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公开(公告)号：CN112736643A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110003808.5
申请日：2021-01-04
申请人： 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法，包括：有源层，包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层；中分布反射镜层，位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧；中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层；欧姆接触层，位于中分布反射镜层远离有源层的一侧；上分布反射镜层，位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧，包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层；下分布反射镜层，位于有源层远离欧姆接触层的一侧，包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层；非线性晶体层，位于上分布反射镜层远离欧姆接触层的一侧。
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公开(公告)号：CN109192799B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811025273.6
申请日：2018-09-04
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明实施例提供了一种石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器及其制备方法。其中，所述石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器包括：铜衬底、氧化亚铜层、石墨烯层以及欧姆接触电极；所述氧化亚铜层处于所述铜衬底和所述石墨烯层之间；所述欧姆接触电极设置于所述石墨烯层表面。本发明实施例提供的石墨烯‑氧化亚铜量子点光电探测器选用以铜作为石墨烯的衬底，将氧化亚铜层作为光吸收面，实现了光电信号的转换，并且石墨烯层、氧化亚铜层以及铜衬底均具有良好的柔性以及电学性质，与现有的集成电路工艺兼容性较好，同时有适用于可能发生较大形变电子设备的潜力，如柔性可穿戴电子设备。
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公开(公告)号：CN113054048A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110277300.4
申请日：2021-03-15
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0336 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开了一种蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管，该雪崩光电二极管包括硅吸收层，所述硅吸收层两侧为P+高掺杂层，硅吸收层下面依次为场控层、倍增层非耗尽层，硅吸收层上面为二维类材料，二维类材料与硅吸收层组成的异质结共同成为雪崩光电二极管的吸收层。二维材料具有超大的比表面积，良好的面内热电导率，超高的载流子迁移率，以及相对较小的杨氏模量，提高了高频光电探测器的响应度；吸收层位于器件的表层，形成倒装结构，避免了离子注入产生的缺陷吸收，从而使入射的蓝绿光波段能够被充分有效的吸收；产生的电场为垂直电场，提高器件的量子效率，减小了漏电流。
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公开(公告)号：CN111766710A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010572254.6
申请日：2020-06-22
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明实施例提供了一种基于光纤端面角锥的贝塞尔光束形成方法，所述方法包括：将光纤的一端浸入腐蚀液中进行至少两次腐蚀操作，得到具有光纤端面角锥的光纤，所述光纤的一端为去除涂覆层的裸纤，将光束由所述光纤的另一端输入，经所述光纤端面角锥输出，形成贝塞尔光束，其中：每次腐蚀操作中所述腐蚀液的温度保持不变，且不同腐蚀操作中所述腐蚀液的温度不同，所述腐蚀液的温度为25℃-100℃；在每次腐蚀操作后，将所述光纤的一端用去离子水清洗；将清洗后的所述光纤的一端在惰性气体中干燥。采用本发明实施例，可以提高光纤端面角锥的加工效率。
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公开(公告)号：CN109586146B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910023024.1
申请日：2019-01-10
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明实施例提供了一种太赫兹波发生器。该发生器包括衬底、N‑型DBR反射镜、至少两个激光发射组件、钝化层、N‑型电极、P‑型电极、光栅层和非线性晶体；激光发射组件用于发射激光；N‑型DBR反射镜沉积于衬底的任一端面上；每一激光发射组件沉积于每一凸起结构上；钝化层覆盖沉积在激光发射组件和N‑型DBR反射镜表面上，且钝化层的第一部位处设有开口；非线性晶体相对开口、固定置于与开口相距预设距离的位置；N‑型电极贯穿钝化层与N‑型DBR反射镜电连接；P‑型电极环绕开口、贯穿钝化层与激光发射组件电连接；且各个激光发射组件之间的连接方式为串联连接或并联连接。应用本发明实施例提供的发生器具有高的集成度。
