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公开(公告)号：CN117383507A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311556109.9
申请日：2023-11-21
申请人： 华东光电集成器件研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明涉及一种在背片上增加通气通道的体硅加工方法，其特征在于：（1）在托片上制备通气通道的图形化光刻胶掩膜；（2）在托片上刻蚀出通气通道；（3）在托片上匀光刻胶；（4）将硅片和托片使用光刻胶粘合；（5）使用感应耦合等离子体干法刻蚀刻穿硅片，得到体硅微机构；（6）将托片和硅片分开，释放体硅微结构。本发明优点是：工艺简单，不存在工艺难点，适用小批量生产，不会对刻蚀设备产生不良影响；增加通气通道进行光刻胶黏连更能保证成品率，不会因为糊胶、裂胶等工艺缺陷损失晶圆。
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公开(公告)号：CN110683507A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910793426.X
申请日：2019-08-27
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明公开一种抗干扰MEMS器件，包括依次硅硅键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽层，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极；衬底层中心与两侧分别设有第一垂直引线与第二垂直引线；所述感应电极中心锚点与第一垂直引线相连；所述感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与第二垂直引线对应相连，使感应电极与衬底层之间形成间隙；该感应电极结构几乎完全切断了外界干扰通过衬底到达感应电极结构的传递路径，使得外界干扰对感应电极结构的影响大幅下降，从而保证了传感器存在外界干扰的情况下左右两边电容的对称性，提高了传感器抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN117285001A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311560694.X
申请日：2023-11-22
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明涉及一种光MEMS器件结构及其制备方法，它包括由下到上依次叠设键合的衬底结构层、梳齿结构层以及镜面结构层；衬底结构层上设有第一金属键合区，在第一金属键合区内侧设有深腔；梳齿结构层包括与镜面结构层键合连接的第二金属键合区、第三金属键合区，以及梳齿结构和与梳齿结构连接的金属焊点，在梳齿结构表面设有压敏电阻结构；镜面结构层包括镜面框和位于镜面框内侧的镜面结构，镜面框通过第二金属键合区与梳齿结构层连接，镜面结构下端面连接支撑柱，支撑柱通过第三金属键合区与梳齿结构层连接。本发明的顶伞式镜面结构可以提高镜面占空比，缩小芯片面积，并且通过集成制作压敏电阻结构，可以实现微光学镜面的精确驱动控制和角度解算。
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公开(公告)号：CN110668391B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910793511.6
申请日：2019-08-27
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构，包括相互键合的衬底层与可动结构层，衬底层顶部中心设有空腔，衬底层顶部设有环形隔离槽，环形隔离槽位于空腔外周，环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点；可动结构层包含可动结构外框，可动结构外框内设有双端固支板结构，可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽，环形应力释放槽与环形隔离槽相对应；环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑；双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁；本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。
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公开(公告)号：CN114132892A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479932.5
申请日：2021-12-07
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明提供一种MOEMS微镜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤取第一SOI硅片（A）在第一SOI硅片（A）上设有槽体（2），在槽体（2）内形成氧化层（3），在第一SOI硅片（A）上键合有第二SOI硅片（B），在第二顶层硅（B1）上形成第二梳齿结构（4），在第二顶层硅（B1）上键合有双抛硅片（C），在取第一SOI硅片（A）上第一梳齿结构（5），除刻蚀保护氧化层（3），在第一顶层硅（A1）上设置有焊盘金属层（7）和镜面金属（8）。本发明步骤简易、制备方便，保证器件性能精度和一致性，可以实现MOEMS微镜的高良率批量生产。
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公开(公告)号：CN117289566A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311329911.4
申请日：2023-10-16
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明涉及一种提升双面光刻对准精度的方法，包括以下步骤：制作掩膜板，它具有用于晶圆正面的第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形，用于晶圆反面的第二步进对准标记、第二套刻检查标记和第二层图形；取硅晶圆，在晶圆正面光刻第一步进对准标记、第一套刻检查标记和第一层图形；在晶圆背面光刻第二步进对准标记、第二套刻检查标记；利用双面套刻检查设备，测量第一、第二套刻标记的偏差参数；将测得的套刻偏差参数补偿到背面的光刻程序中，利用第二步进对准标记进行对准，光刻第二层图形。本发明将测量第一、第二套刻标记的偏差参数，补偿到背面的光刻程序中光刻第二层图形，提高双面光刻对准精度至纳米量级。
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公开(公告)号：CN110683507B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910793426.X
申请日：2019-08-27
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明公开一种抗干扰MEMS器件，包括依次硅硅键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽层，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极；衬底层中心与两侧分别设有第一垂直引线与第二垂直引线；所述感应电极中心锚点与第一垂直引线相连；所述感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与第二垂直引线对应相连，使感应电极与衬底层之间形成间隙；该感应电极结构几乎完全切断了外界干扰通过衬底到达感应电极结构的传递路径，使得外界干扰对感应电极结构的影响大幅下降，从而保证了传感器存在外界干扰的情况下左右两边电容的对称性，提高了传感器抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN116062678A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211515527.9
申请日：2022-11-30
申请人： 华东光电集成器件研究所
摘要： 本发明提供一种MEMS微镜抗疲劳电互连装置，它包括晶圆（1），其在晶圆（1）上通过第二镂空区域（5）和第一镂空区域（2），形成微镜面（3）和可动框架（10），通过第一镂空区域（2）和第二镂空区域（5）上的纵向开口（2a）和横向开口（5a）形成纵向扭转梁（4）和横向扭转梁（6），在横向扭转梁（6）。本发明利用扩散低阻硅代替全金属薄膜实现在弯曲或者扭转结构的表面电互连引出，能够完全避免金属薄膜引线材料在高频往复运动过程中产生的疲劳的问题，有效的提高了MEMS微镜的寿命。
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