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公开(公告)号：CN114742942B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202210271841.0
申请日：2022-03-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T17/00
Abstract: 本发明公开了一种SAXS散射体的形状因子计算方法，属于小角散射技术领域。本发明提出一种多面体表征的纳米结构的形状因子的新计算方法，通过将多面体分解成以各个面为基底、以质心为顶点的多棱锥单元，再将每个多棱锥单元分解成各个四面体单元，计算每个四面体单元的形状因子，根据傅里叶变换的线形叠加性质，计算所有四面体单元的形状因子的积分和，作为散射体的形状因子，从而很方便地适用于各种复杂结构的小角X射线散射计算。
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公开(公告)号：CN114608494B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202210330679.5
申请日：2022-03-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体测量技术领域，具体涉及一种纳米结构三维形貌小角X射线散射测量方法及装置，包括：对待测样品的纳米结构周期单元的三维形貌进行描述，并用以建立三维形貌的透射小角X射线散射场模型；对三维形貌进行透射小角X射线散射场测量，得到散射图谱，其中采用的定位系统能够大范围变化入射角和方位角，能够实现多角度散射图谱测量，在此基础上在参数提取中通过特定公式在图谱中直接提取三维形貌周期信息，提取方式高效、准确，上述公式是通过将不同旋转角度ω下的Δqxz用余弦函数进行拟合得到。本发明方法是一种全新的高效实现复杂IC纳米结构三维形貌快速、非破坏性、精确测量的方法。
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公开(公告)号：CN114705705B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210369982.6
申请日：2022-04-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N23/201 , G06F30/25 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种二维斜交光栅结构的X射线散射场计算方法和装置，属于小角散射技术领域，所述方法包括：S1：确定二维斜交光栅结构的第一斜交方向、第二斜交方向及结构特征参数；第一斜交方向和第二斜交方向上均存在周期排列的相同光栅单元；S2：以其中一个光栅单元中心为坐标原点、第二斜交方向为x轴建立直角坐标系；获取第一斜交方向与坐标系上y轴的夹角；S3：基于小角X射线散射原理和二维斜交光栅结构的分布特征构建二维斜交光栅结构对应的通用X射线散射场计算模型；将结构特征参数和夹角输入通用X射线散射场计算模型得到二维斜交光栅结构的散射强度。本发明能够提高二维斜交光栅结构散射强度的计算准确率。
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公开(公告)号：CN112163341B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202011062137.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 华中科技大学 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F17/14 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种周期性光栅结构的光学特性建模方法、装置和存储介质，属于光学关键尺寸测量技术领域，所述方法包括：获取周期性光栅结构内材料的介电常数；将周期性光栅结构拆分为若干包含一种材料的区域；基于格林公式将各个区域的面积分转化为各个区域边界的线积分；利用线积分表示各个区域对应的多边形顶点的显式解析表达式；从各个显式解析表达式中获取各个区域对应的介电常数傅里叶系数，基于各个区域对应的介电常数傅里叶系数确定周期性光栅结构的介电常数傅里叶系数；利用周期性光栅结构的介电常数傅里叶系数实现周期性光栅结构的光学特性建模。本发明简化获取周期性光栅结构的介电常数傅里叶系数的过程，提高光学特性建模的效率。
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公开(公告)号：CN112163341A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011062137.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 华中科技大学 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F17/14 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种周期性光栅结构的光学特性建模方法、装置和存储介质，属于光学关键尺寸测量技术领域，所述方法包括：获取周期性光栅结构内材料的介电常数；将周期性光栅结构拆分为若干包含一种材料的区域；基于格林公式将各个区域的面积分转化为各个区域边界的线积分；利用线积分表示各个区域对应的多边形顶点的显式解析表达式；从各个显式解析表达式中获取各个区域对应的介电常数傅里叶系数，基于各个区域对应的介电常数傅里叶系数确定周期性光栅结构的介电常数傅里叶系数；利用周期性光栅结构的介电常数傅里叶系数实现周期性光栅结构的光学特性建模。