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公开(公告)号：CN118943231A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310537848.7
申请日：2023-05-12
申请人： 北京邮电大学
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0312 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 发明名称一种基于六角氮化硼二维薄膜的4H‑SiC肖特基辐射探测器及其制备方法摘要本发明提供一种基于六角氮化硼薄膜的4H‑SiC肖特基辐射探测器，可通过六角氮化硼薄膜优化接触界面，进而提高载流子分离输运，提高探测器的器件性能。该射探测器衬底层为碳化硅，在所述衬底层的上表面依次覆盖碳化硅缓冲层、碳化硅灵敏层、六角氮化硼薄膜层、和碳化硅肖特基接触上电极，在所述衬底的下表面形成n型碳化硅欧姆接触下电极。其中的六角氮化硼薄膜作为二维材料，相较于其他体材料能提供均匀、低褶皱的表面，可减小表面界面电荷，优化碳化硅与石墨烯以及金属的接触界面，形成优异的肖特基接触结，进而提高载流子分离输运，提高探测器的器件性能。而且六角氮化硼耐高温、耐辐射等特性，使得器件整体在高温高辐射条件下仍保持良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN113381293B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110453120.7
申请日：2021-04-26
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本公开实施例提供了一种贝塞尔光束发射器及贝塞尔光束发射器的制作方法，该贝塞尔光束发射器包括：有源层，有源层包括用于产生光束的发光子层；上分布反射镜层，上分布反射镜层位于有源层的一侧，上分布反射镜层包括偶数数量个第一折射率子层；下分布反射镜层，下分布反射镜层位于有源层的另一侧，下分布反射镜层包括偶数数量个第二折射率子层，第一折射率子层的数量小于第二折射率子层的数量；欧姆接触层，欧姆接触层位于上分布反射镜层的远离有源层的一侧，欧姆接触层用于连接电极；光束转换层，光束转换层位于欧姆接触层远离上分布反射镜层的一侧，有源层产生的光束能够进入光束转换层，光束转换层能够对光束进行转换得到贝塞尔光束。
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公开(公告)号：CN113285346A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110531795.9
申请日：2021-05-14
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种基于拓扑光子的半导体涡旋光激光器。本发明属于光电子器件领域。该激光器由上往下依次为：p电极层、p型欧姆接触层、二维光子拓扑结构层、折射率引导层、有源层、n型欧姆接触层和n电极层。其中，二维光子拓扑结构是由具有光子自旋‑轨道耦合效应光子晶体阵列构成，光子晶体由电压层和磁压层交替堆叠而成，通过上述二维光子拓扑结构对有源区内的光场相互作用，从而产生涡旋激光光束。本发明通过二维拓扑光子学结构来改变激光输出的自旋特性，有效地实现了高集成的涡旋激光输出。
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公开(公告)号：CN110989216B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911401292.9
申请日：2019-12-30
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种新型石墨烯光调制器结构设计。本发明属于集成光子与硅基光子学领域。新型石墨烯光调制器结构包括衬底层，人工超材料波导层，双层石墨烯层，超薄光波导层，低折射率盖层和电极。其中人工超材料波导层由高折射率材料和低折射率材料交替构成；双层石墨烯层由两层石墨烯和电介质填充层构成。本发明将人工超材料结构作为光波导结构的一部分，可以有效地调节光场的分布，增强石墨烯与光的相互作用，从而提高调制的深度和调制效率，同时通过控制倏逝波来减小器件间干扰提高器件的集成密度。该器件具有工作带宽大，调制速率高及结构紧凑等优点，对构建大带宽、高密度集成、高速的片上系统提供了一种有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN110989216A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911401292.9
申请日：2019-12-30
申请人： 北京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种新型石墨烯光调制器结构设计。本发明属于集成光子与硅基光子学领域。新型石墨烯光调制器结构包括衬底层，人工超材料波导层，双层石墨烯层，超薄光波导层，低折射率盖层和电极。其中人工超材料波导层由高折射率材料和低折射率材料交替构成；双层石墨烯层由两层石墨烯和电介质填充层构成。本发明将人工超材料结构作为光波导结构的一部分，可以有效地调节光场的分布，增强石墨烯与光的相互作用，从而提高调制的深度和调制效率，同时通过控制倏逝波来减小器件间干扰提高器件的集成密度。该器件具有工作带宽大，调制速率高及结构紧凑等优点，对构建大带宽、高密度集成、高速的片上系统提供了一种有效的解决方案。
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