保持叶片气膜冷却孔通畅的镀覆方法

    公开(公告)号:CN114107916B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202210088536.8

    申请日:2022-01-26

    IPC分类号: C23C14/32 C23C14/04

    摘要: 本发明公开了一种保持叶片气膜冷却孔通畅的镀覆方法,包括;根据叶片形状以及与等离子射流的相对位置关系对气膜冷却孔进行分类,包括位于叶片片身位置的第一气膜冷却孔、位于叶片进气边的第二气膜冷却孔和位于叶片排气边的第三气膜冷却孔;采用等离子物理气相沉积方法对叶片进行热障涂层镀覆,镀覆时对第一气膜冷却孔采用堵塞冷气通道或充合理参数的加热气体的方法,并对叶片的进气边一侧和排气边一侧分别设有物理遮挡装置;采用本发明沉积的叶片,气膜冷却孔镀覆涂层后保持通畅,缩孔率在15%以内,方法简单,适合批量工业化生产。

    保持叶片气膜冷却孔通畅的镀覆方法

    公开(公告)号:CN114107916A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202210088536.8

    申请日:2022-01-26

    IPC分类号: C23C14/32 C23C14/04

    摘要: 本发明公开了一种保持叶片气膜冷却孔通畅的镀覆方法,包括;根据叶片形状以及与等离子射流的相对位置关系对气膜冷却孔进行分类,包括位于叶片片身位置的第一气膜冷却孔、位于叶片进气边的第二气膜冷却孔和位于叶片排气边的第三气膜冷却孔;采用等离子物理气相沉积方法对叶片进行热障涂层镀覆,镀覆时对第一气膜冷却孔采用堵塞冷气通道或充合理参数的加热气体的方法,并对叶片的进气边一侧和排气边一侧分别设有物理遮挡装置;采用本发明沉积的叶片,气膜冷却孔镀覆涂层后保持通畅,缩孔率在15%以内,方法简单,适合批量工业化生产。

    一种Ti2AlC粉体材料及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116924803A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202210706195.6

    申请日:2022-06-21

    IPC分类号: C04B35/56 C04B35/626

    摘要: 本发明公开一种Ti2AlC粉体材料及其制备方法,包括以下步骤:按照TiH2:TiAl:C=1:(1.0~1.5):1的摩尔比称取原料,将上述粉末混合均匀,并真空干燥得到混合原料;将混合原料放入液压机中预压成圆柱状胚体,后放入冷等静压机中压制形成圆柱状胚体;将压制后的胚体置于管式炉中无压烧结,经冷却后即可制得Ti2AlC块体材料,将烧结获得的Ti2AlC块体机加工去除含杂质的表面,然后用破碎机进行破碎,破碎后的块体进行细磨获得微米尺度的Ti2AlC粉体材料。本发明制备得到的Ti2AlC粉体纯度达90wt%以上,可满足用于作为表面工程的材料、增强相材料、高温陶瓷材料、新型二元层状材料前驱体等。

    一种五元MAX相陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116947494A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202210412736.4

    申请日:2022-04-19

    IPC分类号: C04B35/56 C04B35/645

    摘要: 本发明公开了一种五元MAX相陶瓷材料及其制备方法,所述五元MAX相材料的分子式为(ZrCrTi)AlC2,其由包括Zr粉、Cr粉、Ti粉、Al粉和C粉混合粉末的原料先进行球磨,制备混合均匀的纳米结构混合粉末;将混合好的粉末放入钢模中进行压制成陶瓷素胚,成型后在真空热压烧结炉中进行真空热压烧结制备得到。本发明制备得到的(ZrCrTi)AlC2陶瓷材料突破了传统MAX相元素种类的四元限制,并与M(Zr、Cr、Ti)元素相互掺杂的i‑MAX不同,其单元素原子自成一层,因而具有较高的硬度、韧性和强度,并具有良好的可加工性,同时提高了五元MAX相陶瓷材料的导电性。