本发明简化获取周期性光栅结构的介电常数傅里叶系数的过程，提高光学特性建模的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117492331A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311417295.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于套刻误差测量领域，并具体公开了一种基于X射线入射角优化的套刻误差测量方法及系统，其包括：基于X射线散射场建模，确定套刻结构的套刻误差与散射强度的关系；进而得到套刻结构与理想双层纳米结构散射强度的相对差与套刻误差的近似线性关系；基于一对设置正负偏置量的套刻结构，根据近似线性关系，确定该对套刻结构散射强度与套刻误差的近似映射模型；采用不同入射角的X射线进行仿真，获取对应散射强度，根据近似映射模型计算得到套刻误差，根据套刻误差精度确定最优入射角；采用最优入射角对套刻结构进行测量，得到套刻误差。本发明可解决套刻误差测量中测量速度慢、步骤多、数据处理复杂的问题。
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公开(公告)号：CN114742942A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210271841.0
申请日：2022-03-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T17/00
Abstract: 本发明公开了一种SAXS散射体的形状因子计算方法，属于小角散射技术领域。本发明提出一种多面体表征的纳米结构的形状因子的新计算方法，通过将多面体分解成以各个面为基底、以质心为顶点的多棱锥单元，再将每个多棱锥单元分解成各个四面体单元，计算每个四面体单元的形状因子，根据傅里叶变换的线形叠加性质，计算所有四面体单元的形状因子的积分和，作为散射体的形状因子，从而很方便地适用于各种复杂结构的小角X射线散射计算。
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公开(公告)号：CN114705705A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210369982.6
申请日：2022-04-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N23/201 , G06F30/25 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种二维斜交光栅结构的X射线散射场计算方法和装置，属于小角散射技术领域，所述方法包括：S1：确定二维斜交光栅结构的第一斜交方向、第二斜交方向及结构特征参数；第一斜交方向和第二斜交方向上均存在周期排列的相同光栅单元；S2：以其中一个光栅单元中心为坐标原点、第二斜交方向为x轴建立直角坐标系；获取第一斜交方向与坐标系上y轴的夹角；S3：基于小角X射线散射原理和二维斜交光栅结构的分布特征构建二维斜交光栅结构对应的通用X射线散射场计算模型；将结构特征参数和夹角输入通用X射线散射场计算模型得到二维斜交光栅结构的散射强度。本发明能够提高二维斜交光栅结构散射强度的计算准确率。
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公开(公告)号：CN116068865A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310094923.7
申请日：2023-01-18
Applicant: 华中科技大学 , 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化方法及系统，属于光刻技术领域，方法包括：步骤S1、确定纳米结构的待测形貌参数以及散射测量的参数提取过程中固定不变的参数；步骤S2、基于所述待测形貌参数和所述固定不变的参数，构建散射测量中衡量测量信号和理论信号之间拟合误差的评价函数；步骤S3、基于所述评价函数，得到所述待测形貌参数的误差传递矩阵；步骤S4、计算在不同的测量条件下，所述待测形貌参数的误差传递矩阵的条件数，条件数最小的测量条件即为最优配置。本发明还提供了一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化系统。本发明为实现高测量精度、准确度和鲁棒性好的纳米结构散射测量提供了一种新的测量配置优化方案。
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公开(公告)号：CN114593700B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210272322.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于X射线关键尺寸测量方法领域，具体涉及一种用于X射线关键尺寸测量的纳米结构散射场计算方法，包括：将位于XOZ坐标系中的曲线与XOZ坐标系的X坐标轴所围成的区域，描述为纳米结构周期单元的截面轮廓，X坐标轴代表纳米结构周期单元在实体空间周期性排布的方向，Z坐标轴代表与纳米结构所位于的基底平面相垂直的方向；上述曲线通过在XOZ坐标系中选点计算生成；通过非均匀快速傅里叶变换计算截面轮廓在倒易空间中特定坐标位置处的倒易空间数值，作为纳米结构的形状因子以计算纳米结构散射场。本发明适用于任意截面面型的纳米结构，解决了现有只能通过简单几何形状叠加来描述截面轮廓所存在的建模困难和拟合程度差问题。
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