公开(公告)号：CN118311826A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410439238.8

申请日：2024-04-12

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 杨一粟 ,  覃悦雨 ,  韩鸿博 ,  童彬彬 ,  冯丹妮 ,  尚玉峰 ,  段晓峰 ,  刘凯 ,  黄永清 ,  任晓敏

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明提供一种在PDMS柔性材料上制备微纳光栅图形的纳米压印方法，涉及集成光学和硅基光子学技术领域，该方法包括：对硅衬底进行预处理；采用电子束曝光工艺，在所述预处理后的硅衬底上加工出硬质微纳光栅图形，形成硅基纳米压印模板；利用所述硅基纳米压印模板和预设配比的PDMS硅胶混合液，制备PDMS柔性器件；所述PDMS柔性器件的表面印有与所述硬质光栅图形互补的微纳光栅图形。通过电子束曝光和PDMS硅胶制备工艺的结合，使得PDMS柔性器件上制备出特征尺寸达到百纳米量级，加工精度提升，同时这种转印技术有利于大规模量产。