一种单相合金及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118460900A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410500608.4

    申请日:2024-04-24

    Abstract: 本发明提供了一种单相合金及其制备方法和应用,该方法通过利用特定原子百分数的V、Cr、Fe、Co、Ni、Mo、Al、W来制备多元素合金,并对制备条件进行调控,可制得具备BCC结构的单相合金,且该单相合金具备高熵合金的特性,将其作为电解水阳极材料时,具有优异的析氧反应性能和较好的稳定性。通过在合金中形成高熵结构,为合金提供了多样化的反应活性位点,赋予合金优异的化学稳定性,使得将其作为电解水阳极材料时,电解水反应能够在大电流密度下进行反应,有效提高了电解水的效率和产率。通过上述方式,提供了一种内部结构均匀、具有高熵结构和BCC结构的单相合金的制备方法。

    一种一体化氘氢双核磁共振线圈
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119738756A

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202411765978.7

    申请日:2024-12-04

    Abstract: 本发明提供了一种一体化氘氢双核磁共振线圈,包括:筒体和若干个单通道双频线圈,筒体为中空的筒状结构;若干个单通道双频线圈交叠布设并环绕铺设于筒体的外表面;每一个单通道双频线圈均包括线圈单元、第一电容C1、第二电容C2、输入输出匹配电路和双频切换电路,其中,第一电容C1和第二电容C2串联连接于线圈单元上,双频切换电路并联连接于第二电容C2的两端,以实现线圈工作频率在氘核的磁共振频率和氢核的磁共振频率之间切换,输入输出匹配电路并联连接于第一电容C1的两端,以对应匹配两种线圈工作频率的输入输出。本申请通过同一套布线结构实现一体化氘核和氢核双频工作模式切换,避免了多个线圈重复定位和多结构嵌套产生的相互影响。

    一种兼顾激光熔注效率、复合层深和冶金质量的方法

    公开(公告)号:CN110306184A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910620490.8

    申请日:2019-07-10

    Abstract: 本发明属于激光先进制造领域,公开了一种兼顾激光熔注效率、复合层深和冶金质量的方法,该方法是利用激光束在金属基材表面形成熔池的同时,采用感应线圈对基体进行同步预热;接着,将陶瓷增强颗粒注入所述熔池中,未完全熔化的增强颗粒即被捕获在熔池中,从而在金属基材表面形成颗粒增强金属陶瓷复合层。本发明在传统激光熔注工艺加工过程中同步引入感应预热,能够适当降低熔池冷却速率,抑制熔池中脆性金属化合物的形核,解决传统激光熔注金属陶瓷复合层过程中脆性化合物析出量过多导致的开裂问题,并显著提升激光熔注效率和复合层深的同时,也有效控制了界面反应的强烈程度。

    一种高熵氧化物材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119841623A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202510051029.0

    申请日:2025-01-13

    Abstract: 本发明提供了一种高熵氧化物材料及其制备方法和应用,涉及超级电容器材料技术领域。该高熵氧化物材料以Cr、Fe、Co、Ni对应的硝酸盐和仲钼酸铵为原料,通过简单的溶液合成法制得,其为尖晶石结构,空间群为Fd‑3m。本发明提出的制备方法通过调控各个金属元素的比例及合成条件,可利用多种金属元素的高熵效应,增大了材料的比表面积,制得的高熵氧化物在高温或极端电化学条件下仍能保持结构的稳定性和电化学活性,不易发生相分离或降解,从而显著提升了材料的耐久性和使用寿命。采用上述方法制得的高熵氧化物材料在电化学储能中表现出优异的赝电容行为,为能源存储提供了一种高效且经济的材料选择。

    一种兼顾激光熔注效率、复合层深和冶金质量的方法

    公开(公告)号:CN110306184B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201910620490.8

    申请日:2019-07-10

    Abstract: 本发明属于激光先进制造领域,公开了一种兼顾激光熔注效率、复合层深和冶金质量的方法,该方法是利用激光束在金属基材表面形成熔池的同时,采用感应线圈对基体进行同步预热;接着,将陶瓷增强颗粒注入所述熔池中,未完全熔化的增强颗粒即被捕获在熔池中,从而在金属基材表面形成颗粒增强金属陶瓷复合层。本发明在传统激光熔注工艺加工过程中同步引入感应预热,能够适当降低熔池冷却速率,抑制熔池中脆性金属化合物的形核,解决传统激光熔注金属陶瓷复合层过程中脆性化合物析出量过多导致的开裂问题,并显著提升激光熔注效率和复合层深的同时,也有效控制了界面反应的强烈程度。

Patent Agency Ranking