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公开(公告)号：CN110530352A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910793419.X
申请日：2019-08-27
申请人： 华东光电集成器件研究所
IPC分类号： G01C19/5691
摘要： 本发明公开一种球面电极微半球谐振陀螺仪，包括谐振器与盖帽，谐振器设有半球谐振子与球面电极，球面电极之间为电极刻蚀槽；所述谐振器与盖帽分别采用P型硅与N型硅，盖帽底部边缘由上至下依次层叠有第一P型掺杂扩散区、N型掺杂扩散区与第二P型掺杂扩散区，形成P-N-P-N结构层；P-N-P-N结构层两侧分别刻蚀有竖直的防反溅槽，形成一组PN结；盖帽与谐振器硅硅键合，且防反溅槽与谐振器的电极刻蚀槽一一对应；制备时先制备谐振器，再制备带P-N-P-N结构层的盖帽，将盖帽与谐振器硅硅键合，最后腐蚀牺牲层释放谐振子，即完成制备；利用硅硅键合工艺，确保键合后的芯片在VHF释放后不被腐蚀；通过在盖帽上制作PN结，利用反向PN结实现球面电极之间的绝缘。
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公开(公告)号：CN110530352B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910793419.X
申请日：2019-08-27
申请人： 华东光电集成器件研究所
IPC分类号： G01C19/5691
摘要： 本发明公开一种球面电极微半球谐振陀螺仪，包括谐振器与盖帽，谐振器设有半球谐振子与球面电极，球面电极之间为电极刻蚀槽；所述谐振器与盖帽分别采用P型硅与N型硅，盖帽底部边缘由上至下依次层叠有第一P型掺杂扩散区、N型掺杂扩散区与第二P型掺杂扩散区，形成P‑N‑P‑N结构层；P‑N‑P‑N结构层两侧分别刻蚀有竖直的防反溅槽，形成一组PN结；盖帽与谐振器硅硅键合，且防反溅槽与谐振器的电极刻蚀槽一一对应；制备时先制备谐振器，再制备带P‑N‑P‑N结构层的盖帽，将盖帽与谐振器硅硅键合，最后腐蚀牺牲层释放谐振子，即完成制备；利用硅硅键合工艺，确保键合后的芯片在VHF释放后不被腐蚀；通过在盖帽上制作PN结，利用反向PN结实现球面电极之间的绝缘。
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公开(公告)号：CN110683507A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910793426.X
申请日：2019-08-27
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明公开一种抗干扰MEMS器件，包括依次硅硅键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽层，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极；衬底层中心与两侧分别设有第一垂直引线与第二垂直引线；所述感应电极中心锚点与第一垂直引线相连；所述感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与第二垂直引线对应相连，使感应电极与衬底层之间形成间隙；该感应电极结构几乎完全切断了外界干扰通过衬底到达感应电极结构的传递路径，使得外界干扰对感应电极结构的影响大幅下降，从而保证了传感器存在外界干扰的情况下左右两边电容的对称性，提高了传感器抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN104355285B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410535317.5
申请日：2014-10-13
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。
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公开(公告)号：CN104355285A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535317.5
申请日：2014-10-13
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。
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公开(公告)号：CN110683507B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910793426.X
申请日：2019-08-27
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明公开一种抗干扰MEMS器件，包括依次硅硅键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽层，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极；衬底层中心与两侧分别设有第一垂直引线与第二垂直引线；所述感应电极中心锚点与第一垂直引线相连；所述感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与第二垂直引线对应相连，使感应电极与衬底层之间形成间隙；该感应电极结构几乎完全切断了外界干扰通过衬底到达感应电极结构的传递路径，使得外界干扰对感应电极结构的影响大幅下降，从而保证了传感器存在外界干扰的情况下左右两边电容的对称性，提高了传感器抗干扰能力。
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