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公开(公告)号：CN117849571A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410263817.1
申请日：2024-03-08
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种硅光电倍增管测试系统，涉及硅光电倍增管测试技术领域。该系统包括：待测硅光电倍增管；温度控制模块，包括TEC制冷片、温度传感器和温度控制单元，TEC制冷片与待测硅光电倍增管贴接，温度控制模块分别与TEC制冷片和温度传感器电性连接；放大取样模块，与待测硅光电倍增管电性连接，用于对待测硅光电倍增管输出的目标输出信号进行放大取样处理，得到放大取样信号；信号分析模块，与放大取样模块电性连接，用于在接收到放大取样信号后，对放大取样信号进行转换处理，得到检测信息，对检测信息进行可视化处理，并展示可视化处理后的可视化波形，本申请的系统，提高了硅光电倍增管测试系统的检测效果。
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公开(公告)号：CN114551629B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210441131.8
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种紫外‑可见光波段可分辨光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测技术领域，紫外‑可见光波段可分辨光电探测器包括：衬底、光吸收复合层和光收集复合层，光收集复合层与光吸收复合层依次层叠设置在衬底上，光收集复合层用于收集光吸收复合层产生的载流子，以形成光电流；光吸收复合层包括依次层叠设置正极性光吸收层与负极性光吸收层，正极性光吸收层用于吸收可见光，产生的光电流方向为正，负极性光吸收层用于吸收紫外光，产生的光电流方向为负。本申请的紫外‑可见光波段可分辨光电探测器能实现紫外光和可见光的波段可分辨，结构简单、使用方便，在保密光通信等方向具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN118276618A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410694059.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 本申请提供一种温度控制装置以及温度控制系统。该装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，误差放大器模块用于对温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据电压信号、以及对目标芯片的温度要求，确定误差信号；PID控制器模块用于对接收到的误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；电流监控模块用于调节TEC制冷片中的电流的大小和方向。本申请通过对目标芯片的瞬态温度调控，从而稳定控制目标芯片的温度，降低了温度对目标芯片工作性能和稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN116913938A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311139281.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种低噪声高密度集成光电探测阵列芯片及其制备方法，低噪声高密度集成光电探测阵列芯片包括：基体，包括在厚度方向上相对设置的第一表面和第二表面，具有由第一表面向第二表面延伸的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构将基体分隔为阵列排布的多个像元；其中，浅沟槽隔离结构包括隔离层及包裹隔离层的界面态钝化层；增透层，形成在基体的第一表面，具有多个通孔，各通孔位于各像元内；第一欧姆接触电极，形成在各通孔内，并与基体的第一表面接触；第二欧姆接触电极，形成在基体的第二表面。本申请的低噪声高密度集成光电探测阵列芯片，可以解决器件后脉冲高、噪声大的问题，提升器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN116885029A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311132320.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种高效率PIN光电探测器及其制备方法，高效率PIN光电探测器包括：衬底，包括光吸收层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层的至少部分结构位于光吸收层内，第二欧姆接触层形成于光吸收层的第二表面，并与第一欧姆接触层间隔开，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂类型相反；增透层，形成于衬底的第一表面；界面态钝化层，由衬底和增透层形成的界面态沿水平方向的至少部分结构掺杂形成，界面态钝化层与第二欧姆接触层的掺杂类型相同；第一欧姆接触电极，与第一欧姆接触层连接，并与增透层同层布置；第二欧姆接触电极，与第二欧姆接触层连接。根据本发明的高效率PIN光电探测器，可以提高器件的量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115084307A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210989618.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京邮电大学 , 无锡中微晶园电子有限公司 , 北京中盾安民分析技术有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法，抗辐照加固单光子探测器包括衬底、钝化层、雪崩层、补偿层、第一欧姆接触复合层和第二欧姆接触复合层；第二欧姆接触复合层、衬底和钝化层依次层叠设置，第一欧姆接触复合层包括第一接触电极和第一欧姆接触层，雪崩层和第一欧姆接触层均位于衬底内，雪崩层与第一欧姆接触层朝向第二欧姆接触复合层的一面连接；第一接触电极与钝化层同层设置，且第一接触电极与第一欧姆接触层连接；补偿层位于衬底内，补偿层背离第二欧姆接触复合层的一面与钝化层接触，补偿层用于预补偿辐照损伤在衬底中感应的电荷。本发明的抗辐照加固单光子探测器结构简单、抗辐照损伤效果明显。
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公开(公告)号：CN116885029B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311132320.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种高效率PIN光电探测器及其制备方法，高效率PIN光电探测器包括：衬底，包括光吸收层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层的至少部分结构位于光吸收层内，第二欧姆接触层形成于光吸收层的第二表面，并与第一欧姆接触层间隔开，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂类型相反；增透层，形成于衬底的第一表面；界面态钝化层，由衬底和增透层形成的界面态沿水平方向的至少部分结构掺杂形成，界面态钝化层与第二欧姆接触层的掺杂类型相同；第一欧姆接触电极，与第一欧姆接触层连接，并与增透层同层布置；第二欧姆接触电极，与第二欧姆接触层连接。根据本发明的高效率PIN光电探测器，可以提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN116598369A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310875967.3
申请日：2023-07-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种低噪声单光子探测器及其制备方法，包括：衬底；钝化层，形成于衬底的第一表面；第一电荷层，形成于衬底内；第二电荷层，形成于衬底内且位于第一电荷层的背向钝化层的一侧，第二电荷层与第一电荷层接触，第一电荷层与第二电荷层的掺杂类型不同，第一电荷层和第二电荷层中的至少一个构造为适于束缚光生电荷，第一电荷层与第二电荷层中的至少一个的特征尺寸小于500nm；第一接触电极，第一接触电极与第一电荷层连接；第二接触电极，第二接触电极与衬底连接。根据本发明的低噪声单光子探测器，基于量子限制斯塔克效应，在光子入射前处于线性模式，在光子入射后触发雪崩效应，可以降低雪崩背景噪声，提高器件探测效率。
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公开(公告)号：CN115295647B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211219235.0
申请日：2022-10-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法，局域电场诱导的硅光电探测器包括：吸收层、第一欧姆电极层和第二欧姆电极层，第一欧姆电极层、吸收层和第二欧姆电极层依次层叠设置，吸收层的朝向第一欧姆电极层的一侧设有多个间隔设置的调制掺杂区，调制掺杂区被配置为诱导吸收层的光生载流子动量并收集载流子，以提高光电探测效率。本发明的局域电场诱导的硅光电探测器的光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN115295647A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211219235.0
申请日：2022-10-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法，局域电场诱导的硅光电探测器包括：吸收层、第一欧姆电极层和第二欧姆电极层，第一欧姆电极层、吸收层和第二欧姆电极层依次层叠设置，吸收层的朝向第一欧姆电极层的一侧设有多个间隔设置的调制掺杂区，调制掺杂区被配置为诱导吸收层的光生载流子动量并收集载流子，以提高光电探测效率。本发明的局域电场诱导的硅光电探测器的光电转换效率高。
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