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公开(公告)号：CN109661122A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811332087.7
申请日：2018-11-09
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微型发光二极管转移相关技术领域，其公开了一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，该方法包括以下步骤：(1)将制备在蓝宝石基板上的微型发光二极管阵列粘接在临时转移基板上；(2)将所述微型发光二极管阵列自所述临时转移基板转移到透明基板上，所述透明基板设置有热释放胶层；(3)选择性地点亮所述微型发光二极管阵列中的待转移微型发光二极管；(4)采用紫外激光扫描所述透明基板的背面，使点亮的所述待转移微型发光二极管脱离所述热释放胶层并转移到目标基板上。本发明工艺简单，适用性较强，准确性较高，且提高了良品率及生产效率。
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公开(公告)号：CN108615807A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810497330.4
申请日：2018-05-22
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于传感器制备领域，并公开了一种量程和灵敏度可调的柔性传感器及其制备方法。该方法包括：(a)在该刚性透明基板上依次沉积激光反应层和透明柔性基板，将激光反应层与刚性透明基板分离，以此获得激光反应层与透明柔性基板层的双层结构；(b)根据所需制备的传感器的类型沉积电极层；(c)激光照射柔性透明基板，激光反应层吸收所述激光的能量发生烧蚀分解反应，反应生成的气体将激光反应层被照射的区域顶起且与柔性透明基板分离，从而在柔性透明基板与激光反应层之间形成空腔，由此完成柔性传感器的制备。本发明还公开了该制备方法获得的产品，通过本发明，制备方法简单，制备的传感器灵敏度高，量程实时可调。
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公开(公告)号：CN106910678A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710135335.8
申请日：2017-03-09
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0275 , H01L21/0272
摘要： 本发明属于电子器件制备工艺领域，并公开了一种图案化掩膜版的制备方法，包括以下步骤：1)在透明基板的第一表面上沉积一层吸光材料层并图案化；2)在透明基板的第二表面上旋涂聚合物材料层；3)用激光照射透明基板的第一表面，该透明基板上被吸光材料覆盖的区域，激光能量未达到聚合物材料烧蚀阈值，聚合物得以保留；而透明基板上未被吸光材料覆盖的区域的聚合物会被激光烧蚀，聚合物材料层被烧蚀后实现图案化，并且图案的形状与透明基板的第一表面沉积的吸光材料的形状一致，从而形成所述图案化掩膜版。本发明可以实现对激光剥离后的界面粘附强度调控，通过控制剥离后的界面粘附强度，使大面积柔性超薄器件剥离后依然粘附在刚性衬底上。
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公开(公告)号：CN109087882B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201810775111.8
申请日：2018-07-16
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/66
摘要： 本发明属于激光剥离制备柔性电子器件的技术领域，并公开了一种柔性电子器件的制备方法及其产品与系统。该方法包括下列步骤：(a)在刚性透明基板上制备柔性电子器件和压电传感器获得多个预制品；(b)选取一部分预制品采用激光照射，并标定使得柔性衬底从基板上剥离对应的激光工艺参数范围和电压范围；(c)对于剩余的预制品，设定激光的工艺参数，采用激光照射基板的底部，记录剥离时压电传感器测量的实时电压，将其与标定的电压范围进行比较，以此判断产品是否合格，由此获得合格的柔性电子器件。通过本发明，实现剥离应变冲击与电信号关系的定量标定，进而实现产品的科学分拣和工艺控制，提高良品率，提高生产设备和制造流程的敏捷性。
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公开(公告)号：CN109661122B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201811332087.7
申请日：2018-11-09
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微型发光二极管转移相关技术领域，其公开了一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法，该方法包括以下步骤：(1)将制备在蓝宝石基板上的微型发光二极管阵列粘接在临时转移基板上；(2)将所述微型发光二极管阵列自所述临时转移基板转移到透明基板上，所述透明基板设置有热释放胶层；(3)选择性地点亮所述微型发光二极管阵列中的待转移微型发光二极管；(4)采用紫外激光扫描所述透明基板的背面，使点亮的所述待转移微型发光二极管脱离所述热释放胶层并转移到目标基板上。本发明工艺简单，适用性较强，准确性较高，且提高了良品率及生产效率。
