公开(公告)号：CN115763592A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211111996.4

申请日：2022-09-13

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 何晓颖 ,  曹博文 ,  饶岚 ,  张琦 ,  忻向军

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/101 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开基于二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结与离子介质层结合的光电突触器件及制备方法。该光电类突触器件包括：衬底，源极，漏极，栅极，沟道层，栅介质层。所述源极与所述漏极均设置在所述衬底上；所述沟道层由二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结构成，设置在所述源极与所述漏极上；所述栅介质层内存在可移动离子，覆盖在所述沟道层上，确保所述栅极与所述沟道层之间的连接；所述栅极与所述栅介质接触，且远离所述源极、所述漏极和所述沟道层。本发明利用二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结对于光的高响应幅度、宽响应带宽以及超快响应速度，结合栅介质层离子迁移产生的双电层效应，实现器件在电信号或光信号的刺激下均可产生突触电流，进一步的，实现光、电协同刺激的多种突触行为。