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公开(公告)号：CN110911560B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201911206904.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种平面型忆阻器及其制备方法，所述忆阻器的结构是衬底的上一种平面结构，包括一端活性电极、一端惰性电极和电极中间的二维原子晶体，其中二维原子晶体为单晶Ⅳ‑Ⅵ族半导体，形如MX(M：Ge、Sn、Pb；X：S、Se)，它们为快离子导体，而且具有的独特褶皱层状结构，在受到电场作用时，来自活性电极被氧化的金属阳离子能在二维原子材料层间、空位或界面特殊的通道快速迁移，以实现一种低功耗、循环一致性好、开关比大等性能优异的忆阻器；此外本发明提供的制备方法简单易行，在阻变存储器和需要低功耗的人工突触器件拥有广阔的应用前景，也为忆阻器制备提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN111029459B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201911207174.4
申请日：2019-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种界面型原子忆阻器及其制备方法，忆阻器结构是基底上具有底电极/介质层/顶电极的三明治结构以及最顶部的保护层；底电极由惰性金属材料如铂、金、钯、柔性导电材料如氧化铟锡、石墨烯等半金属型二维原子晶体材料或半导体型二维原子晶体；顶电极为活性金属材料如银、铜、钛、钨、氮化钛；介质层由二维原子晶体材料组成，其中二维原子晶体材料表面经过氧化处理；基底包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷。本发明提供的忆阻器通过利用特定的二维原子晶体表面氧化层与活性金属顶电极原子级别的界面作用，具有开关比大，开关电压低，阻态稳定，循环耐久优异的特点，拥有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111029459A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911207174.4
申请日：2019-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种界面型原子忆阻器及其制备方法，忆阻器结构是基底上具有底电极/介质层/顶电极的三明治结构以及最顶部的保护层；底电极由惰性金属材料如铂、金、钯、柔性导电材料如氧化铟锡、石墨烯等半金属型二维原子晶体材料或半导体型二维原子晶体；顶电极为活性金属材料如银、铜、钛、钨、氮化钛；介质层由二维原子晶体材料组成，其中二维原子晶体材料表面经过氧化处理；基底包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷。本发明提供的忆阻器通过利用特定的二维原子晶体表面氧化层与活性金属顶电极原子级别的界面作用，具有开关比大，开关电压低，阻态稳定，循环耐久优异的特点，拥有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110911560A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911206904.9
申请日：2019-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种平面型忆阻器及其制备方法，所述忆阻器的结构是衬底的上一种平面结构，包括一端活性电极、一端惰性电极和电极中间的二维原子晶体，其中二维原子晶体为单晶Ⅳ-Ⅵ族半导体，形如MX(M：Ge、Sn、Pb；X：S、Se)，它们为快离子导体，而且具有的独特褶皱层状结构，在受到电场作用时，来自活性电极被氧化的金属阳离子能在二维原子材料层间、空位或界面特殊的通道快速迁移，以实现一种低功耗、循环一致性好、开关比大等性能优异的忆阻器；此外本发明提供的制备方法简单易行，在阻变存储器和需要低功耗的人工突触器件拥有广阔的应用前景，也为忆阻器制备提供了一种新的思路。
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