公开(公告)号：CN107968088A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710961724.6

申请日：2017-10-17

申请人： 北方电子研究院安徽有限公司

发明人： 朱小燕 ,  陈计学 ,  陈洁 ,  吕东锋 ,  李苏苏 ,  赵娟

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/77 ,  H01L27/0266

摘要： 本发明公开一种双向抗静电保护电路版图结构，包括N型衬底、阻挡层，Pwell区、N场区、N扩散区、P+区、二极管N+区、多晶硅电阻区、Vin区、Vout区以及VGND区，Vin区与多晶硅电阻区间隔设置，Vin区与N场区之间设有第一介质层；VGND区下方的N型衬底注入有N+接触区，VGND区与N+接触区之间设有第二介质层；二极管N+区上方设有环形的第三介质层；Vin区、多晶硅电阻区、Vout区、二极管N+区、VGND区均通过金属线条互连构成双向抗静电保护电路；本发明版图结构的制备方法通过生长阻挡层、离子注入、炉管退火、场氧化、制备多晶硅电阻、刻蚀、介质层生长、金属蒸发等步骤实现；该版图结构能够提高保护电路的抗静电效果，无需另外制备独立电路,并且兼容MOS制备工艺。