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公开(公告)号：CN109283448B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811167923.0
申请日：2018-10-08
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明设计一种雪崩二极管高频调谐装置，其特征在于：荡模块（2）中位于短路活塞组件（16）的有一侧设有连接座（17），连接座（17）端部螺纹连接一个旋钮19；短路活塞组件中的条形杆（A2）及柱形杆（A3）上套接有阻滞弹簧（18）,使条形杆（A2）及柱形杆（A3）可以在连接座（17）中的腔体中滑动配合，柱形杆（A3）端部与旋钮（19）端部接触配合。由于本发明中的短路活塞采用了螺纹旋进的传动模式，通过等距精密螺纹设计使得活塞位置调节具有连贯性与稳定性，进而保证雪崩二极管高频性能测试过程中电抗匹配的可靠性，最终得到准确的测试结果。
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公开(公告)号：CN109116216A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810940213.0
申请日：2018-08-17
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开一种运算放大器失调电压温漂测试装置，包括高低温试验箱，高低温试验箱内设有测试承载板，测试承载板的板面设有一组呈矩阵式分布的承载台，承载台用于放置待测试的运算放大器，测试承载板的板面中心设有测温模块；测试装置还包括矩阵开关、信号处理模块与上位机；上位机控制高低温试验箱的测试温度，并同步读取测温模块采集的温度数据；信号处理模块采集运算放大器的失调电压，并将失调电压数据发送给上位机；上位机根据读取的测试温度与失调电压计算运算放大器失调电压温漂系数；本发明解决了传统测试方法的失调电压温漂曲线线性度差，测试效率低，温度不准确，温漂曲线无法自动拟合的缺点。
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公开(公告)号：CN109141473B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201810940691.1
申请日：2018-08-17
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： G01C25/00
摘要： 本发明公开一种变阻尼MEMS陀螺敏感结构测试装置，包括真空腔体，真空腔体内设有MCU模块、信号源、信号采集卡、探针台与探针卡；探针台用于承载待测试的MEMS陀螺敏感结构；探针台底部设有加热冷却台；真空腔体外设有显微镜、探针台控制器、上位机、抽真空机、制冷机与加热冷却控制器；上位机控制抽真空机对真空腔体抽真空，改变真空腔体的真空度；上位机通过加热冷却控制器控制加热冷却台，对探针台加热或冷却；使待测试的MEMS陀螺敏感结构同时处于变阻尼与变温的环境下，对MEMS陀螺敏感结构进行驱动频率、敏感频率、谐振频率、Q值等参数的测试，根据测试结果研究空气阻尼和热应力两个方面对MEMS陀螺敏感结构的影响。
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公开(公告)号：CN109283448A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811167923.0
申请日：2018-10-08
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2632
摘要： 本发明设计一种雪崩二极管高频调谐装置，其特征在于：荡模块（2）中位于短路活塞组件（16）的有一侧设有连接座（17），连接座（17）端部螺纹连接一个旋钮19；短路活塞组件中的条形杆（A2）及柱形杆（A3）上套接有阻滞弹簧（18）,使条形杆（A2）及柱形杆（A3）可以在连接座（17）中的腔体中滑动配合，柱形杆（A3）端部与旋钮（19）端部接触配合。由于本发明中的短路活塞采用了螺纹旋进的传动模式，通过等距精密螺纹设计使得活塞位置调节具有连贯性与稳定性，进而保证雪崩二极管高频性能测试过程中电抗匹配的可靠性，最终得到准确的测试结果。
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公开(公告)号：CN109141473A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810940691.1
申请日：2018-08-17
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号： G01C25/00
CPC分类号： G01C25/00
摘要： 本发明公开一种变阻尼MEMS陀螺敏感结构测试装置，包括真空腔体，真空腔体内设有MCU模块、信号源、信号采集卡、探针台与探针卡；探针台用于承载待测试的MEMS陀螺敏感结构；探针台底部设有加热冷却台；真空腔体外设有显微镜、探针台控制器、上位机、抽真空机、制冷机与加热冷却控制器；上位机控制抽真空机对真空腔体抽真空，改变真空腔体的真空度；上位机通过加热冷却控制器控制加热冷却台，对探针台加热或冷却；使待测试的MEMS陀螺敏感结构同时处于变阻尼与变温的环境下，对MEMS陀螺敏感结构进行驱动频率、敏感频率、谐振频率、Q值等参数的测试，根据测试结果研究空气阻尼和热应力两个方面对MEMS陀螺敏感结构的影响。
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公开(公告)号：CN107968088A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710961724.6
申请日：2017-10-17
申请人： 北方电子研究院安徽有限公司
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L21/77 , H01L27/0266
摘要： 本发明公开一种双向抗静电保护电路版图结构，包括N型衬底、阻挡层，Pwell区、N场区、N扩散区、P+区、二极管N+区、多晶硅电阻区、Vin区、Vout区以及VGND区，Vin区与多晶硅电阻区间隔设置，Vin区与N场区之间设有第一介质层；VGND区下方的N型衬底注入有N+接触区，VGND区与N+接触区之间设有第二介质层；二极管N+区上方设有环形的第三介质层；Vin区、多晶硅电阻区、Vout区、二极管N+区、VGND区均通过金属线条互连构成双向抗静电保护电路；本发明版图结构的制备方法通过生长阻挡层、离子注入、炉管退火、场氧化、制备多晶硅电阻、刻蚀、介质层生长、金属蒸发等步骤实现；该版图结构能够提高保护电路的抗静电效果，无需另外制备独立电路,并且兼容MOS制备工艺。
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