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公开(公告)号：CN101339276A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200710043398.7
申请日：2007-07-03
申请人： 上海永鼎光电子技术有限公司 , 华东师范大学
摘要： 电控可调光衰减器光路调节方法，其首先将激光器和芯片分别固定在微调架上；然后调整激光器，使其发出的光线与工作台面平行；再调整芯片的位置使得芯片轴线与工作台面平行；把光纤准直器固定在微调架上，调节微调架使得光纤准直器发出的两路出射光保持水平；将双光纤一端接激光器，一端不接，调整微调架，在保证出射光角度不变同时，调整准直器位置，直到出射光光点正好打在芯片上。最后将双光纤一端接激光器，一端接探测器，通过调节微调架调节光纤准直器，使得整个通道的插入损耗小于0.5dB。采用上述电控可调光衰减器光路调节方法能够使双光纤准直器的轴线与芯片的光学反射膜窗口的中心轴共线。
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公开(公告)号：CN101196595A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710043399.1
申请日：2007-07-03
申请人： 华东师范大学 , 上海永鼎光电子技术有限公司
摘要： 电控可调光衰减器芯片的制备方法，包括氧化、光刻、腐蚀和做电极步骤，其在上电极上形成一个悬臂部分，在下电极上形成一个空腔部分。本发明方法制成的电可调光衰减器芯片，其采用SOI(绝缘层上硅)技术，制作悬臂式电控反射镜，取代氮化硅薄膜空腔作为活动元件。SOI材料与氮化硅材料比较有更高的抗疲劳性，增加了器件的可靠性。采用反射镜运动使得光偏出光路达到衰减，取代原Fabry－Perot干涉仪结构，结构更简单，工艺更容易控制。本发明的方法具有步骤简单，易控制的特点。
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公开(公告)号：CN201083883Y
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200720072103.4
申请日：2007-07-03
申请人： 华东师范大学上海永鼎光电子技术有限公司
摘要： 一种MEMS电可调光衰减器芯片，其包括上、下电极，其中上、下电极包括硅层和电极层；上、下电极的硅层通过二氧化硅氧化层呈上下连接；在下电极的硅层上腐蚀有一空腔；在上电极的硅层上腐蚀出一悬臂部分，在悬臂部分上的电极层上设置有一反射镜；将悬臂部分的硅层与下电极的硅层之间的二氧化硅氧化层腐蚀掉，形成镂空。本实用新型采用SOI(绝缘层上硅)技术，制作悬臂式电控反射镜，取代氮化硅薄膜空腔作为活动元件。SOI材料与氮化硅材料比较有更高的抗疲劳性，增加了器件的可靠性。采用反射镜运动使得光偏出光路达到衰减，取代原Fabry－Perot干涉仪结构，结构更简单，工艺更容易控制。
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公开(公告)号：CN109855741A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910100943.4
申请日：2019-01-31
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： G01J5/10
摘要： 本发明公开了一种室温高灵敏SOS衬底器件太赫兹直接检测系统，该系统包括：太赫兹源、一组（2个）抛物面反射镜、TTL控制信号线、硅基SOS衬底太赫兹检测器、直流偏置电压源、低噪声放大器及锁相放大器。在室温条件下，用直接检测的方法，对硅基SOS衬底太赫兹检测器进行了太赫兹信号检测。对310 GHz的接收信号，偏置电流5mA,测量系统的电压响应率约为3375V/W,斩波频率为1 kHz以上时，系统的噪声电压为6 nV/ Hz1/2,测量系统的NEP约为1.8×10-12 W/Hz1/2。对648 GHz的接收信号，偏置电流5mA,测量系统的电压响应率约为1175 V/W,斩波频率为1 kHz以上时，系统的噪声电压为6 nV/ Hz1/2测量系统的NEP约为5.2×10-12 W/Hz1/2。本发明具有频带宽和灵敏度高的特点，在太赫兹功率探测和太赫兹成像方面具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN109473735A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811106458.X
申请日：2018-09-21
申请人： 华东师范大学
摘要： 本发明公开了一种还原性氧化石墨烯的石墨毡的制备方法及其应用，(1)将石墨毡切割成所需形状大小；(2)采用RCA标准清洗法清洗切割好的石墨毡，以排除表面和通道内的各种杂质；(3)采用改良后的氧化还原法制备氧化石墨烯，采用低温-中温-高温反应，来制备氧化石墨烯溶液，最后进行干燥制得氧化石墨烯；(4)称量氧化石墨烯，加水稀释，超声振荡，将石墨烯与石墨毡一起放入反应釜中，进行水热合成，得到还原性氧化石墨烯的石墨毡。本发明碘化锌电池电极材料具有以下优势：成本低廉，制作简单，与集成电路工艺相结合有助于批量生产，使用寿命长，便于携带。