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公开(公告)号：CN106891614B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710113306.1
申请日：2017-02-28
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于柔性电子制造、激光加工领域，具体设计一种曲面打印激光实时烧结固化装置和方法，该装置包括打印模块，观测模块和激光输出模块；所述打印模块包括高精度微纳图案打印系统、喷印头和曲面基板，所述观测模块包括观测相机和相机移动装置，所述激光输出模块包括一台激光器和激光调节装置。本发明还公开了一种曲面打印激光实时烧结固化的方法。本发明利用激光实时烧结工艺可以完成打印结构的瞬间烧结、固化，同时可以通过激光能量密度等工艺参数调节固化程度，得到可控的截面形状，从而在曲面上得到理想的微纳结构图案，有助于实现微纳结构的功能性，有助于解决曲面基板打印精确定位的难题。
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公开(公告)号：CN110335844B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201910519471.6
申请日：2019-06-17
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L33/48 , H01L25/075 , H01F13/00
摘要： 本发明属于巨量转移技术领域，并具体公开了一种基于选择性加热去磁的MicroLED巨量转移装置及方法，其包括基板及设置在基板上表面的磁性方块阵列，磁性方块阵列中每一磁性方块均具有磁性且上下表面为异名磁极，并且各磁性方块能够在外部加热的作用下失去磁性，转移操作时磁性方块阵列与待转移的具有磁性的MicroLED阵列一一对应，利用磁性方块阵列先整体拾取MicroLED阵列，再选择性的加热磁性方块使其失去磁性以将MicroLED选择性的转移至具有磁性的目标电路基板上。本发明可实现MicroLED的图案化、选择性巨量转移，具有操作方便，适用性强，定位精确等优点。
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公开(公告)号：CN109524512A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811360533.5
申请日：2018-11-15
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微型元件巨量转移相关技术领域，其公开了一种基于可控微反射镜阵列的微型发光二极管巨量转移方法，该方法包括以下步骤：(1)将红色微型发光二极管阵列、蓝色微型发光二极管阵列及绿色微型发光二极管阵列分别粘接在三个临时转移基板上；(2)分别将上述三种颜色的微型发光二极管阵列自对应的所述临时转移基板转移至透明基板上，该透明基板设置有激光释放层；(3)紫外激光经该可控微反射镜阵列后被分为三束图案化激光，该三束图案化激光分别照射于三种微型发光二极管所连接的激光释放层上，进而使三种颜色的微型发光二极管选择性地转移至目标基板上。本发明提高了转移效率，且可同时转移红、绿、蓝三种颜色的微型发光二极管。
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公开(公告)号：CN106891614A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710113306.1
申请日：2017-02-28
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： B41J2/01 , B41J11/002
摘要： 本发明属于柔性电子制造、激光加工领域，具体设计一种曲面打印激光实时烧结固化装置和方法，该装置包括打印模块，观测模块和激光输出模块；所述打印模块包括高精度微纳图案打印系统、喷印头和曲面基板，所述观测模块包括观测相机和相机移动装置，所述激光输出模块包括一台激光器和激光调节装置。本发明还公开了一种曲面打印激光实时烧结固化的方法。本发明利用激光实时烧结工艺可以完成打印结构的瞬间烧结、固化，同时可以通过激光能量密度等工艺参数调节固化程度，得到可控的截面形状，从而在曲面上得到理想的微纳结构图案，有助于实现微纳结构的功能性，有助于解决曲面基板打印精确定位的难题。
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公开(公告)号：CN109524512B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811360533.5
申请日：2018-11-15
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微型元件巨量转移相关技术领域，其公开了一种基于可控微反射镜阵列的微型发光二极管巨量转移方法，该方法包括以下步骤：(1)将红色微型发光二极管阵列、蓝色微型发光二极管阵列及绿色微型发光二极管阵列分别粘接在三个临时转移基板上；(2)分别将上述三种颜色的微型发光二极管阵列自对应的所述临时转移基板转移至透明基板上，该透明基板设置有激光释放层；(3)紫外激光经该可控微反射镜阵列后被分为三束图案化激光，该三束图案化激光分别照射于三种微型发光二极管所连接的激光释放层上，进而使三种颜色的微型发光二极管选择性地转移至目标基板上。本发明提高了转移效率，且可同时转移红、绿、蓝三种颜色的微型发光二极管。
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