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公开(公告)号:CN106847852A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710186796.8
申请日:2017-03-27
申请人: 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号: H01L27/148
CPC分类号: H01L27/14806 , H01L27/148
摘要: 本发明涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构及其制作方法,背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层,电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧,电极引出区上间隔设有压焊图形,EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间,光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区,在光敏区表面的增透膜,能够降低驻波效应、减少反射光线;在存储增益区表面的金属屏蔽层,能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本发明可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率,同时还能够降低器件制作成本,并且提高了产品的成品率。
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公开(公告)号:CN106356322A
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201610921655.1
申请日:2016-10-20
申请人: 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号: H01L21/67 , H01L21/306 , H01L21/683
CPC分类号: H01L21/67075 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L2221/68304
摘要: 本发明提供一种晶圆腐蚀装置,其特征在于它包括:支架(1),在支架(1)上设有电机(2),在电机(2)的输出端上设有连接杆(3),在连接杆3)的端部设有粘片头(4),设置一个与粘片头4)对应配合的腐蚀槽主体(5)。本发明具有结构简单、工艺操作易于实现、成本低、可靠性高等优点。
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公开(公告)号:CN107574414B
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201710688343.5
申请日:2017-08-12
申请人: 北方电子研究院安徽有限公司
摘要: 本发明公开一种管状元器件端面金属化工装,包括掩埋工装与蒸发工装,掩埋工装包含承载底座、成型件、元器件承载柱与冲压质量块,成型件能够与承载底座形成配合,成型件中心设有成型孔;元器件承载柱能够与成型孔形成配合,元器件承载柱顶面用于放置管状元器件,元器件承载柱放入成型孔后,元器件承载柱顶面与成型孔形成用于填充NaCl的介质成型腔;通过掩埋工装制作NaCl与管状元器件构成的饼片,蒸发工装对饼片进行固定,再通过蒸发工艺即实现管状元器件端面的金属化;NaCl价格低廉,且容易与管状元器件制成饼片,金属化结束后只需将NaCl溶解,即可取出管状元器件;本发明能够大批量地对管状元器件进行金属化,提高了效率。
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公开(公告)号:CN107574414A
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201710688343.5
申请日:2017-08-12
申请人: 北方电子研究院安徽有限公司
摘要: 本发明公开一种管状元器件端面金属化工装,包括掩埋工装与蒸发工装,掩埋工装包含承载底座、成型件、元器件承载柱与冲压质量块,成型件能够与承载底座形成配合,成型件中心设有成型孔;元器件承载柱能够与成型孔形成配合,元器件承载柱顶面用于放置管状元器件,元器件承载柱放入成型孔后,元器件承载柱顶面与成型孔形成用于填充NaCl的介质成型腔;通过掩埋工装制作NaCl与管状元器件构成的饼片,蒸发工装对饼片进行固定,再通过蒸发工艺即实现管状元器件端面的金属化;NaCl价格低廉,且容易与管状元器件制成饼片,金属化结束后只需将NaCl溶解,即可取出管状元器件;本发明能够大批量地对管状元器件进行金属化,提高了效率。
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公开(公告)号:CN206574715U
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201720301592.X
申请日:2017-03-27
申请人: 北方电子研究院安徽有限公司
IPC分类号: H01L27/148
摘要: 本实用新型涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构,背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层,电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧,电极引出区上间隔设有压焊图形,EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间,光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区,在光敏区表面的增透膜,能够降低驻波效应、减少反射光线;在存储增益区表面的金属屏蔽层,能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本实用新型可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率,同时还能够降低器件制作成本,并且提高了产品的成品率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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