-
公开(公告)号：CN113054048A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110277300.4
申请日：2021-03-15
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0336 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管，该雪崩光电二极管包括硅吸收层，所述硅吸收层两侧为P+高掺杂层，硅吸收层下面依次为场控层、倍增层非耗尽层，硅吸收层上面为二维类材料，二维类材料与硅吸收层组成的异质结共同成为雪崩光电二极管的吸收层。二维材料具有超大的比表面积，良好的面内热电导率，超高的载流子迁移率，以及相对较小的杨氏模量，提高了高频光电探测器的响应度；吸收层位于器件的表层，形成倒装结构，避免了离子注入产生的缺陷吸收，从而使入射的蓝绿光波段能够被充分有效的吸收；产生的电场为垂直电场，提高器件的量子效率，减小了漏电流。
Search Results
1
records
(took 0.034 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
