公开(公告)号：CN106847852A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710186796.8

申请日：2017-03-27

申请人： 北方电子研究院安徽有限公司

发明人： 刘庆飞 ,  陈计学 ,  赵建强 ,  朱小燕 ,  赵绢

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14806 ,  H01L27/148

摘要： 本发明涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构及其制作方法，背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层，电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧，电极引出区上间隔设有压焊图形，EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间，光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区，在光敏区表面的增透膜，能够降低驻波效应、减少反射光线；在存储增益区表面的金属屏蔽层，能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本发明可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率，同时还能够降低器件制作成本，并且提高了产品的成品率。

公开(公告)号：CN206574715U

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201720301592.X

申请日：2017-03-27

申请人： 北方电子研究院安徽有限公司

发明人： 刘庆飞 ,  陈计学 ,  赵建强 ,  朱小燕 ,  赵绢

IPC分类号： H01L27/148

摘要： 本实用新型涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构，背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层，电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧，电极引出区上间隔设有压焊图形，EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间，光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区，在光敏区表面的增透膜，能够降低驻波效应、减少反射光线；在存储增益区表面的金属屏蔽层，能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本实用新型可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率，同时还能够降低器件制作成本，并且提高了产品的成品率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利