公开(公告)号：CN118444117A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410595469.8

申请日：2024-05-14

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 李小进 ,  邹欣宇 ,  周真 ,  孙亚宾 ,  石艳玲

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种LPI‑CBCM测试方法，其特点是采用一个时钟信号及其延时时钟周期信号控制器件四个端口电压进而控制器件充放电状态的测试电路，去除栅漏电流的影响以及屏蔽待测器件进而测量并计算出电路不相关电容。该方法设置四个电路分支，通过一个时钟信号及其延迟时钟信号控制传输门开启关闭进而控制待测器件的栅极和源漏极电压，由一个控制栅极的支路测量放电电流，计算得到待测器件电容和电路无关电容之和或仅电路中无关电容。本发明与现有技术相比具有测量精度高的优点，解决了当栅极电压较大时，待测器件漏电流对测量结果的影响，采用针对该测量电路中不相关寄生电容的去嵌方法，进一步提高了该测量方法的精准性。

公开(公告)号：CN118094859A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311684146.8

申请日：2023-12-08

Applicant: 上海空间电源研究所 ,  华东师范大学

Inventor： 王腾 ,  孙亚宾 ,  孙祥峰 ,  石艳玲 ,  李小进

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/14 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种LDMOS功率器件可靠性评估及建模方法即功率器件热载流子注入(HCI)可靠性评估及建模方法，该方法包括：a）根据晶体管工作特性，获得未施加应力条件下晶体管的紧凑物理模型；b）对晶体管施加不同的电应力，获得由HCI引起阈值电压Vth随不同应力、应力时间的退化；c）阈值电压Vth退化的解析物理模型的建立；d）将阈值电压Vth退化的解析模型带入未施加应力时晶体管的紧凑物理模型中，并进行模型验证。本发明构建的模型考虑了不同电应力、应力时间、晶体管宽度对晶体管HCI可靠性退化的影响，可以精准预测LDMOS功率器件由HCI引起的阈值电压退化，进而得到精准的退化模型，适用性广泛，该模型对于HCI引起的LDMOS可靠性退化提供了更准确的预测。

公开(公告)号：CN114950924B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202210353624.6

申请日：2022-04-02

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 刘子豪 ,  张楠 ,  李小进 ,  周晓峰

IPC: B06B1/06

Abstract: 本发明公开了一种具有弧形或斜面声腔的MEMS压电超声波换能器阵列，包括一个或数个换能器单元，每个所述换能器单元包括若干个设置于同一平面、且具有相同弧形或斜面声腔的MEMS压电超声波换能器，其结构为低阻硅片层、二氧化硅或氮化硅层、上电极金属层、压电薄膜层、下电极金属层、多晶硅层及具有弧形或斜面声腔的下衬底层，所述下衬底层的横截面为半圆形、拱形、三角形或多边形空腔面。所述弧形或斜面声腔使得MEMS压电超声波换能器产生的声波叠加传输，实现增强超声波换能器产生的声压强度。该换能器阵列能够增强MEMS超声波换能器产生的声压强度，提升MEMS压电超声波换能器能量转换效率。

公开(公告)号：CN114765527B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202110046744.7

申请日：2021-01-14

Applicant: 华东师范大学 ,  上海晶曦微电子科技有限公司

Inventor： 谢妙兴 ,  李锦秀 ,  汤祥云 ,  李小进

IPC: H04L7/00 ,  H04L27/14 ,  H04L1/00

Abstract: 本发明提出了一种GFSK信号维特比解调的联合同步方法，所述方法将维特比解调前的基带信号符号位相关与解调后的比特位相关共同作用，通过实时判断两个相关值的大小完成位同步，使解调时参与计算分支路径的接收采样点数据来自一个信息码，确保了维特比解调时分支度量计算的准确性。相比于只采用解调前同步，采用解调前后联合同步的方法能够避免前同步出现伪相关峰时导致误同步的问题。

公开(公告)号：CN115881822A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211278461.6

申请日：2022-10-19

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 孙亚宾 ,  汪超 ,  石艳玲 ,  李小进

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种嵌入式沟道的可重构场效应晶体管，包括水平排列的鳍式沟道、水平或垂直排列的纳米片沟道或水平或垂直排列的纳米线沟道，包裹沟道的栅极氧化物，在栅极氧化物外侧的关于器件中线对称的控制栅极和极性栅极，在控制栅极与极性栅极的之间、包裹栅极氧化物的栅极隔离层，在控制栅极左侧、包裹沟道的源边墙，在极性栅极右侧、包裹沟道的漏边墙，在边墙两侧的、每条沟道两端伸入其中约1/14沟道长度的源、漏，以及在器件底部的衬底。本发明与普通非嵌入式沟道的可重构场效应晶体管相比，向源内部延伸的沟道增加了源与沟道的接触面积，开态电流提升。在关断时，关态电流基本保持不变，故有更为理想的电流开关比和逻辑响应速度。

公开(公告)号：CN110674612B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201910911923.5