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公开(公告)号：CN108666594A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810289520.7
申请日：2018-04-03
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： H01M8/0213 , H01M8/0223
摘要： 本发明公开了一种双极板制作工艺，其步骤如下：(1)选用足量的聚乙烯石蜡，置于容器中加热直至全部熔化；(2)将石墨板浸入熔融的聚乙烯石蜡中，等到没有气泡冒出为止再拿出；(3)将经过渗蜡处理的石墨板包边并确保内部不漏液，然后通过PVC胶与电池的外壳相连。渗蜡处理的石墨板的两侧都和石墨毡连接分别作为电池的正极和负极；(4)再经过密封后这个石墨板就形成了两个电池串联的正负电极连接点，也就是双极板。本发明选取聚乙烯石蜡材料作为石墨板的填充物，一方面解决了石墨板的渗透问题，另一方面满足了锌碘电池中石墨板的导电性；形成了体积小、导电性能好的双极板；也解决了因为锌碘电池在使用过程中发热而导致的填充物熔化的问题。
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公开(公告)号：CN102778728B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201210231195.1
申请日：2012-07-05
申请人： 华东师范大学
摘要： 本发明公开了一种基于光子晶体缺陷带的TE/TM模分离器的设计方法，通过在光子晶体结构中周期性的引入缺陷态，构成耦合微腔波导结构；通过控制电磁波的入射角实现TE/TM模式分离。本发明通过在光子晶体结构中周期性的引入缺陷来构成光子晶体耦合微腔波导，而由于缺陷带中TE和TM模式不同的局域性效果，因此在合适的入射角情况下，这两种模式的波会发生分离，并且分裂角度随缺陷层介电常数的增加而降低，使得这两种模式的分裂在电磁波入射角小于等于10度情况下就可以实现，因此很适合于用做TE/TM模式分离器的制备合适的制备。在物理电子学和光学、材料学和微电机系统等众多领域具有巨大的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN101117206B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200710044569.8
申请日：2007-08-03
申请人： 上海欧普泰科技创业有限公司 , 华东师范大学
摘要： 本发明公开了一种电化学方法制作硅微通道过程中在微通道结构与衬底之间产生断层的方法，其制作步骤为：a)选取晶向硅片；b)制作掩模层；c)利用光刻的办法，先定义孔的位置；d)电化学阳极氧化，阳极使用浓度控制在2～5mol/l的氢氟酸与DMF或酒精的混合液，混合体积比为1∶1；e)调节F离子浓度，刻蚀电流大于10mA/cm2，可以在界面附近产生较强的横向刻蚀，从而形成断层。本发明的意义在于，利用产生断层的时机的控制，还可以有效控制所制作的硅微通道板的厚度，无需进行可能造成微通道板损坏的减薄和抛光，提高成品率。
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公开(公告)号：CN101509888A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910047988.6
申请日：2009-03-20
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： G01N27/327 , B81C1/00 , B81B7/02 , B81C5/00
摘要： 本发明属于微型生物传感器，一种硅基可集成微型葡萄糖传感器的制作方法。现有的葡萄糖传感器以葡萄糖氧化酶电极作为分子识别及信号转换的器件，稳定性差，限制了以酶为基础的葡萄糖传感器的应用。本发明以P－型单面抛光硅片电化学刻蚀制作硅微通道；在温度80摄氏度的无电电镀溶液中，沉积30－45分钟；取出硅微通道用去离子水冲洗制得。本发明的优点是：采用电化学制程，成本低，操作简单；微通道孔度均匀，比表面积和深宽比大；无电镀镀液配制简单，价格低廉；对葡萄糖的测试不产生影响；三维结构有利于促进葡萄糖与活性物质接触，提高氧化电流；有利于离子的交换反应；器件微型化、集成化，有利于规模化生产。
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公开(公告)号：CN101117206A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710044569.8
申请日：2007-08-03
申请人： 上海交大学子科技创业有限公司 , 华东师范大学
摘要： 本发明公开了一种电化学方法制作硅微通道过程中在微通道结构与衬底之间产生断层的方法，其制作步骤为：a)选取晶向硅片；b)制作掩模层；c)利用光刻的办法，先定义孔的位置；d)电化学阳极氧化，阳极使用浓度控制在2～5mol/l的氢氟酸与DMF或酒精的混合液，混合体积比为1∶1；e)调节F离子浓度，刻蚀电流大于10mA/cm2，可以在界面附近产生较强的横向刻蚀，从而形成断层。本发明的意义在于，利用产生断层的时机的控制，还可以有效控制所制作的硅微通道板的厚度，无需进行可能造成微通道板损坏的减薄和抛光，提高成品率。
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