算相邻激励、相对激励或者对角线激励模式下的四端子灵敏度矩阵;继电器双T型多通道切换模块选通传感器的电极,进行二端子阻抗测量;将二端子阻抗值转换成相应激励模式下的四端子阻抗值;求解敏感场内电导率差异分布,并进行图像重建。本发明适用于非侵入式电阻抗层析成像技术,尤其适用于四端子阻抗测量方式不满足应用需求或者不具备四端子阻抗测量仪器的情形。本发明可有效提高所重建图像的对比度和分辨率,加快成像速度。