一种电子倍增电荷耦合器件的背面结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN106847852A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710186796.8

    申请日:2017-03-27

    IPC分类号: H01L27/148

    CPC分类号: H01L27/14806 H01L27/148

    摘要: 本发明涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构及其制作方法,背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层,电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧,电极引出区上间隔设有压焊图形,EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间,光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区,在光敏区表面的增透膜,能够降低驻波效应、减少反射光线;在存储增益区表面的金属屏蔽层,能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本发明可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率,同时还能够降低器件制作成本,并且提高了产品的成品率。

    一种管状元器件端面金属化工装

    公开(公告)号:CN107574414B

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201710688343.5

    申请日:2017-08-12

    摘要: 本发明公开一种管状元器件端面金属化工装,包括掩埋工装与蒸发工装,掩埋工装包含承载底座、成型件、元器件承载柱与冲压质量块,成型件能够与承载底座形成配合,成型件中心设有成型孔;元器件承载柱能够与成型孔形成配合,元器件承载柱顶面用于放置管状元器件,元器件承载柱放入成型孔后,元器件承载柱顶面与成型孔形成用于填充NaCl的介质成型腔;通过掩埋工装制作NaCl与管状元器件构成的饼片,蒸发工装对饼片进行固定,再通过蒸发工艺即实现管状元器件端面的金属化;NaCl价格低廉,且容易与管状元器件制成饼片,金属化结束后只需将NaCl溶解,即可取出管状元器件;本发明能够大批量地对管状元器件进行金属化,提高了效率。

    一种管状元器件端面金属化工装

    公开(公告)号:CN107574414A

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201710688343.5

    申请日:2017-08-12

    摘要: 本发明公开一种管状元器件端面金属化工装,包括掩埋工装与蒸发工装,掩埋工装包含承载底座、成型件、元器件承载柱与冲压质量块,成型件能够与承载底座形成配合,成型件中心设有成型孔;元器件承载柱能够与成型孔形成配合,元器件承载柱顶面用于放置管状元器件,元器件承载柱放入成型孔后,元器件承载柱顶面与成型孔形成用于填充NaCl的介质成型腔;通过掩埋工装制作NaCl与管状元器件构成的饼片,蒸发工装对饼片进行固定,再通过蒸发工艺即实现管状元器件端面的金属化;NaCl价格低廉,且容易与管状元器件制成饼片,金属化结束后只需将NaCl溶解,即可取出管状元器件;本发明能够大批量地对管状元器件进行金属化,提高了效率。

    一种电子倍增电荷耦合器件的背面结构

    公开(公告)号:CN206574715U

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201720301592.X

    申请日:2017-03-27

    IPC分类号: H01L27/148

    摘要: 本实用新型涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构,背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层,电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧,电极引出区上间隔设有压焊图形,EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间,光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区,在光敏区表面的增透膜,能够降低驻波效应、减少反射光线;在存储增益区表面的金属屏蔽层,能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本实用新型可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率,同时还能够降低器件制作成本,并且提高了产品的成品率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利