一种基于二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结与离子介质层的光电突触器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115763592A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211111996.4

    申请日:2022-09-13

    Abstract: 本发明公开基于二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结与离子介质层结合的光电突触器件及制备方法。该光电类突触器件包括:衬底,源极,漏极,栅极,沟道层,栅介质层。所述源极与所述漏极均设置在所述衬底上;所述沟道层由二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结构成,设置在所述源极与所述漏极上;所述栅介质层内存在可移动离子,覆盖在所述沟道层上,确保所述栅极与所述沟道层之间的连接;所述栅极与所述栅介质接触,且远离所述源极、所述漏极和所述沟道层。本发明利用二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结对于光的高响应幅度、宽响应带宽以及超快响应速度,结合栅介质层离子迁移产生的双电层效应,实现器件在电信号或光信号的刺激下均可产生突触电流,进一步的,实现光、电协同刺激的多种突触行为。

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