申请日：2019-09-25

Applicant: 华东师范大学 ,  上海华力微电子有限公司

Inventor： 禚越 ,  田明 ,  王昌锋 ,  李相龙 ,  刘人华 ,  孙亚宾 ,  李小进 ,  石艳玲 ,  廖端泉 ,  曹永峰

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种超大规模集成电路工艺的后道互连寄生电容电阻的建模方法，互连技术文档（ITF）是表征晶体管制备过程中工艺波动的文件，包含不同金属层数、不同线宽、不同间距和不同密度条件下的厚度尺寸与线宽尺寸等波动因素。该方法在提取后道寄生电容的波动参数部分，结合Raphael工具仿真数据与晶圆测试中值，通过StarRC工具校准提取出电容相关厚度与线宽尺寸波动参数。在提取后道寄生电阻的波动参数部分，将在寄生电容提取过程中得到的厚度与线宽尺寸波动代入到寄生电阻的提取中，然后对电阻的电阻率值进行计算、校准拟合。结果显示，本发明对于后道电容电阻的波动尺寸因素实现了一致性匹配，有效降低了后道电容电阻的StarRC抽取值与晶圆测试中值的误差。

公开(公告)号：CN113536723A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110779887.9

申请日：2021-07-09

Applicant: 华东师范大学 ,  捷捷微电(上海)科技有限公司

Inventor： 孙亚宾 ,  谢沛东 ,  刘赟 ,  石艳玲 ,  李小进 ,  顾昀浦 ,  刘静

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种功率器件漏源寄生电容子电路模型及其建模方法，在本发明中，采用在漏端节点和源端节点之间加入可变电容的方法来对漏源电容Cds建模。首先结合流片器件的漏源电容电压的实测数据，利用Origin数据处理软件处理数据；然后在Origin中分析并建立电容和电压的拟合式得到对应的系数；进而在模型文件中按照格式输入相应的拟合式系数数据，得到一个完整的模型；最后利用HSPICE仿真器仿真漏源电容随漏源电压变化的结果，结果显示本发明公开的方法对漏源电容的建模相较于常规的采用二极管结电容对功率器件漏源电容建模的方法更加灵活且精准。

公开(公告)号：CN113299758A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110562892.4

申请日：2021-05-24

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 孙亚宾 ,  张芮 ,  石艳玲 ,  刘赟 ,  李小进

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种源漏双掺杂可重构场效应晶体管，包括鳍型沟道，设于鳍型沟道两端具有三层结构的源端和漏端，设于鳍型沟道左右两侧对称分布的边墙，与边墙接触、三面包裹鳍型沟道且对称分布于鳍型沟道左右两侧的栅极氧化物，三面包裹栅极氧化物的控制栅极和极性栅极。特征是源端和漏端均具备双掺杂，两端顶部为同种掺杂半导体，底部为同种异于顶部的掺杂半导体，沟道为本征硅或轻掺杂的硅。本发明与现有的肖特基结隧穿型可重构场效应晶体管（SBRFET）相比，源端不受费米能级钉扎影响，电流对称性更易调控，源漏双掺杂可同时提供大量电子和空穴，驱动电流密度提高的同时泄漏电流与SBRFET基本无异，故具有更为理想的电流开关比，逻辑响应更快。

公开(公告)号：CN108363861B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201810122251.5

申请日：2018-02-07

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 李小进 ,  张珀菁 ,  曾严 ,  孙亚宾 ,  石艳玲

IPC: G06F30/367 ,  G06Q10/04 ,  G06F119/04 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提出了一种低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法，包括以下步骤：步骤一：获取p‑MOSFET器件的NBTI退化反应‑扩散模型参数；步骤二：基于基础反应‑扩散理论和H2的锁定效应，得出描述NBTI直流施压/恢复阶段的解析模型；步骤三：基于电子的快速捕获/释放，得出描述NBTI低频交流应力模式下任意时刻的迭代解析模型和交流周期中施压ON阶段结束时刻和恢复OFF阶段结束时刻NBTI的非迭代解析模型；步骤四：根据解析模型，预测p‑MOSFET器件的NBTI低频交流应力退化模式下阈值电压退化情况。

公开(公告)号：CN109037339B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201810818638.4

申请日：2018-07-24

Applicant: 华东师范大学 ,  上海华力微电子有限公司

Inventor： 姚岩 ,  孙亚宾 ,  李小进 ,  石艳玲 ,  王昌锋 ,  廖端泉 ,  田明 ,  曹永峰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种非对称型结构的可重构场效应晶体管，包括设置在沟道两端的源极和漏极，以及分别设置在源极和漏极一侧的控制栅极和极性栅极组成的场效应晶体管，其特点是极性栅极在靠近漏极一侧设有淀积侧墙的欠重叠区，构成非对称型结构的可重构场效应晶体管。本发明与现有技术相比具有理想的开态、关态电流和较大的电流开关比，以及陡峭的亚阈值摆幅等，器件为n‑FET结构时与器件为p‑FET结构时的电流开关比均有显著的提高，而且与对称型可重构晶体管相比关态电流几乎相同，有效地控制了漏电流。