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公开(公告)号:CN110600612B
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN201910499186.2
申请日:2019-06-11
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于自组装工程的p‑i‑n型钙钛矿电池空穴传输层,该空穴传输层及自组装分子具有疏水性的式(5)和亲水性的式(9)所示结构的分子结构式合成:式中:R1为氢,甲基或烷氧基,R2为1~3碳链,R3为卤素原子,n1为0~4;n2为0~4。本发明所提供的空穴传输层能够大面积均匀制备,所制备的空穴传输层有利于完整大面积钙钛矿吸光层的制备。
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公开(公告)号:CN110600612A
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201910499186.2
申请日:2019-06-11
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于自组装工程的p-i-n型钙钛矿电池空穴传输层,该空穴传输层及自组装分子具有疏水性的式(5)和亲水性的式(9)所示结构的分子结构式合成:式中:R1为氢,甲基或烷氧基,R2为1~3碳链,R3为卤素原子,n1为0~4;n2为0~4。本发明所提供的空穴传输层能够大面积均匀制备,所制备的空穴传输层有利于完整大面积钙钛矿吸光层的制备。
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