公开(公告)号：CN118943231A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202310537848.7

申请日：2023-05-12

申请人： 北京邮电大学

发明人： 何晓颖 ,  曹鹏程 ,  饶岚 ,  忻向军

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

摘要： 发明名称一种基于六角氮化硼二维薄膜的4H‑SiC肖特基辐射探测器及其制备方法摘要本发明提供一种基于六角氮化硼薄膜的4H‑SiC肖特基辐射探测器，可通过六角氮化硼薄膜优化接触界面，进而提高载流子分离输运，提高探测器的器件性能。该射探测器衬底层为碳化硅，在所述衬底层的上表面依次覆盖碳化硅缓冲层、碳化硅灵敏层、六角氮化硼薄膜层、和碳化硅肖特基接触上电极，在所述衬底的下表面形成n型碳化硅欧姆接触下电极。其中的六角氮化硼薄膜作为二维材料，相较于其他体材料能提供均匀、低褶皱的表面，可减小表面界面电荷，优化碳化硅与石墨烯以及金属的接触界面，形成优异的肖特基接触结，进而提高载流子分离输运，提高探测器的器件性能。而且六角氮化硼耐高温、耐辐射等特性，使得器件整体在高温高辐射条件下仍保持良好的器件性能。