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公开(公告)号:CN114608494B
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN202210330679.5
申请日:2022-03-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体测量技术领域,具体涉及一种纳米结构三维形貌小角X射线散射测量方法及装置,包括:对待测样品的纳米结构周期单元的三维形貌进行描述,并用以建立三维形貌的透射小角X射线散射场模型;对三维形貌进行透射小角X射线散射场测量,得到散射图谱,其中采用的定位系统能够大范围变化入射角和方位角,能够实现多角度散射图谱测量,在此基础上在参数提取中通过特定公式在图谱中直接提取三维形貌周期信息,提取方式高效、准确,上述公式是通过将不同旋转角度ω下的Δqxz用余弦函数进行拟合得到。本发明方法是一种全新的高效实现复杂IC纳米结构三维形貌快速、非破坏性、精确测量的方法。
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公开(公告)号:CN117113561A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202311031315.8
申请日:2023-08-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/04
Abstract: 本发明属于精密光学测量仪器相关技术领域,并公开了一种小角X射线散射仪器准直系统结构参数的优化方法。该方法包括:S1构建散射仪器准直系统的仿真模型并设定该仿真模型的初始结构参数;S2设定光源的位置,以该光源为原点构建几何坐标并在该几何坐标系中构建从光源发射出的光子,模拟光子依次穿过汇聚光的光学器件和狭缝组最终落在探测器表面网面上的过程,确定在探测器表面网面的每个栅格中光子的数量;S3构建准直系统结构参数的评价体系,以准直系统的结构参数作为输入,评价体系为优化目标构建优化模型,求解该优化模型对应的最优结构参数,以此实现准直系统结构参数的优化。通过本发明,解决小角度X射线准直系统中结构参数准确率低的问题。
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公开(公告)号:CN114608494A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202210330679.5
申请日:2022-03-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体测量技术领域,具体涉及一种纳米结构三维形貌小角X射线散射测量方法及装置,包括:对待测样品的纳米结构周期单元的三维形貌进行描述,并用以建立三维形貌的透射小角X射线散射场模型;对三维形貌进行透射小角X射线散射场测量,得到散射图谱,其中采用的定位系统能够大范围变化入射角和方位角,能够实现多角度散射图谱测量,在此基础上在参数提取中通过特定公式在图谱中直接提取三维形貌周期信息,提取方式高效、准确,上述公式是通过将不同旋转角度ω下的Δqxz用余弦函数进行拟合得到。本发明方法是一种全新的高效实现复杂IC纳米结构三维形貌快速、非破坏性、精确测量的方法。
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