公开(公告)号：CN116613237A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310648207.9

申请日：2023-06-02

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王博 ,  任显松 ,  张世凤 ,  刘巧莉 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/101 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请提供一种宽光谱硅单光子探测器及其制备方法，宽光谱硅单光子探测器包括硅衬底和位于硅衬底上的至少一个硅单光子探测单元，硅单光子探测单元包括第一欧姆接触电极、光吸收层、雪崩放大层和第二欧姆接触电极；雪崩放大层具有相对的第一表面和第二表面，第一欧姆接触电极和光吸收层位于第一表面一侧，第二欧姆接触电极位于第二表面一侧；光吸收层用于吸收不同波长的光子并且产生光生载流子；第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极用于与外电路电连接，以在雪崩放大层上施加强电场；雪崩放大层用于在强电场的作用下将光生载流子进行雪崩放大。本申请提供的宽光谱硅单光子探测器的工作波长较宽，且可以超过硅材料本身的工作波长。

公开(公告)号：CN115295647B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211219235.0

申请日：2022-10-08

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 郭霞 ,  张世凤 ,  任显松 ,  王博 ,  刘巧莉 ,  胡安琪

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法，局域电场诱导的硅光电探测器包括：吸收层、第一欧姆电极层和第二欧姆电极层，第一欧姆电极层、吸收层和第二欧姆电极层依次层叠设置，吸收层的朝向第一欧姆电极层的一侧设有多个间隔设置的调制掺杂区，调制掺杂区被配置为诱导吸收层的光生载流子动量并收集载流子，以提高光电探测效率。本发明的局域电场诱导的硅光电探测器的光电转换效率高。

公开(公告)号：CN115295647A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202211219235.0

申请日：2022-10-08

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 郭霞 ,  张世凤 ,  任显松 ,  王博 ,  刘巧莉 ,  胡安琪

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法，局域电场诱导的硅光电探测器包括：吸收层、第一欧姆电极层和第二欧姆电极层，第一欧姆电极层、吸收层和第二欧姆电极层依次层叠设置，吸收层的朝向第一欧姆电极层的一侧设有多个间隔设置的调制掺杂区，调制掺杂区被配置为诱导吸收层的光生载流子动量并收集载流子，以提高光电探测效率。本发明的局域电场诱导的硅光电探测器的光电转换效率高。